新型双间隙虚阴极振荡器的理论分析和数值模拟

 该新型双间隙虚阴极振荡器的互作用区为一带孔金属薄膜隔开的两个圆柱形谐振腔;器件采用侧向提取同轴输出的方法,具有输出效率高和输出模式纯的优点;第一阳极薄膜采用了局部薄膜结构。对互作用腔进行冷腔分析,计算得到互作用腔Ⅰ和Ⅱ的品质因子分别为6 960和71.8,共振频率为2.3 GHz。当电子束电压为515 kV、电流为10 kA时,通过参数优化,模拟得到周期平均峰值功率大于570 MW、频率约2.4 GHz的微波输出,效率达到11%。模拟还发现电子束的最佳阻抗值约为51.5 W;电子束的输入功率在较大范围内变化时,器件的输出效率保持大于10%;在一定的范围内,器件的输出效率随电子束密度的增加而增加。对器件中由于电子能量沉积而引起的阳极膜的温升进行了估算,得到膜的最高温度为434 K,远低于熔点933 K。     

高温铝等离子体X光发射谱实验

 在神光-Ⅱ高功率激光装置上,以束匀滑的第九路钕玻璃二倍频激光均匀辐照薄层铝埋点靶,通过激光烧蚀作用产生较均匀的铝高温等离子体,用平面晶体谱仪在靶面前向和切向同时测量了X光发射谱信号,并将前向发射谱进行了定量化还原处理。利用辐射流体力学程序MULTI-1D首先对等离子体状态进行了模拟计算,然后采用基于碰撞辐射模型的光谱程序对该状态下的光谱开展了计算,并将实验测量光谱与理论计算光谱进行了比较和分析,符合得较好。     

激光驱动飞片的线面成像VISAR测速技术

以激光驱动飞片速度场诊断为例,展示线面同时成像任意反射面速度干涉仪（VISAR）技术在超高速碰撞研究中的应用前景。将传统VISAR改为成像干涉结构,用变像管扫描相机和高速光电分幅相机分别记录作为信号载体的梳状干涉条纹随时间的变化,实现靶面一条线上各点速度历程和多个时刻二维靶面上所有点速度相对分布的测量。所研制的线面同时成像VISAR具有10 m的空间分辨和约15 m/s的速度分辨能力。用其测量了激光驱动铝膜飞片的速度场,直观给出飞片的演化发展过程。实验结果表明,线面同时成像VISAR技术可以为激光驱动飞片、超高速碰撞等领域的理论研究和数值模拟提供有效比对实验数据。     

10μm级聚酯薄膜介质电临界击穿场强初步研究

分析了聚酯薄膜电击穿可能的模型,如本征击穿模型和电一机械击穿模型,估算了两种模型下常用聚合物介质的临界击穿场强。实验研究了平板电极结构下10μm级聚酯薄膜的自击穿电压,得出了聚酯薄膜的临界击穿场强450-500kV／mm。实验结果与理论计算值比较表明：本征击穿模型下的聚酯薄膜临界击穿场强都远小于实验结果,电～机械击穿模型下聚酯薄膜临界击穿场强大于实验结果。     

新型双间隙虚阴极振荡器的理论分析和数值模拟

该新型双间隙虚阴极振荡器的互作用区为一带孔金属薄膜隔开的两个圆柱形谐振腔;器件采用侧向提取同轴输出的方法,具有输出效率高和输出模式纯的优点;第一阳极薄膜采用了局部薄膜结构。对互作用腔进行冷腔分析,计算得到互作用腔Ⅰ和Ⅱ的品质因子分别为6 960和71.8,共振频率为2.3 GHz。当电子束电压为515 kV、电流为10 kA时,通过参数优化,模拟得到周期平均峰值功率大于570 MW、频率约2.4 GHz的微波输出,效率达到11%。模拟还发现电子束的最佳阻抗值约为51.5 W;电子束的输入功率在较大范围内变化时,器件的输出效率保持大于10%;在一定的范围内,器件的输出效率随电子束密度的增加而增加。对器件中由于电子能量沉积而引起的阳极膜的温升进行了估算,得到膜的最高温度为434 K,远低于熔点933 K。     

电子束激励KrF激光放大器稳定运行的重要技术问题

介绍了用于天光一号高功率氟化氪(KrF)准分子激光系统中的电子束双向激励主放大器稳定运行中必须解决的一些重要技术问题：水介质脉冲传输线中的绝缘支撑击穿问题;大面积电子束二极管阳极膜的安装;与压力膜接触处Hibachi筋的形状;二极管后脉冲的形成及其对阳极膜和阴极发射体造成的损害等问题。还着重描述了主开关导通时刻对二极管后脉冲的影响及最佳导通时刻的确定。     

电解电容器高压阳极用高纯铝箔织构研究

采用蚀坑法、EBSD微观取向分析法,研究了电解电容器高压阳极用高纯铝箔制备过程中的织构演变。结果表明:热轧高纯铝板织构主要类型是高斯织构、立方织构和铜织构。随着冷轧变形率的增加,冷轧织构中的立方织构含量增加,冷轧变形率为96.3%时,立方织构体积分数为14%。再结晶织构中的立方织构含量随再结晶退火温度的增加而增加,再结晶退火温度为530℃时,立方织构体积分数为86%。     

多种X光激光靶的研究

X光激光靶是X光激光实验重要组成部分。针对不同X光激光打靶方案,开展多种X光激光靶的制备和参数测量,为一系列成功的X光激光实验提供了优质的X光激光靶。     

Can a Procedure for the Growth of Single-layer Graphene on Copper be used in Different Chemical Vapor Deposition Reactors?

In the last decade, catalytic chemical vapor deposition (CVD) has been intensively explored for the growth of single-layer graphene (SLG). Despite the scattering of guidelines and procedures, variables such as the surface texture/chemistry of catalyst metal foils, carbon feedstock, and growth process parameters have been well-scrutinized. Still, questions remain on how best to standardize the growth procedure. The possible correlation of procedures between different CVD setups is an example. Here, two thermal CVD reactors were explored to grow graphene on Cu foil. The design of these setups was entirely distinct, one being a “showerhead” cold-wall type, whereas the other represented the popular “tubular” hot-wall type. Upon standardizing the Cu foil surface, it was possible to develop a procedure for cm²-scale SLG growth that differed only by the carrier gas flow rate used in the two reactors.     

新型介质夹持杆薄膜衰减器Nb2O5的制备

采用高效磁控溅射连续镀膜技术,在介质夹持杆上溅射Nb膜,然后在真空室里放入O2对膜层进行氧化,得到Nb2O5膜层,用测量电阻来控制膜层厚度,即可制备各种膜系.所得到的膜层具有密度高、吸收大、热稳定性好等优点.