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41.
An experimental way to analyze the thermal characterization of semiconductor lasers based on spectroscopy method under pulse driving conditions has been developed. By using this way the thermal characteristics of strain compensated 1.3 μm InAsP/InGaAsP ridge waveguide MQW laser diodes have been investigated. Results show that by measuring and analyzing the lasing spectra under appropriate driving parameters and temperature ranges, the thermal resistance of the laser diodes could be deduced easily. A higher thermal resistance of 640 K/W has been measured on a narrow ridge laser chip without soldering. Other thermal and spectral properties of the lasers have also been measured and discussed.  相似文献   
42.
红外热成象技术可以有效地用于股骨头坏死疾病的诊断和针刺治疗效果的评价,效果优于其它常规方法。  相似文献   
43.
本文报导了LEC法半绝缘砷化镓单晶中含碳量对SI-GaAs热稳定性的影响。在800℃以上退火,发现当晶体中C含量大于1.5×10~(16)cm~(-3)时,SI-GaAs的热稳定性变差;而C含量小于5×10~(15)cm~(-3)时,通常表现出良好的热稳定性。  相似文献   
44.
本征吸除硅片特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文描述硅本征吸杂片的特性参数,如吸除区宽度、洁净度,氧沉淀密度、MOS电容寿命,介绍了表面态密度及残余间隙氧浓度的检测方法和工艺对参数的影响及参数之间的内在联系,文章还实验论证了不同参数水平对器件成品率的影响,建立了以MOS电容寿命为主导的参数控制方法,利用本文提供的控制参数,可使CCD-512器件成品率达60%,以上优品率≥85%。  相似文献   
45.
An analysis of the thermodynamics of epitaxy in thin films is presented which includes the effects of the surface stresses of the free surface and the film-substrate interface. It is shown that these effects, which are usually ignored in the theory of epitaxy, can have a major influence on both the critical thickness for epitaxy and on the partitioning of the misfit strain between the volume elastic strain and interface dislocations.  相似文献   
46.
热等离子体裂解天然气制备C2烃   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用氮气热等离子体来裂解天然气制备乙炔乙烯,着重研究了天然气转化率和乙炔、乙烯收率随氮气流量和天然气流量的变化.结果表明,天然气流量与氮气流量之比为11时,可得到较好的结果.当等离子体功率为15kW、天然气流量为3Nm3*h-1、氮气流量为3Nm3*h-1时得到最好的结果.这时天然气转化率为57%,乙炔、乙烯的收率分别为34%和9%;乙炔在反应气中的体积浓度为7.5%,与部分氧化法相似;扣除不参加反应的氮气,乙炔在气相产品中的体积浓度为13.2%,与热力学平衡计算结果基本符合.  相似文献   
47.
Level shift operators describe the second-order displacement of eigenvalues under perturbation. They play a central role in resonance theory and ergodic theory of open quantum systems at positive temperatures. We exhibit intrinsic properties of level shift operators, properties which stem from the structure of open quantum systems at positive temperatures and which are common to all such systems. They determine the geometry of resonances bifurcating from eigenvalues of positive temperature Hamiltonians and they relate the Gibbs state, the kernel of level shift operators, and zero energy resonances. We show that degeneracy of energy levels of the small part of the open quantum system causes the Fermi Golden Rule Condition to be violated and we analyze ergodic properties of such systems.  相似文献   
48.
49.
The thermal stability and measurement temperature dependence of Schottky contact characteristics on n-GaN using a W2B5/Ti/Au metallization scheme was studied using current-voltage (I-V), scanning electron microscopy (SEM) and Auger electron spectroscopy (AES) measurements. The elemental profile obtained from samples annealed at 350 °C showed some titanium diffusion into the gold layer but little other difference from the as-deposited wafer. Annealing at 700 °C produced significant diffusion of titanium. The Schottky barrier height increased with anneal temperature up to 200 °C, reaching a maximum value of 0.65 eV, but decreased at higher annealing temperatures. The reverse breakdown voltage from diodes fabricated using the W2B5-based contacts showed a similar dependence. The reverse current magnitude was larger than predicted by thermionic emission alone. The barrier height showed only minor changes with measurement temperature up to 150 °C.  相似文献   
50.
Munshi G. Mustafa 《Pramana》2006,66(4):669-687
We briefly introduce the thermal field theory within imaginary time formalism, the hard thermal loop perturbation theory and some of its applications to the physics of the quark-gluon plasma, possibly created in relativistic heavy-ion collisions  相似文献   
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