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72.
应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性 总被引:1,自引:0,他引:1
以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGepMOS同SipMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGepMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGepMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于SipMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同SipMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGepMOS呈现穿通击穿机制 相似文献
73.
74.
N. Pinto F. Tombolini R. Murri M. De Crescenzi M. Casalboni G. Barucca G. Majni 《Journal of luminescence》1998,80(1-4):509-513
Si–Ge heterostructures made of 6 monolayers of Si and 4 monolayers of Ge repeated p times (Si6Ge4)p, strained on Si (1 0 0) substrates, have been investigated by photoluminescence measurements and electron microscopy. The films were grown at 400°C by molecular beam epitaxy, using Sb as surfactant. The photoluminescence results of the whole set of samples show similar spectra, for both the single Ge quantum well (p=1) and the thicker heterostructure (p=30). The phonon assisted transverse optical line is measured at about 40 meV far from the no-phonon one, and this corresponds to the Ge–Ge vibration. Our results demonstrate that excitonic recombination occurs mainly in the Ge layers and it is indirect in nature, whatever the repetition number (p) is. Furthermore, we evidenced a high localization of the photoluminescence process excluding any superperiodicity effect. 相似文献
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77.
Ding-Lei Mei Jing-chun Li Jing Zhang Wan-jing Xu Kai-zhou Tan Mo-hua Yang 《Microelectronics Journal》2004,35(12):969-971
A novel MBE-grown method using low-temperature Si technology is introduced into the fabrication of strained Si channel PMOSFETs. The thickness of relaxed Si1−xGex epitaxy layer on bulk silicon is reduced to approximate 400 nm (x=0.2). The Ge fraction and relaxation of Si1−xGex film are confirmed by DCXRD (double crystal X-ray diffraction) and the DC characteristics of strined Si channel PMOSFET measured by HP 4155B indicate that hole mobility μp has an maximum enhancement of 25% compared to similarly processed bulk Si PMOSFET. 相似文献
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Markku Åberg Arto Rantala Helena Pohjonen 《Analog Integrated Circuits and Signal Processing》1998,15(2):143-151
A 16 input and 16 output channels single chip intermediate frequency range (160 MHz) analog switch matrix for personal communication satellites has been designed and processed by using a commercial 1.2 µm BiCMOS technology. The circuit has low power consumption (,2W) and low insertion loss with maximum output power of 0 dBm. 相似文献
79.
文章对突变反型异质结的能带图、接触电势差和势垒区宽度进行了讨论和研究。同时,介绍了基于分子束外延(MBE)法生长的SiGe/Si结构的异质结双极晶体管(HBT)制造工艺,并给出了测试结果。 相似文献
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