基于DVB标准的数字卫星电视系统简介

简要分析DVB标准的数字卫星电视系统的基本原理,讨论了DVB-S系统的信源编码和信道编码,并介绍了DVB-S系统的基本结构.     

AFTEX—3000F型ECR溅射装置

电子回旋共振(ECR)等离子体法广泛用于SiO_2、Si_3N_4膜等的低温CVD技术,以及MOS器件的微细栅极刻蚀技术。在ECR等离子体法中,由于低气压下生成高离子化的等离子体,故以低能量、大的离子电流照射而能持续进行表面反应,然而以往的技术无法实现高质量的薄膜工艺。由于用固体靶溅射,靶材供给容易,进而把上述技术作为基础,开发了ECR溅射技术。     

一种可用于可调谐环行Ti：Al_2O_3激光器的宽带单向器

本文介绍一种宽带单向器的原理及设计。选用ＴＧＧ作磁旋光介质，旋光石英晶片作补偿片，所设计的色散补偿型宽带单向器预计可在７００～１０００ｎｍ波长范围内实现环行激光腔中的单向行波运行；将其应用在可调谐环行Ｔｉ：Ａｌ２Ｏ３激光器中，获得了良好的实验结果。     

激光光束质量因子的研究进展

本文详细分析了各种光场下光束质量M2因子。在不同的场中,A.E.Siegman当初所定义的M2因子,已经有了很大的变化,因而M2因子的特性也与当初不同,不仅M2因子可以大于等于1,而且可以小于1,甚至小于0。其反映的物理意义,也从经典场中的衍射极限倍数,变化为非经典场中的准直性量度以及对空间相干性的某些反映。此外还列举并分析了几种特殊的光束质量因子,最后讨论了M2因子应用的问题并指出了其局限性。     

提高E^2PROM中NMOS管源漏穿通电压的实验研究

为了提高Ｅ＾２ＰＲＯＭ中Ｎ管源漏穿通电压，用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明，高能量注入是提高ＶＰＴ的有效手段，但受到ｐｎ结击穿的限制，只适用于低区短沟Ｎ管；ＤＤＤ工艺大幅度高ＶＰＴ，但ｐｎ结击穿电压低于２０Ｖ，不能应用于高压ＭＯＳ管；采用适量的防穿通注入和适当增大沟道长度为最理想的工艺途径。     

脂溶性酞菁钴(III)为载体的高选择性亚硝酸根PVC膜电极

以自制的4,4',4',4''-四特丁基酞菁钴(II)为原料合成二氯4,4',4',4''-四特丁基酞菁钴(III)。以此为载体制备PVC膜电极。该电极的电位选择性次序明显不同于Hofmeister次序, 其最佳 响应斜率为-52mV/pNO2^-, 线性范围为3×10^-^5～1×10^-^1mol.dm^-^3NaNO2。通过改变配合物轴向的配位阴离子, 用紫外-可见光谱法对电极的响应机理作了初步探讨。     

第二讲 高温超导约瑟夫森结技术及其应用

高温超导约瑟夫森结技术近年来发展很快，特别是台阶结、双晶结、双外延结、边缘结和邻近效应结等性能已达到实用水平，并应用于超导量子干涉器件、数字信号处理和高频有源器件中。文章介绍了这些结的技术和有关的应用。     

BS高清晰度彩电用芯片详解(二)

（上接2002年第10期第21页）●数据包（DataPacket）处理部TS分离部的核心——数据包处理部从TSPacket中取得必要的数据，存放在重新设定的外部SDRAM中。共有48个数据滤波器（Datafilter），具备处理48个PID的能力。得到数据，是生成用于与节目和构成节目的媒体相关的节目关系表PAT(ProgramAssociationTable)、节目图表PMT(ProgramMapTable)、电子节目单EPG（ElectronicProgramGuide）以及预约录像等的事件信息表EIT(EventInformationTable),用于集成服务数字广播ISDB(IntegratedServiceDigitalBroadcasting)的信息数据…