基于0.5 μm CMOS集成电路高低压兼容技术研究

将高压MOSFETs器件集成到低压CMOS数字和模拟电路中的应用越来越频繁。文章参考了Parpia提出结构,将高压NMOS、PMOS器件制作在商用3.3V/5V 0.5μmN-阱CMOS工艺中,没有增加任何工艺步骤,也没有较复杂BiCMOS工艺中用到的P-阱、P+、N+埋层,使用了PT注入。通过对设计结构的PCM测试,可以得到高压大电流的NMOS管BVdssn>23V～25V,P管击穿BVdssp>19V。同时,文章也提供了高压器件的设计思路和结果描述。     

High Hydrostatic Pressure to Increase the Biosynthesis and Extraction of Phenolic Compounds in Food: A Review

Phenolic compounds from fruits and vegetables have shown antioxidant, anticancer, anti-inflammatory, among other beneficial properties for human health. All these benefits have motivated multiple studies about preserving, extracting, and even increasing the concentration of these compounds in foods. A diverse group of vegetable products treated with High Hydrostatic Pressure (HHP) at different pressure and time have shown higher phenolic content than their untreated counterparts. The increments have been associated with an improvement in their extraction from cellular tissues and even with the activation of the biosynthetic pathway for their production. The application of HHP from 500 to 600 MPa, has been shown to cause cell wall disruption facilitating the release of phenolic compounds from cell compartments. HPP treatments ranging from 15 to 100 MPa during 10–20 min at room temperature have produced changes in phenolic biosynthesis with increments up to 155%. This review analyzes the use of HHP as a method to increase the phenolic content in vegetable systems. Phenolic content changes are associated with either an immediate stress response, with a consequent improvement in their extraction from cellular tissues, or a late stress response that activates the biosynthetic pathways of phenolics in plants.     

柠檬酸盐对阳极箔形成速度与比电容的影响

为了提高铝电解电容器用高压阳极箔形成速度与比电容,将水合处理后的腐蚀箔在95℃、2 g/L柠檬酸钠去离子水溶液中浸泡5 min,在530 V电压化成时,形成时间缩短约2 min,化成箔比电容由0.556×10–6 F.cm–2提高至0.584×10–6 F.cm–2,阳极氧化铝膜的结构与性能得到改善。     

高频电介质新材料Ba2Ti3Nb4O18陶瓷

采用氧化物固相反应法制备了理论密度达96.8%以上的Ba2Ti3Nb4O18高频电介质陶瓷。XRD和SEM分析表明:该陶瓷为两相混合结构,主晶相为单斜Ba2Ti3Nb4O18相,次晶相为六方Ba3Ti4Nb4O21相。1250℃/2h烧结瓷体Ba3Ti4Nb4O21相的体积分数为5%~8%,1MHz下的介电性能为:εr约为38,tanδ约为1.6×10–4,αC约为–8.51×10–6/℃。     

镁锌铁氧体磁芯的工艺研究

针对镁锌铁氧体与镍锌铁氧体磁芯在高频性能和机械强度方面存在的差异,对材料配方,烧结工艺,制料工艺等方面进行了调整。结果表明:起始磁导率μi为50~2000时,镁锌铁氧体磁芯完全可替代镍锌铁氧体磁芯,从而大幅降低原材料成本。     

铁电态-顺电态双层薄膜的高介电调谐

基于Landau-Devonshire自由能理论建立了热力学模型,对生长在(001)SrTiO3衬底上的PbZr0.4Ti0.6O3(PZT)/SrTiO3(STO)双层异质外延结构铁电薄膜以及不受约束的双层薄膜的介电响应与调谐率进行了研究。结果表明,在两层薄膜为无约束的自由薄膜情况下,STO厚度占双层薄膜总厚度的百分比为30%时,相对介电响应达到最大值约3.3×105,当两薄膜为异质外延结构时,其百分比为51%时,相对介电响应达到最大值约4×105。同时,调谐率还随外加电场的增大而增大,在临界百分比时,调谐率可达到约99%。     

基于DFE均衡器的线性化拆分算法的研究和应用

利用DFE非线性均衡器,通过数学处理对其进行线性化拆分,拆分后的两个线性均衡器分别置于信道的接收和发送端,使其能用于强多径干扰的信号传输环境(如存在强多径干扰的隧道中的高速信号传输).该方法降低了实现的复杂度,同时保持了高抗干扰性,且这种相互对称的均衡器结构有利于系统双向传输的实现.计算机仿真结果验证了该方法的有效性.     

CdS纳米锥的合成以及光致发光性能研究

将商用CdS粉在真空炉中通过简单的热蒸发获得了大量高纯的CdS锥状纳米结构.扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)观察和X射线衍射谱(XRD)的分析表明:CdS纳米锥状晶体为六角硫镉矿晶体结构,其形状为典型的纳米锥,晶格常数为a=0.413 nm,c=0.671 nm,沿着[0001]方向生长.CdS纳米锥的长度是20 μm到50 μm,直径从～100 nm减少到～20 nm.本文还详细研究了CdS纳米锥晶体的拉曼特性及其在激光辐射下的室温光致发光行为,探讨了绿光(波长为～512 nm)发射的机制.结果表明,这种CdS纳米锥可能用于新颖的光学器件.     

Ta2O5-TiO2调制结构和介电性能相关性

本文略述了近来用高分辨电子显微术及其模拟技术,解析Ta2O5和(Ta2O5)1-x(TiO2)x的晶体结构的进展,并揭示了(Ta2O5)1-x(TiO2)x固溶体中由于Ti离子有序占据八面体位置所形成的调制结构和介电性能之间的关联.     

基于DSP的高速原子力显微镜系统

传统的以PC机为控制核心的AFM(atomic force microscope)越来越无法满足快速成像的要求,具有先进控制系统的高速AFM正成为国内外的一个研究热点.本文介绍了一种以DSP(digital signal processor)为控制核心的AFM系统.在该系统中,自动进针/退针、扫描电压的产生、A/D采样、D/A输出以及数字闭环反馈控制等任务均在DSP控制下完成;在分辨率为512×512时,可以获得行频55 Hz的扫描速度.实验表明,即便在这样高速扫描的情况下,该系统仍具有良好的成像性能.