全文获取类型
收费全文 | 20787篇 |
免费 | 3735篇 |
国内免费 | 1664篇 |
专业分类
化学 | 2103篇 |
晶体学 | 82篇 |
力学 | 1503篇 |
综合类 | 236篇 |
数学 | 2635篇 |
物理学 | 5245篇 |
无线电 | 14382篇 |
出版年
2024年 | 57篇 |
2023年 | 233篇 |
2022年 | 398篇 |
2021年 | 603篇 |
2020年 | 663篇 |
2019年 | 506篇 |
2018年 | 470篇 |
2017年 | 781篇 |
2016年 | 955篇 |
2015年 | 951篇 |
2014年 | 1533篇 |
2013年 | 1606篇 |
2012年 | 1702篇 |
2011年 | 1799篇 |
2010年 | 1333篇 |
2009年 | 1319篇 |
2008年 | 1462篇 |
2007年 | 1464篇 |
2006年 | 1333篇 |
2005年 | 1061篇 |
2004年 | 956篇 |
2003年 | 835篇 |
2002年 | 675篇 |
2001年 | 602篇 |
2000年 | 505篇 |
1999年 | 418篇 |
1998年 | 297篇 |
1997年 | 277篇 |
1996年 | 243篇 |
1995年 | 217篇 |
1994年 | 144篇 |
1993年 | 127篇 |
1992年 | 125篇 |
1991年 | 94篇 |
1990年 | 79篇 |
1989年 | 72篇 |
1988年 | 51篇 |
1987年 | 36篇 |
1986年 | 33篇 |
1985年 | 32篇 |
1984年 | 20篇 |
1983年 | 9篇 |
1982年 | 19篇 |
1981年 | 29篇 |
1980年 | 9篇 |
1979年 | 12篇 |
1978年 | 11篇 |
1976年 | 5篇 |
1975年 | 5篇 |
1974年 | 5篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 46 毫秒
51.
微带型Wilkinson功分器设计与实现 总被引:2,自引:0,他引:2
小型低功耗器件是射频电路设计的研究热点,而微带技术具有小型化低功耗的优点,为此在介绍微带型Wilkin-son功分器工作原理的基础上,使用基于矩量法的ADS软件设计、仿真和优化计算相关数据参数,并制作了一个微带功分器实例,最后对加工的样品进行实测,获得与仿真值吻合较好的预期结果。 相似文献
52.
一种零电压转换有源功率因数校正电路的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种基于UC3854的零电压转换有源功率因数校正(ZVT-APFC)的控制电路实现方案,介绍了ZVT电路工作原理,着重分析了由分立元件构成的辅助开关管的驱动电路,通过实验证实了驱动电路的稳定性和可靠性,并通过效率比较验证了ZVT-APFC电路的优良性能。与采用UC3855的电路相比,该电路方案具有简单、可靠、成本低等优点。 相似文献
53.
54.
Sensitivity analysis is a mathematical tool, first developed for optimization methods, which aim is to characterize a system response through the variations of its output parameters following modifications imposed on the input parameters of the system. Such an analysis may quickly become laborious when the thermal model under consideration is complex or the number of input parameters is high. In this paper, we develop a mathematical model to analyse the heat exchanges in four different types of solar air collectors. When building this thermal model we show that for each collector, at quasi-steady state, the energy balance equations of the components of the collector cascade into a single first-order non-linear differential equation that is able to predict the thermal behaviour of the collector. Our heat transfer model clearly demonstrates the existence of an important dimensionless parameter, referred to as the thermal performance factor of the collector, that compares the useful thermal energy which can be extracted from the heater to the overall thermal losses of that collector for a given set of input parameters. A sensitivity analysis of our thermal model has been performed for the most significant input parameters such as the incident solar irradiation, the inlet fluid temperature, the air mass flow rate, the depth of the fluid channel, the number and nature of the transparent covers in order to measure the impact of each of these parameters on our model. An important result which can be drawn from this study is that the heat transfer model developed is robust enough to be used for thermal design studies of most known flat plate solar air heaters, but also of flat plate solar water collectors and linear solar concentrators. 相似文献
55.
大功率CO2激光器脉冲电源研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文论述了直流高压与高频脉冲电源相叠加,构成高频、高压脉冲电源,并使其对CO2激光器进行放电实验,研究了同条件下的放电参数与功率。 相似文献
56.
57.
Boundedness of commutators on homogeneous Herz spaces 总被引:9,自引:0,他引:9
The boundedness on homogeneous Herz spaces is established for a large class of linear commutators generated by BMO(R
n
) functions and linear operators of rough kernels which include the Calderón-Zygmund operators and the Ricci-Stein oRfiUatory
singular integrals with rough kernels.
Project supponed in pan by the National h’atural Science Foundation of China (Grant No. 19131080) and the NEDF of China. 相似文献
58.
Ting Gang Zhu Uttiya Chowdhury Michael M. Wong Jonathan C. Denyszyn Russell D. Dupuis 《Journal of Electronic Materials》2002,31(5):406-410
In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky
rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers
grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5
V at 100 A/cm2 are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage
in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm2, and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm2. It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC
substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge
terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied. 相似文献
59.
60.
本文对采用区内C/I平衡的多区蜂窝CDMA系统下行链路的性能进行分析,给出两种区内C/I平衡算法并比较它们的性能,考虑呈对数正态分布的阴影和R^-4规律的路径损失的综合影响,采用与传统不同的小区平均中断概率来评价系统的性能。 相似文献