超高频无源射频标签的射频接口设计

对射频标签能量供应原理进行了详细的理论分析,设计了一个超高频远距离无源射频标签芯片的射频接口电路,包括电源恢复电路、稳压电路及解调整形电路。解决了超高频无源射频标签远距离能量供应和信号获取的问题。射频接口电路采用UMC 0.18μm混合信号工艺流片验证。测试结果表明,射频接口电路的性能可满足超高频远距离无源射频标签芯片的要求。     

正八面体过渡金属化合物能谱的理论计算Ⅱ.

本文提出了在非限制Hartree-Fock方法计算的分子轨道基础上,计算分子价电子体系能谱和多电子状态的不可约张量方法。使用这种方法,计算了具有近似正八面体对称性的过渡金属化合物MnBr_6~(4-)、MnCl_6~(4-)、FeCl_6~(3-)、MnF_6~(4-)、Mn(H_2O)_6~(2+)、Co(NH_3)_6~(3+)、NiF_6~(4-)、Ni(H_2O)_6~(2+)、Ni(NH_3)_6~(2+)的d-d跃迁能谱。理论计算结果与实验符合较好,误差为若干k cm~(-1)     

一种RFID标签数字电路的ASIC设计与实现

结合UHF频段EPCGlobal Class0协议,设计出一种符合协议要求的被动式射频身份识别（RFID）标签的数字电路。对电路的框架设计和模块具体实现方法进行了详细阐述,基于Chartered 0．35um工艺标准单元库用Synopsys相关工具对该电路进行了前端综合和后端物理实现,并对电路的主要性能进行了简要的分析。仿真及测试结果表明该标签数字电路功能符合协议要求,与该协议下阅读器兼容。     

一种新的OFDM同步跟踪技术及其在VHF/UHF通信系统中的应用

为了提高VHF／UHF频段频带利用率,研究了一个以OFDM技术为基础的无线数据通信系统,并对各种OFDM同步跟踪的算法进行了分析。在此基础上提出了一种新的同步跟踪方法,通过仿真表明该方法不但具有较小的运算量、较低的实现复杂度,而且具有较好的性能。     

基于EPC-C1G2协议的多标签识别性能分析

EPC-C1G2协议属于EPCglobal组织发布的第二代超高频射频识别空中接口协议,该协议采用时槽ALOHA算法解决多标签识别时产生的碰撞问题.首先介绍了该协议多标签碰撞解决所需的参数和命令,协议中的Q值决定了解决碰撞时所用的时槽数.时槽数越多,标签越不容易碰撞,但识别时间却越长,因此,恰当地选择Q值可以在标签识别时间和识别标签数之间找到最佳平衡点.给出了两种碰撞解决流程,一种是固定Q值算法,另一种是递减Q值算法,并仿真分析了这两种多标签识别流程的性能.     

On the use of UHF orbitals in ionization energy calculations

The UHF Hamiltonian and simple Löwdin-like annihilators are formulated in the second quantization formalism. The so formulated Hamiltonian was employed in many-body Rayleigh-Schrödinger perturbation theory to evaluate the corrections to the UHF orbital energies.     

基于RFID技术的跨行业应用数据共管模式

射频识别以其非接触、自动采集的技术优势在社会公共涉车管理系统中得以迅速发展。对基于UHF频段的RFID技术进行了深入研究,并对公安、保险、环保、交通等各行业在RFID技术方面的应用进行了深入的调查研究,确定出各行业需要存储在车卡内存上的数据,然后对各种跨行业应用数据的共管模式进行深入探讨,制定出一种较为合理的数据共管模式,为以后基于UHF频段的RFID技术在各行业的推广应用奠定基础。     

基于业务的VHF UHF通信可达预测模型

甚高频( VHF),超高频(UHF)通信广泛应用于广播、航空移动和导航等业务中,如何根据不同的业务种类确定其可达距离是实际应用中重要环节.目前,人们对VHF,UHF场强预测有了很深入的研究,但是对完整的VHF,UHF收发系统及噪声影响下的可达距离分析较少,这使得人们在需要预测可达距离时,往往根据经验进行判断,误差较大且不具备实时性.提供了完整系统,根据国际电联(ITU)建议书,预测场强和信噪比,对比相应业务种类,进而得到相应距离上是否可达的预测结果.     

新型RFID阅读器接收电路设计

射频识别（RFID）系统,由于其智能、快速、耐久、记忆容量大等优点,拥有广阔的应用发展前景。主要研究了UHF频段RFID阅读器接收电路的设计,分析了其零中频接收电路结构,解决了由RFID系统自身特殊性所带来的零点问题和直流漂移,最终通过仿真验证了该电路结构的可行性。     

基于0.18μm 标准CMOS工艺的嵌入双精度温度传感器的无源超高频RFID标签芯片

文章提出了一种符合EPC Gen-2协议嵌入双精度温度传感器的无源超高频RFID电子标签芯片。设计了一种采用双精度工作模式的新型温度传感器,它能够在满足传感器精度要求的条件下缩短传感时间和降低标签芯片的功耗。标签芯片集成了一个全MOS管构成的射频整流器和一个单多晶硅栅标准CMOS的非易失性存储器。采用0.18μm标准CMOS工艺集成实现了无源超高频RFID电子标签芯片。芯片面积为1mm2,片上非易失性存储器容量为192bit。芯片被压焊到PCB天线上实现了一个完整的标签。当温度传感器关闭/启动时,电子标签的灵敏度为-10.7dBm/-8.4dBm。电子标签达到的最大读/传感距离为4m/3.1m @2W EIRP。在5℃至15℃（-30℃至50℃）的温度范围内,传感器的误差为-0.6℃/0.5℃(-1.0℃/1.2℃)。在高（低）精度模式下,温度传感器的精度为0.01℃(0.18℃)。