Windows环境下的利用VB6.0类中发出的事件进行串行异步通信的应用研究

本文讨论了串行异步通信的有关技术以及在Ｗｉｎｄｏｗｓ环境下利用ＶＢ６．０类中发出的事件 进行串行异步通信的实现方案。将 ＡｃｔｉｖｅＸ控件在类中实现其应用,从而可以使串行异步通信程序动态链 接库（ＤＬＬ）在其他应用程序中调用。     

NMOS器件ESD特性模拟

NMOS管I-V曲线在ESD(electrostatic discharges)脉冲电流作用下呈现出反转特性,其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件,对1.0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现,在ESD触发时,增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强,VH减小、VB减小,晶格温度降低;器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性,但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效,而电场击穿引起的介质失效是次要的。     

MIMO-OFDM系统的低复杂度递推信道跟踪算法

该文针对时变多径信道下的MIMO-OFDM系统,基于变分贝叶斯原理,提出了一种新的联合信号检测和信道跟踪的低复杂度半盲贝叶斯迭代接收机。针对该接收机,基于递推变分期望最大化(RVBEM)算法,提出了一种RVBEM信道跟踪算法。由于RVBEM算法需要进行矩阵求逆,因此以该算法为基础推导得到了一种时频域联合递推的低复杂度信道跟踪(TF-LCRVBEM)算法。TF-LCRVBEM算法不仅完全避免了矩阵求逆运算,还通过合理的近似使得算法只具有线性复杂度。分析和仿真表明,在时变多径信道下,所提迭代接收机具有远优于传统接收机和接近理想接收机的性能。     

学生t量测分布下鲁棒粒子滤波算法的设计与实现

野值是一种异于总体数据的非高斯量测值,在实际传输中野值的加入常使信号出现厚尾特性。粒子滤波是基于贝叶斯框架的适用于非线性/非高斯系统的一种滤波方法。如果在量测噪声中存在野值会使粒子滤波的精度下降。该文利用学生t分布建模量测噪声模型,结合变分贝叶斯(VB)递推方法设计一种新颖的边缘粒子滤波(MPF-VBM),它在滤波同时可对量测噪声的包括均值在内的全部参数进行实时估计。进一步,利用该估计算法,在量测噪声时变条件下研究了噪声关联的粒子滤波算法(MPF-VBM-COR)。通过对典型单变量增长模型的仿真,验证了所提两种算法相比于已有算法在状态估计上具有更优越的鲁棒性。     

基于Visual Basic 6.0的信号发生器自动测试系统

实验室通常以检测报告、校准证书或抽样报告的形式提供测试结果. 实验室应准确、清晰、明确和客观地出具测试结果,并且所有出具的报告应作为技术记录予以保存. 为减轻检测人员因出具检测报告过程繁琐所带来的压力,以Microsoft Visual Basic 6.0为开发工具,通过Visual Basic（VB）对Excel数据进行操作,构建了一个分析测试报告自动编制的软件,能快速、准确的编制分析测试报告. 对仪器设备得到的数据,在Excel中进行复制和粘贴,不需要通过数据库转存,保证了报告编制程序运行的可靠性. 程序提高了报告生成的工作效率,使得分析报告格式标准化,便于归档留存,保证其具有可追溯性.     

基于ActiveX机制的VB与MATLAB数据交换

MATLAB是目前应用最广泛的数值科学计算语言．同时也是系统分析和仿真的强大工具．VB是目前使用最广泛的可视化编程工具．本文介绍一种利用ActiveX机制实现VB与MATLAB数据交换的方法．从而可以充分结合两个软件的优点．大大缩短软件开发周期．     

一种VB和单片机进行串行通信的可靠协议

单片机通信的可靠性很大程度上依赖于是否有一个好的通信协议。为了确保通信的可靠性，特别设计了一种以单片机为主控机的基于帧的通信协议，计算机端使用VB，单片机端使用KEILC．本通信协议适用于单片机和计算机点对点通信的情况，共分为三部分：握手帧、数据帧和应答帧。对通信错误的处理，在单片机和VB程序中都给出了详细的错误处理程序，能迅速定位通信错误原因，并有针对性地修改协议。     

一种温度无线传输系统设计

温度是重要的工业参数之一,传统上温度的测量一般在现场进行,但在某些领域需要进行温度的无线检测。该项研究采用无线发射接收模块,结合单片机和计算机,利用VB高级编程,设计出一种温度的无线数据检测系统。实际调试表明:性能达到了设计要求,传输距离达到几十米。温度测试范围在0~150℃,使操作员可以远距离实时了解被测现场的温度变化情况,保证了生产的安全顺利进行。     

网上电子作业的设计

随着网络技术的飞速发展 ,远程教育将会有极大发展。现就开发网上电子作业软件对利用计算机进行远程教学做一下探索和丰富。该软件依靠 VB语言编成 ,可实现远距离电子作业的写作和批改     

Structure and reactivity of GaAs surfaces

First the analytical tools, preparation methods and surface crystallography of clean GaAs surfaces are briefly reviewed. Besides the usual methods of cleaving, ion bombardment and annealing, molecular beam epitaxy is mainly used as a growth method under UHV conditions, and has brought a manifold of differently reconstructed structures on the same crystallographic surface, depending on the exact experimental conditions during growth. Quantitative analysis of the surface composition by AES gives the result that these structures differ only in the amount of As in the topmost layer. From the combination of theoretical LEED analysis, UPS results and arguments considering the different physicochemical nature of Ga and As atoms, rehybridisation of the surface atomic bonds emerges as the driving force for reconstruction: the surface Ga atoms try to assume a trivalent planarsp² and the As atoms a trivalentp³ configuration with three mutually perpendicularp-bonds. The better this rehybridised configuration can be achieved, the better is the chemical stability of the respective structure. The sticking coefficient for oxygen, although generally low, thus varies between ～10^-4 and <10^-9, depending on the crystallographic surface and, on the same surface, on the degree of surface bond saturation given by the respective structure. However, it emerges that, at least on As-depleted polar surfaces, adsorption proceeds via a mechanism of removal of Ga atoms during exposure and adsorption on the defect sites created in this way. The existence of such a complicated mechanism is consistent with the difficulties arising with the preparation of thick stoichiometric oxide layers, the preparation methods and properties of which are reviewed briefly in the last section.