基于矢量平均的信道估计算法

提出一种适用于DS-CDMA无线通信系统的低计算量而性能良好的信道估计算法。在DS-CDMA系统中，当接收信号经过解扩或多用户检测等时域预处理后，可以认为干扰大大减弱、期望信号在处理后的信号中占主要地位。这样，用预处理后信号相关阵的最大特征值对应的特征矢量可以很好地近似期望信号的信道矢量。但是，直接特征分解需要很大的计算量，特征跟踪计算量较低，但瞬态性能较差。本文提出一种基于相关矩阵列矢量平均的信道估计算法，该算法不需要特征分解或跟踪。仿真结果表明：新算法在降低计算量的情况下可以获得同直接特征分解方法几乎相同的性能。     

自对准双扩散MOS器件的阈值电压分析

文章提出了精确描述自对准双扩散MOS器件阀值电压的解析模型，给出了其沟道中杂质的二维分布和源结耗尽层宽度的计算方法；分析了边缘效应对氧化层电容的影响，借助电荷共事模型，建立了反映非均匀沟道中耗尽层电荷变化及其对开启电压影响的阀值电压模型；同时，借助二维仿真器，计算出自对准双扩散MOS器件的阈值电压，其值与解析值相吻合。     

下一代宽带无线的MIMO-STC、Turbo码及OFDM级联传输策略(Ⅰ)

本文在简要回顾MIMO-STC[多输入、多输出(天线)-[空时编码]Turbo码(透平码或增强型反馈码)及OFDM(正交频分多路复用)技术特征基础上,重点论述MIMO-STC与Turbo码及OFDM级联传输技术,及其对下一代宽带无线(NGBW)演进发展具有的突出优势与战略重点性.     

基于支持向量机的多类分类研究

现今流行的分类方法的重要基础是传统的统计学，前提是要有足够的样本，当样本数目有限时容易出现过学习的问题，导致分类效果不理想。引入支持向量机方法，它基于统计学习理论，采用了结构风险最小化原则代替经验风险最小化原则，较好的解决了小样本学习的问题；又由于采用了核函数思想，把非线性空间的问题转换到线性空间，降低了算法的复杂度。对其相关内容包括优化算法及多类分类问题的解决进行了研究，最后用一个实例说明了该方法的可行性和有效性。     

OCT图像散斑的形成机理和清除方法

根据光相干层析成像（OCT）的光学和光电检测系统特点，结合现有的理论模型，分析了OCT成像和散斑形成机理。指出失去相干性的多次散射光部分会被滤波电路排除，散斑是由高散射组织相干长度之内的不同散射截面上的若干具有nπ光程差的相干散射光彼此叠加形成的。最后讨论了消除散斑的方法。     

基于扩展分形和CFAR特征融合的SAR图像目标识别

研究了多信息融合技术在SAR图像目标识别中的应用。将扩展分形特征(Extended Fractal)与双参数恒虚警特征(Double Parameter CFAR)形成的多信息进行融合处理。运用Dempster-Shafer证据理论，在决策层对SAR图像中的像素进行识别分类。实验结果表明通过融合对像素分类的准确性明显好于单特征的检测结果，减少了虚警概率，提高了系统的识别能力。     

整合式有线电视的视频点播配置方法

提出一种视频点播系统传送数据的结构,结合单播与群播两种数据传送的方法,通过动态改变群播与单播的频道分配比例,让大部分的使用者无需等待即可开始观看影片,进而减少整体使用者的等待时间.     

一种新的基于快速功控的多普勒估计

针对采用快速功控的移动通信系统提出了一种简便的多普勒估计方法。该方法利用功控后的接收信号电平的平稳性与最大多普勒频移有密切关系这一特点，通过测量接收信号电平的平稳性估计多普勒频移。文中在单径瑞利衰落信道条件下对这一方法进行了仿真验证，并同文献中提出的COV方法进行了比较，仿真结果表明在信道变化不是太快时本方案有较好的估计精度。     

Optimization of Selective Epitaxial Growth of Silicon in LPCVD

Selective epitaxial growth (SEG) of silicon has attracted considerable attention for its good electrical properties and advantages in building microstructures in high‐density devices. However, SEG problems, such as an unclear process window, selectivity loss, and nonuniformity have often made application difficult. In our study, we derived processing diagrams for SEG from thermodynamics on gas‐phase reactions so that we could predict the SEG process zone for low pressure chemical vapor deposition. In addition, with the help of both the concept of the effective supersaturation ratio and three kinds of E‐beam patterns, we evaluated and controlled selectivity loss and nonuniformity in SEG, which is affected by the loading effect. To optimize the SEG process, we propose two practical methods: One deals with cleaning the wafer, and the other involves inserting dummy active patterns into the wide insulator to prevent the silicon from nucleating.     

闪光灯泵浦Nd3+:GGG激光特性研究

用闪光灯泵浦掺钕钆镓石榴石(Nd^3 ：GGG)激光晶体，研究了脉冲宽度0．5ms、1ms、1．5ms和2ms的放电泵浦下激光输出，实验获得了1．92J的最大激光能量．