压接型IGBT器件单芯片子模组功率循环试验仿真

压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件因具有双面散热、短路失效和易于串联等优点,正逐步应用到柔性直流输电等领域.但其在工作过程中的热学、力学特性与传统焊接式IGBT模块相比有很大差异,故存在不同的长期可靠性问题.基于有限元法建立了压接型IGBT器件单芯片子模组多物理场耦合仿真模型,研究了三种功率循环仿真条件下器件的热学和力学特性,并且在功率循环过程中利用金属弹塑性模型来模拟材料的瞬态特性.仿真结果表明,IGBT芯片发射极表面与发射极钼片相接触的边缘是应力集中区域,芯片发射极表面栅极缺口和四周边角处有明显的塑性变形.同时,将仿真结果与实际失效的IGBT芯片进行了对比,进一步验证了仿真模型的有效性和适用性.     

Investigation on interracial and electrical properties of Ge MOS capacitor with different NH3-plasma treatment procedure

The effects of different NH3-plasma treatment procedures on interracial and electrical properties of Ge MOS capacitors with stacked gate dielectric of HfTiON/TaON were investigated.The NH3-plasma treatment was performed at different steps during fabrication of the stacked gate dielectric,i.e.before or after interlayer (TaON)deposition,or after deposition ofhigh-k dielectric (HfTiON).It was found that the excellent interface quality with an interface-state density of 4.79 × 1011 eV-1cm-2 and low gate leakage current (3.43 × 10-5 A/cm2 at Vg =1 V) could be achieved for the sample with NH3-plasma treatment directly on the Ge surface before TaON deposition.The involved mechanisms are attributed to the fact that the NH3-plasma can directly react with the Ge surface to form more Ge-N bonds,i.e.more GeOxNy,which effectively blocks the inter-diffusion of elements and suppresses the formation of unstable GeOx interfacial layer,and also passivates oxygen vacancies and dangling bonds near/at the interface due to more N incorporation and decomposed H atoms from the NH3-plasma.     

深亚微米槽栅PMOSFET 特性研究

基于流体动力学能量输运理论，对槽栅PMOSFET器件的端口特性进行了仿真研究，包括栅极特性、漏极驱动能力和抗热载流子性能等。仿真结果表明，与平面器件相比，槽栅结构很好地抑制了短沟道效应和漏感应势垒降低效应，并具有较好的抗热载流子性能，但其漏极驱动能力低于平面器件，并从内部物理机制上解释了上述区别。     

单沟道传输门绝热触发器和相对绝热计算原理

该文从动态功耗在工程上有界限的观点出发,讨论单沟道传输门的相对绝热计算原理。在此基础上设计单沟道和双沟道传输门动态绝热锁存器,使其保存信息时,存储介质与外界隔离。将两种绝热锁存器进行比较、分析,并用计算机模拟程序检验其结果。     

新型槽栅nMOSFET热载流子效应的模拟研究

应用二维器件仿真程序 PISCES- ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较 ,讨论了槽栅结构 MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响。槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,而此种结构对热载流子的敏感 ,使器件的亚阈值特性、输出特性变化较大     

Al2O3高k栅介质的可靠性

利用反应溅射方法制备了等效氧化层厚度为3．45nm的Al2O3栅介质MOS电容，研究了Al2O3作为栅介质的瞬时击穿和恒压应力下的时变击穿等可靠性特征．击穿实验显示，样品的Al2O3栅介质的等效击穿场强大小为12.8MV／cm.在时变击穿的实验中，Al2O3栅介质表现出类似于SiO2的软击穿现象．不同栅压应力作用的测试结果表明，介质中注入电荷的积累效应是引起软击穿的主要因素，其对应的介质击穿电荷QBD约为30～60C／cm^2．     

流水线技术在高速数字电路设计中的应用

流水线技术是设计高速数字电路的一种最佳选择之一，对其实现原理作了较形象的阐述。针对加法器在DSP中的重要作用，对流水线加法器中流水线技术的应用作了较深入的说明。同时，对流水线技术中引入寄存器事项也作了较全面的阐述。     

数字电视中的频域频率同步技术

提出了一种宽带数字电视地面广播（BDB-T）系统的同步解决方案，重点研究了频域中的频率同步部分，通过对各种算法的仿真分析比较，给出易于实现、节省资源的频域频率同步算法并完成了相应的FPGA硬件电路设计，经BDB—T功能样机在实际无线环境中的传输测试，证明了算法及其电路的良好实际工作性能。     

基于FPGA的自适应旁瓣对消原理及其实现

自适应旁瓣对消(ASLC)是雷达抗有源干扰的有效方法。它采用空间滤波技术，通过辅助接收通道在干扰方向形成波束图的零点，实现对干扰信号的抑制。本文介绍了自适应旁瓣对消的原理，然后给出了基于FPGA的ASLC实现方案，最后通过仿真和试验结果，分析了自适应旁瓣对消的性能。     

SOI CMOS器件研究

利用0.35μm工艺条件实现了性能优良的小尺寸全耗尽的器件硅绝缘体技术(SOI)互补金属氧化物半导体(FD SOI CMOS)器件,器件制作采用双多晶硅栅工艺、低掺杂浓度源/漏(LDD)结构以及突起的源漏区。这种结构的器件防止漏的击穿,减小短沟道效应(SCE)和漏感应势垒降低效应(DIBL);突起的源漏区增加了源漏区的厚度并减小源漏区的串联电阻,增强了器件的电流驱动能力。设计了101级环形振荡器电路,并对该电路进行测试与分析。根据在3V工作电压下环形振荡器电路的振荡波形图,计算出其单级门延迟时间为45ps,远小于体硅CMOS的单级门延迟时间。