射频磁控溅射制备声表面波器件用ZnO薄膜

研究了采用射频磁控溅射法在SiO2/Si衬底上制备ZnO薄膜工艺中溅射功率、氧氩比(V(O2)/V(Ar))及衬底温度对ZnO薄膜结构的影响。利用X-射线衍射(XRD)和扫描力显微镜(AFM)对薄膜进行结构性能分析,表明其结构性能随工艺参数变化的规律。利用优化的工艺条件:射频功率60 W、V(O2)/V(Ar)为0.55和衬底温度350℃,在DLC/Si衬底上制备了ZnO薄膜,制作加工成声表面波滤波器件,测试分析了频率响应特性,中心频率为596.5 MHz。     

YAG脉冲激光焊接的光致等离子体机理研究

针对 YAG脉冲激光焊接 Al及 4 5#钢时产生的光致等离子体 ,采用空心圆电极探测等离子体电信号 ;建立探测器内等离子体区域分析的理论模型 ,并用试验加以验证。研究结果表明 ,在负电压段 ,等离子体电信号的电流随电压增加呈现饱和趋势 ;理论与试验曲线比较证明 ,等离子体温度高于被焊材料气化温度约 30 0 K。     

基于ARM嵌入式的视频监控系统的设计

提出一种基于ARM嵌入式开发平台视频监控的实现方案。通过V4L2在Linux下构建视频图像采集和显示,然后使用servfox和spcaview构建视频服务器,系统可在Linux和Windows操作系统下通过窗口或者网页进行视频监控和图像抓拍。测试表明系统的监控图像清晰,并具有体积小、成本低、可靠性强等优点。     

基于Proteus的气压报警系统设计

利用Proteus设计了一种数字气压报警系统。通过MPX4115气压传感器获得与大气压相对应的模拟电压值,经过V/F转换器将模拟电信号转换为数字脉冲信号输入到单片机,单片机接收脉冲信号,经计算处理得出实际的气压值,最后通过数码管显示电路显示出来,并在Proteus上成功完成了仿真调试。结果表明本系统具有携带方便,操作简单,精确度高,适合远距离传送,并可根据具体情况设置警戒值进行智能监测报警,可实现不同环境下的分布-集中监控的特点。     

变频调速应用技术（四）——第二讲 了解功能调变频（下）

本文介绍了变频器的控制模式。主要有：V/F控制、开环矢量控制、带PG反馈的矢量控制,等。此外,本文还介绍了变频器各控制端子的功能,如输入控制端子、输出控制端子、报警控制端子等。最后,介绍了变频器的几种保护功能。     

铁电存储场效应晶体管I-V特性的物理机制模拟

文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管（FEMFET）的I-V特性。从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响。传统的阈值电压的概念巳不再适用，由于铁电层反偏偶极子的开关作用，自发极化的增加对存储器的工作状态产生很小的影响。该模型可用于设计和工艺参数的优化，并由直观原型的方法得到了验证。     

Approach for dislocation free GaN epitaxy

The characteristics of confined epitaxial growth are investigated with the goal of determining the contributing effects of mask attributes (spacing, feature size) and growth conditions (V/III ratio, pressure, temperature) on the efficiency of the approach for dislocation density reduction of GaN. In addition to standard (secondary electron and atomic force) microscopy, electron channeling contrast imaging (ECCI) is employed to identify extended defects over large (tens of microns) areas. Using this method, it is illustrated that by confining the epitaxial growth, high quality GaN can be grown with dislocation densities approaching zero.     

HE-AAC V2编码原理及其应用

在保证优秀的音频质量下,提高音频编码的压缩效率是数字音频技术一直追求的目标,简单介绍目前最先进的音频编码HE-AAC V2的原理及应用,着重介绍其中用到的两种新技术频带复制(SBR)技术和参数立体声(PS)技术.     

A novel Mo(V) oligophosphate built up of di- and triphosphate groups: Cs(MoO)4(P2O7)2(P3O10)

A Mo(V) oligophosphate, built up of di and triphosphate groups, Cs(MoO)₄(P₂O₇)₂(P₃O₁₀) has been synthesized for the first time. This compound crystallizes in the triclinic P−1 space group with , , , α=94.534(6)°, β=102.520(6)°, γ=103.663(4)°. This original structure can be described by the association of MoO₆ octahedra, MoP₂O₁₁ units built up of one P₂O₇ group sharing two apices with the same MoO₆ octahedron, and triphosphates groups P₃O₁₀. The resulting tridimensional framework forms large S-shaped tunnels running along c where the Cs⁺ cations are located.     

采用V.34建议的高速传真保密机的研究与实现

本文研究分析了采用V.34建议的高速传真通信规程,阐述了高速传真保密通信的基本原理,基于此设计实现了门卫式高速传真保密机.