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71.
在SiGeHBT的制造工艺中,为了防止干法刻蚀发射极台面对外基区表面造成损伤,从而导致SiGeHBT小电流下较大漏电问题,对SiGeHBT发射极台面的湿法腐蚀技术进行了研究。通过改变超声功率、腐蚀液温度,从中获得了较为理想的腐蚀条件。  相似文献   
72.
应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
杨荣  罗晋生 《半导体学报》2003,24(9):966-971
以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGepMOS同SipMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGepMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGepMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于SipMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同SipMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGepMOS呈现穿通击穿机制  相似文献   
73.
pnp型SiGe HBT的制备研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
从pnp型Si/SiGe HBT的能带结构出发,阐述pnp型Si/SiGe HBT的较大原理,采用MBE方法生长Si/Si1-xGex合金材料,并对Si/Si1-xGex合金材料的物理特性和异质结特性进行表征,在重庆固体电子研究所工艺线上,研制出了pnp型Si/SiGe HBT器件,器件参数为:Vcb0=9V,Vcc0=2.5V,Veb0=5V,β=10。  相似文献   
74.
Si–Ge heterostructures made of 6 monolayers of Si and 4 monolayers of Ge repeated p times (Si6Ge4)p, strained on Si (1 0 0) substrates, have been investigated by photoluminescence measurements and electron microscopy. The films were grown at 400°C by molecular beam epitaxy, using Sb as surfactant. The photoluminescence results of the whole set of samples show similar spectra, for both the single Ge quantum well (p=1) and the thicker heterostructure (p=30). The phonon assisted transverse optical line is measured at about 40 meV far from the no-phonon one, and this corresponds to the Ge–Ge vibration. Our results demonstrate that excitonic recombination occurs mainly in the Ge layers and it is indirect in nature, whatever the repetition number (p) is. Furthermore, we evidenced a high localization of the photoluminescence process excluding any superperiodicity effect.  相似文献   
75.
在进行pnp型SiGe HBT的设计时,通过改变基区Ge组分改变能带结构,从而获得较高的电流增益和截止频率。本文就基区中Ge组分分布的三种形式:三角形、梯形、矩形进行计算机模拟并对结果进行讨论,发现其他条件相同时,梯形分布的pnp SiGe HBT的放大系数最大,而且梯形和三角形随Ge组分的增大而增大,但是矩形分布在Ge组分增大到一定数值后开始减小,而特征频率情况类似。  相似文献   
76.
调制掺杂层在SiGe PMOSFET中的应用   总被引:4,自引:0,他引:4  
史进  黎晨  陈培毅  罗广礼 《微电子学》2002,32(4):249-252
在普通Si器件性能模拟的基础上,详细研完了长沟应变SiGe器件的模拟,并进一步探讨了调制掺杂层的引入对器件性能(主要是跨导)的影响。在器件模拟过程中,采用隐含的SiGe材料和Si材料模型会得到与实际情况差别较大的结果。根据前人的材料研完工作,引入了插值所得的近似因子,以修正Silvaco中隐含的SiGe能带模型和迁移率参数。然后,依据修正后的模型对SiGe PMOS进行了更为精确的二维模拟,并验证了调制掺杂层的作用。  相似文献   
77.
A novel MBE-grown method using low-temperature Si technology is introduced into the fabrication of strained Si channel PMOSFETs. The thickness of relaxed Si1−xGex epitaxy layer on bulk silicon is reduced to approximate 400 nm (x=0.2). The Ge fraction and relaxation of Si1−xGex film are confirmed by DCXRD (double crystal X-ray diffraction) and the DC characteristics of strined Si channel PMOSFET measured by HP 4155B indicate that hole mobility μp has an maximum enhancement of 25% compared to similarly processed bulk Si PMOSFET.  相似文献   
78.
A 16 input and 16 output channels single chip intermediate frequency range (160 MHz) analog switch matrix for personal communication satellites has been designed and processed by using a commercial 1.2 µm BiCMOS technology. The circuit has low power consumption (,2W) and low insertion loss with maximum output power of 0 dBm.  相似文献   
79.
杨虹  张静 《微电子学》2003,33(2):166-168
文章对突变反型异质结的能带图、接触电势差和势垒区宽度进行了讨论和研究。同时,介绍了基于分子束外延(MBE)法生长的SiGe/Si结构的异质结双极晶体管(HBT)制造工艺,并给出了测试结果。  相似文献   
80.
利用SOI材料的埋层二氧化硅的自停止特性,成功制作了具有高反射底镜的共振腔增强型SiGe探测器.底镜沉积于EPW腐蚀液腐蚀形成的背孔内,在1.2~1.5μm范围内,反射率高达99%.探测器的共振峰在1.344μm,光响应为1.2mA/W.与普通结构的探测器相比,文中所报道的探测器光响应有8倍的增强.  相似文献   
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