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151.
掺铝氧化锌(AZO)导电薄膜的研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
综述透明导电薄膜的性能、种类、制备工艺、研究及应用状况,重点讨论掺铝氧化锌(AZO)薄膜的结构、导电机理、光电性能和当前的研究焦点。并指出,为了进一步提高透明导电薄膜的性能,应从以材料选择、制备工艺、多层膜光学设计等方面深入研发,以满足尖端技术的需要。 相似文献
152.
153.
DDI法测薄膜光学常数 总被引:1,自引:0,他引:1
双光束双波长激光干涉(DDI)法采用自行设计的可调双波长氦氖激光器作光源,可在同一光路中通过两次测量获得薄膜样品两个波长(0.633μm,3.39μm)下的光学常数,即折射率、消光系数和厚度。论述了测量原理、测量装置和测量结果。 相似文献
154.
本文研究了用金属有机物热发解法制备PLT8薄膜的工艺过程和基片对薄膜结构的影响,并且给出了铁电性能的测量结果。 相似文献
155.
采用自行研制的LB自动提膜装置,制备出大面积(10×8cm2)、高质量的PMMA超薄抗蚀剂膜,并将其用于高分辨率铬掩模版的研制。通过电子束曝光,湿法蚀刻,制作了分辨率优于0.5μm,特征线宽0.38μm的4(100mm)铬掩模版。 相似文献
156.
利用变温和变磁场霍尔测试对在空气室温环境长期存放的碲镉汞液相处延晶膜作了定期的检测,结果表明,晶膜的电学性质随时间有明显的改变,本文采用非均匀晶膜的层状模型对晶膜的不稳定性作了详细的分析。 相似文献
157.
酞菁钴薄膜的折射率及吸收特性 总被引:3,自引:1,他引:2
通过真空镀法在单晶硅片上制备了酞菁钴薄膜,在波长扫描和入射角可变全自动椭圆偏振光谱仪上研究了CoPc薄膜的椭偏光谱并分析了其电子结构。 相似文献
158.
金属迁移能导致混合微电路发生灾难性失效。本文介绍一种简单易行的测试方法-水滴试验法,来测量厚膜电路的实际金属迁移率。用引方法测量时,发现Pd-Ag导体的迁移率最大,Pt-Au导体的金属迁移率最小。 相似文献
159.
K. M. A. Salam Hidekazu Konishi Masahiro Mizuno Hisashi Fukuda Shigeru Nomura 《Applied Surface Science》2002,190(1-4):88-95
Polycrystalline (1−x)Ta2O5−xTiO2 thin films were formed on Si by metalorganic decomposition (MOD) and annealed at various temperatures. As-deposited films were in the amorphous state and were completely transformed to crystalline after annealing above 600 °C. During crystallization, a thin interfacial SiO2 layer was formed at the (1−x)Ta2O5−xTiO2/Si interface. Thin films with 0.92Ta2O5–0.08TiO2 composition exhibited superior insulating properties. The measured dielectric constant and dissipation factor at 1 MHz were 9 and 0.015, respectively, for films annealed at 900 °C. The interface trap density was 2.5×1011 cm−2 eV−1, and flatband voltage was −0.38 V. A charge storage density of 22.8 fC/μm2 was obtained at an applied electric field of 3 MV/cm. The leakage current density was lower than 4×10−9 A/cm2 up to an applied electric field of 6 MV/cm. 相似文献
160.
Nguyen Hoa Hong Joe Sakai Ngo Thu Huong Virginie Brizé 《Journal of magnetism and magnetic materials》2006
Laser-ablated Co-doped In2O3 thin films were fabricated under various growth conditions on R-cut Al2O3 and MgO substrates. All Co:In2O3 films are well-crystallized, single phase, and room temperature ferromagnetic. Co atoms were well substituted for In atoms, and their distribution is greatly uniform over the whole thickness of the films. Films grown at 550 °C showed the largest magnetic moment of about 0.5 μB/Co, while films grown at higher temperatures have magnetic moments of one order smaller. The observed ferromagnetism above room temperature in Co:In2O3 thin films has confirmed that doping few percent of magnetic elements such as Co into In2O3 could result in a promising magnetic material. 相似文献