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161.
自调谐VCO频段选择技术比较与设计 总被引:1,自引:0,他引:1
系统分析了自调谐的必要性和各种具有频段选择功能的LC VCO(电感电容压控振荡器)的特点,设计了一种可以应用于自调谐的LC VCO结构.该压控振荡器用5层金属0.25 μ m的标准CMOS工艺制造完成,测试结果表明,该压控振荡器在电源电压为2.7V时的功耗约为14mW,它具有约1 80MHz的调谐范围,在振荡中心频率为1.52GHz时的单边带相位噪声为-110dBc/Hz@1MHz. 相似文献
162.
本文实现了一个采用三位三阶Δ∑调制器的高频谱纯度集成小数频率合成器.该频率合成器采用了模拟调谐和数字调谐组合技术来提高相位噪声性能,优化的电源组合可以避免各个模块之间的相互干扰,并且提高鉴频鉴相器的线性度和提高振荡器的调谐范围.通过采用尾电流源滤波技术和减小振荡器的调谐系数,在片压控振荡器具有很低的相位噪声,而通过采用开关电容阵列,该压控振荡器达到了大约100MHz的调谐范围,该开关电容阵列由在片数字调谐系统进行控制.该频率合成器已经采用0.18μm CMOS工艺实现,仿真结果表明,该频率频率合成器的环路带宽约为14kHz,最大带内相位噪声约为-106dBc/Hz;在偏离载波频率100kHz处的相位噪声小于-120dBc/Hz,具有很高的频谱纯度.该频率合成器还具有很快的反应速度,其锁定时间约为160μs. 相似文献
163.
设计了单片集成的超高速NRZ码时钟恢复电路,该电路采用注入同步压控振荡器结合锁相环的结构,在保持普通PLL型时钟恢复电路优点的同时,加快了锁相环的响应速度,提高了系统的稳定度。利用法国OMMIC公司的0.2μmGaAsPHEMT,制造了MMIC芯片,在输入速率为8.2Gb/s、长度为223-1伪随机序列的情况下,输出时钟的均方根抖动为1.6ps。芯片面积为1.5mm×2mm。采用-5V电源供电,功耗约为600mW。 相似文献
164.
165.
IR21592/IR21593是IR公司于2004年推出的一款新型可调光电子镇流器控制驱动器IC。该芯片集成了全调光镇流器控制器和600V半桥驱动器,可实现无变压器灯功率感知相位控制,简化了从不可调光到可调光镇流器需做的改动。外部可控参数包括:预热时间和电流,点燃到凋光时间,和全调光接口等,这给予镇流器设计工程师以很大的灵活性。该IC包括灯点燃失败保护、灯丝失效保护、过温保护、灯在正常工作过程中熄灭的保护以及自动重启功能。该控制IC的核心压控振荡器可以由外部元件设定其最低工作频率。IR21592/IR21593有DIP16和SOIC16两种封装形式。IR21592同IR21593两种型号主要区别在死区时间和频率范围的数值上。 相似文献
166.
800 MHz射频频率合成器的设计及相位噪声性能分析 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了3.5GHz宽带无线固定接入系统射频接收机中800MHz频率合成器的设计,讨论了环路滤波器以及压控振荡器等环路部件对频率合成器输出信号相位噪声性能的影响,提出了低相位噪声频率合成器的设计方法。最后结合实际系统分析了本振信号相位噪声对基带接收机16QAM解调误码性能的影响,并给出计算机仿真的结果。 相似文献
167.
168.
设计了一种应用于单片CMOS超高频射频识别阅读器中的低功耗、低相位噪声LC VCO。根据超高频射频识别阅读器的系统架构和协议要求,对本振相位噪声要求做出详细讨论;采用LC滤波器和低压差调压器分别对尾电流源噪声和电源噪声进行抑制,提高了VCO相位噪声性能。电路采用IBM 0.18μm RF CMOS工艺实现,电源电压3.3 V时,偏置电流为4.5 mA,中心频率为1.8 GHz,在频偏1 MHz处,相位噪声为-136.25 dBc/Hz,调谐范围为30%。 相似文献
169.
基于802.11a/b/g WLAN接收机前端的射频集成压控振荡器设计 总被引:2,自引:2,他引:0
为了满足WLAN接收机前端要求,设计了一种基于IEEE 802.11 a/b/g协议的RF零中频接收机第一本振3.846GHz压控振荡器.该振荡器采用TSMC0.25μm RFCMOS工艺实现,利用Hajimiri相位噪声模型对结构进行了优化,具有低相位噪声的特性.通过Cadence Spectre仿真,结果表明文中设计的3.846GHz压控振荡器功耗为10mW,1MHz和3MHz载频处的相位噪声分别为-120dBc/Hz和-131dBc/Hz,调谐电压Vtune在0~2.5V之间变化时,频率可调范围为600MHz,其性能完全符合IEEE 802.11 a/b/g协议的要求. 相似文献
170.