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91.
Yong Seob Park 《Journal of Non》2011,357(3):1096-1100
In this work, we describe the characteristics of zinc-oxide (ZnO) thin films synthesized on Si (001) and Corning (7059) glass substrates by unbalanced magnetron (UBM) sputtering under various ZnO film thicknesses and RF powers. We investigated the characteristics of ZnO films' structural, optical, and electrical properties with various film thicknesses and RF powers for the active channel in a thin film transistor (TFT). We used the UBM sputtering system for high rate deposition of ZnO films. The ZnO film surface was rough and the grain size of the film increased with increasing RF power and film thickness. The electrical properties improved with the increase of RF power and film thickness. These results can be explained by the improvement of the crystallinity in the ZnO film related to the grain size increase with increasing RF power and ZnO film thickness. 相似文献
92.
对微晶硅薄膜晶体管,尤其对底栅型晶体管,在衬底和晶化层间存在一层非晶相起始层,这将严重影响器件性能.文中采用降低硅烷浓度的方法简便有效地减薄了用超高频化学气相法直接沉积的微晶硅薄膜起始层的厚度,得到起始层厚度小于20nm的微晶硅薄膜.在硅烷浓度为2%的条件下采用四版工艺制备了具有Al/SiNx/μc-Si/n+-μc-Si/Al结构的底栅微晶硅TFT,其开关比(Ion/Ioff)达到106,场效应迁移率为0.7cm2/(V·s),阈值电压为5V左右. 相似文献
93.
94.
简要描述基于PLC数据监控系统的硬件构成、工作原理、软件设计及电磁兼容措施,并介绍其实际使用效果。 相似文献
95.
电流模式Poly-Si TFT AM-OLED像素单元的模拟设计 总被引:1,自引:1,他引:0
模拟和分析了作为电流模式多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)有源矩阵有机发光二极管(AM-LOED)像素单元的poly-Si TFT/OLED耦合对的J-V特性和poly-Si TFT电流镜的I-V特性。使用Mathcad数学计算软件和AIM-SPICE电路模拟工具,分别对OLED和TFT耦合对和TFT电流镜进行了模拟计算。理论上,采用电流模式的poly-Si TFT AM-OLED可以解决器件间的不一致性问题。无论迁移率的不一致还是阈值电压Vth的差异都可以被补偿,从而使灰度的一致性得以改善。因为采用了倒置的OLED结构,可以用N型poly-Si TFT作为电流阱来驱动OLED,所以像素的性能进一步优化。结果表明,poly -Si TFT/OLED耦合对的驱动电压低,在200A/m^2下不超过8V;而TFT电流镜的跟随能力很好,在0.0~2.5μA时饱和电压只有1.5~2.5V。 相似文献
96.
97.
S3C2440A驱动RGB接口TFT LCD的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了一款较典型的TFI型液晶屏的接口时序和逻辑要求,设计了嵌入式微处理器S3C2440A与该款带触摸屏功能的TFT LCD模组的接口电路,基于嵌入式Linux系统开发驱动程序,完成了RGB接口显示参数设置、图形界面显示调整及触摸屏控制等功能,实现了系统清晰、稳定的显示.实验表明,该方案通用性好,可以驱动不同分辨率的TFT LCD并提供显示与触摸控制功能;可移植性强,可以为各种嵌入式系统提供一个驱动TFT LCD的完整解决方案. 相似文献
98.
99.
100.
TFT LCD技术的进步 总被引:20,自引:10,他引:10
叙述近年来TFTLCD品质的改善和技术进步以及信息系统集成在TFTLCD屏上的新技术。 相似文献