艾默生TD3300变频器在铝箔制造业中的改造

本文介绍了艾默生TD3300变频器在大连黄海铝加工厂铝箔生产线上的应用情况，采用张力开环控制方式，系统的构成等，重点介绍了铝箔生产线张力开环控制系统的调试过程，所遇到的问题及解决的方法。     

Use of tin as a surfactant material for the growth of thin silver films on silicon oxide

In this letter, we report on the use of tin as an effective surfactant material for silver growing on silicon oxide. We observed that submonolayers of Sn pre-deposited on SiO₂ result in earlier film coalescence and formation of smoother Ag layers. We suggest that Sn atoms reduce the Ag-adatom mobility resulting in experimentally observed increased island density and decreased film roughness. Angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy reveals that Sn remains under the Ag layer giving circumstantial evidence that at later stages of Ag film growth Sn does not influence the interlayer transport.     

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给出了氦冷却固体增殖剂中子学和产氚包层模块(NT-TBM-HCSB)聚变中子诊断的初步设计,提出了用固定或可移动位置微型裂变室探测器和可移动封装薄箔活化分析系统测量中子倍增器之后、固体氚增殖剂中及其后的中子通量;用可移动天然金刚石探测器的紧凑型能谱仪测量中子能谱。此诊断系统可用于中子倍增器的倍增效率,氚增殖层的增殖率与热核实验聚变堆的运行参数、加热和加料方式、磁流体不稳定性、能量约束以及大破裂等离子体参数和状态之间的工程和物理相关关系的实验研究,测量倍增层、氚增殖包层及其后进入屏蔽层的中子通量和能谱,并与MCNP计算相比较,优化和改进中子倍增器、氚增殖包层以及屏蔽层设计,提高氚增殖率。     

低压电子铝箔耐蚀性的研究与应用

采用对比实验,研究了腐蚀工艺对低压电子铝箔耐蚀性的影响。当腐蚀溶液中w(HCl)为15%～25%、w(H2SO4)为10%～20%,温度为85℃,电流密度为0.40A/cm2,腐蚀时间为3min时,铝箔腐蚀效果最佳,其耐蚀性数值(腐蚀前后质量差值与原光箔质量之比)为0.70%～0.83%。该工艺可迅速准确地判断低压电子铝箔的耐蚀性,平均每个样品所花时间仅为26min。     

预处理对阳极铝箔腐蚀特性的影响

采用正交试验方法,研究了H3PO4溶液、HNO3溶液和A电解液(HCl和H2SO4组成的环保型体系)三种预处理方式分别对后道工序铝箔腐蚀发孔行为的影响。结果表明:用A电解液预处理不但易于生产控制,而且提高了铝箔产品的比容档次和质量一致性,较之H3PO4溶液、HNO3溶液处理,比容提高了2%,其离散率从9%下降到了6%,同时降低了制造成本和环保压力。     

影响Al-Ti复合氧化膜比容的工艺因素研究

用水解沉积-阳极氧化法制备高介电常数的Al-Ti复合氧化膜,研究了含钛无机盐溶液的浓度、温度、pH值处理时间,以及退火温度对Al-Ti复合氧化膜比容增长率的影响。结果表明,铝腐蚀箔在浓度为0.002mol/L、pH1.5的含钛无机盐溶液中,65℃浸渍处理10min,取出并烘干后的样品,550℃热处理10min,所制得的Al-Ti复合氧化膜比容最大。35V阳极氧化电压下,比容提高率大于30%。     

中高压铝电解电容器用电极箔腐蚀工艺研究

采用硫酸-盐酸腐蚀体系研究了中高压铝电解电容器电极箔多段腐蚀方法。通过三段腐蚀工艺和二段腐蚀工艺的比较,发现多段腐蚀能提高铝箔表面小孔成核率,减少腐蚀介质对氧化膜的进一步腐蚀,有利于小孔向纵深发展。三段腐蚀工艺制备的电极箔表面孔尺寸为0.6～1.0μm,孔深34～36μm,比容高达2.5×10–6F/cm2。     

电解电容器用铝箔现状及其发展趋势

对铝电解电容器用铝箔的现状及其发展趋势进行了概述，介绍了引进腐蚀生产线的情况、电容器铝箔的研制及质量状况。     

一种新型的透明薄膜的研究

应用的需求要求研制具有电磁屏蔽特性的透明薄膜,客观条件的限制使得这种薄膜不仅需要足够的透光性,还要具备相当的屏蔽效能.在比较现有技术的基础上,着重研究了称为“透明金属”的金属-电介质多层结构薄膜,在电磁屏蔽和光学投射两方面进行了分析设计.纳米技术的采用对制备工艺提出了更高的要求,双离子束溅射法具有优良的特性获得广泛采用.文章最后总结了最近取得的研究进展,提出以后的研究方向.     

激光功率密度对Al膜靶后表面快电子发射的影响

 报道了在20 TW皮秒激光器上完成的p偏振激光与等离子体相互作用过程中产生的快电子的角分布和能谱测量结果。实验得到：当激光功率密度小于10¹⁷ W/cm²时,电子发射没有明显定向性,在激光入射面内多峰发射;当激光功率密度大于10¹⁷ W/cm2,小于10¹⁸ W/cm²时,电子主要沿靶面法线方向发射;当激光功率密度达到相对论强度时,电子主要沿激光传播方向发射;激光功率密度未达到相对论强度时,靶后表面法线方向快电子能谱拟合平均温度符合共振吸收温度定标率;激光功率密度达相对论强度以上时,靶后表面法线方向快电子能谱拟合平均温度高于已有的温度定标率。