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71.
箔式聚丙烯电容器在高温负荷及整机使用时易击穿。为了改善箔式电容器的抗电性能,对切割、卷绕、热压、焊接和浸渍工艺进行了研究。结果表明:切割时应尽量消除铝箔毛刺,卷绕时毛刺应卷在芯子端面,热压压强取5.88MPa,焊接时控制引线间距,浸渍应在真空度为–0.09MPa时进行。 相似文献
72.
73.
文章就溅镀作为种子层在FR-4(高Tg)材料上进行了初步的研究,发现:不同的溅镀条件对线路剥离强度较大的影响,只有在适当的溅镀条件时才能达到良好的结合力。 相似文献
74.
75.
优化超声变幅杆的形状结构可有效地提高水域声场分布和空化区域,提升对水域超声空化效果。通过模拟分析发现传统超声变幅杆在水域中具有声场分布均匀性差、变幅杆端部声压高等特征,不利于声波在水域中传播。基于此,提出并优化设计了一种具有碟形结构的变幅杆,位于变幅杆的最大振幅处的碟形结构,有更大的振动位移;模拟表明其水域声场和声压均衡度显著优于传统变幅杆,铝箔空化腐蚀实验进一步证实了其水域中的声压分布均匀性。同时,实验通过铝箔的空化腐蚀、KI剂量测定及工件表面油渍去除对比了传统变幅杆和碟形变幅杆,分析表明碟形变幅杆所在水域中有较大的空化腐蚀区域,腐蚀速率明显提升,声化学反应速率提高,油渍去除程度增强,说明了设计的碟形变幅杆能够促进空化泡的产生,增加水域空化区域。 相似文献
76.
聚酰亚胺微刻蚀加工工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了RIE刻蚀聚酰亚胺的刻蚀速率、刻蚀表面粗糙度与不同加工工艺参数(包括射频功率、腔室压力、刻蚀气体成分等)之间的相互关系。刻蚀速率与射频功率、腔室压力都呈线性关系,与气体成分的关系是低SF6含量时呈线性,高SF6含量时出现饱和。刻蚀面的粗糙度几乎不受腔室压力的影响,而射频功率高于300 W和低SF6含量时粗糙度会急剧上升。采用腔室压力40 Pa、功率275 W、O2流量80 cm3/min、SF6流量20 cm3/min,通过RIE刻蚀获得了深度为39.5μm的微腔结构,为形成柔性基底空腔以及上悬结构等提供了技术基础。此外,对柔性基底固定技术进行了研究,提出了一种有效固定聚酰亚胺膜的新工艺方法。 相似文献
77.
高压电极铝箔腐蚀孔洞模型的探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
利用SEM、TEM观测了高压腐蚀铝箔表面和横截面的形貌,介绍了3种高压电极铝箔的腐蚀孔洞模型:圆孔、方孔、条状凹槽;通过对当前市场上国内、日本的高压高比容电极箔腐蚀孔洞的实际形貌特征进行对比分析,发现:具有实际意义的理想腐蚀孔洞应当具有介于条状凹槽和圆孔之间的形状;通过改进电蚀技术来提高高压电子铝箔的比电容还有相当大的空间;在电蚀过程中抑制簇状并孔发生并促进线状并孔发生以使得腐蚀孔洞呈现条状沟槽形状是今后高压电极箔制造技术的改进与发展方向之一。 相似文献
78.
Study of wetting reaction between eutectic AuSn and Au foil 总被引:1,自引:0,他引:1
Wetting reactions between eutectic AuSn solder and Au foil have been studied. During the reflow process, Au foil dissolution
occurred at the interface of AuSn/Au, which increases with temperature and time. The activation energy for Au dissolution
in molten AuSn solder is determined to be 41.7 kJ/mol. Au5Sn is the dominant interfacial compound phase formed at the interface. The activation energy for the growth of interfacial
Au5Sn phase layer is obtained to be 54.3 kJ/mol over the temperature range 360–440°C. The best wettability of molten AuSn solder
balls on Au foils occurred at 390°C (wetting angle is about 25°). Above 390°C, the higher solder oxidation rate retarded the
wetting of the molten AuSn solder. 相似文献
79.
80.