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131.
采用0.35μmSiGeBiCMOS工艺设计了一个1∶2分接器,核心电路单元采用经过改进的电路结构实现。由于传统的发射极耦合逻辑结构(ECL)电路的工作速度不能达到要求,对此加以了改进,在发射极耦合逻辑结构中增加一级射极跟随器,形成发射极-发射极耦合逻辑(E2CL)结构,从而提高电路的工作速度。测试结果显示,所设计分接器的工作速度可以达到40Gb/s。整个电路采用单电源5V供电,功耗为510mW。 相似文献
132.
为了满足高性能开关电源中集成运放的应用需要,设计了一种结构简单且具有轨对轨输出的运算放大器.该运放基于0.5μm BiCMOS 工艺,采用浮动输出的输入信号适配器(ISAFO),将输入信号放大至差分输入级的工作区域,从而实现了轨对轨的运行.对所设计的运放进行了仿真分析,结果表明在工作电源电压为±0.75 V、外接100 kΩ电阻的条件下,该运放的直流开环增益达到了102 dB,单位增益-带宽为6.35 MHz,相位裕度为62.5°,而功耗仅约为150 μW.所设计的运放具有很宽的共模输入范围及较高的增益,所以特别适用于开关电源的误差放大器、过流、过压和过热保护模块中. 相似文献
133.
一种多模多频无线收发器前端SiGe BiCMOS低噪声放大器 总被引:1,自引:0,他引:1
基于IBM 0.18μm SiGe BiCMOS工艺,提出了一种应用于2.4~2.5GHz 802.11b/g频段的低噪声放大器(LNA).电路采用全差分发射极电感负反馈共射共基(Cascode)结构,对称电感有效地降低了芯片面积,优化了电路性能.仿真结果表明:该电路在2.4 GHz到2.5 GHz频率范围内,增益(S21)达到25 dB,噪声系数(NF)小于1.5 dB,大幅度提高了收发机系统的性能.此外,输入和输出匹配(S11,S22)分别达到-15 dB,1 dB压缩点大于-25 dBm.电源电压为2.5 V时电路总电流为3 mA. 相似文献
134.
一种新型热关断电路的设计 总被引:3,自引:1,他引:2
提出了一种新型BiCMOS过热关断电路.该电路结构简单、功耗较低、迟滞温度范围基本保持不变,可集成在电源管理芯片中作为过热保护模块使用.采用0.6,um BiCMOS工艺,对电路进行HSPICE仿真,结果表明:该电路对电源电压有很强的抑制比,可用于2~12 V电源电压. 相似文献
135.
Junya Matsunami Mitsuaki Ooya Tohru Okamoto 《Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures》2006,34(1-2):248
We report electrically detected electron spin resonance (ESR) measurements of a high mobility two-dimensional (2D) electron system formed in a Si/SiGe quantum well, with millimeter wave in a high magnetic field . The negative ESR signal observed under an in-plane magnetic field gives direct evidence that the spin polarization leads to a resistance increase in the 2D metallic state. Suppression of spin decoherence was observed in the quantum Hall state at the Landau level filling factor ν=2. Strength of the nuclear magnetic field in the resonance is evaluated to be less than , much smaller than that reported for GaAs/AlGaAs heterostructures. 相似文献
136.
137.
采用IBM公司刚刚推出试用的0.35μm SiGe BiCMOS开发性工艺5PAe设计并实现了一个2GHz功率放大器. 该放大器采用两级单端结构,除集电极扼流电感外,其余元件全部片上实现,具有集成度高、结构简单的特点. 通过在管子基极和匹配电感中串联电阻,实现了全频段稳定. 键合测试表明,在所有电源电压下电路均能稳定工作. 在VC=3.5V, VB=6V, f=2.0GHz时,小信号增益为20.8dB,输入输出反射系数分别小于-17和-16dB, Pout-2dB约为24dBm. 而在输出功率为25.1dBm时,功率附加效率达到21.5%,二次和三次谐波分别小于-45和-52dBc,因而具有较好的线性度. 相似文献
138.
Li-Wen Lai Hsin-Ying Lee Jun-Hung Cheng Ching-Ting Lee 《Journal of Electronic Materials》2008,37(2):167-171
SiGe films deposited by conventional plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) were compared with microcrystalline
SiGe (μc-SiGe) films deposited at a low temperature using a laser-assisted plasma-enhanced chemical vapor deposition (LAPECVD).
In the LAPECVD system, a CO2 laser was used to assist the pyrolytic decomposition of SiH4 and GeH4 reactant gases. The μc-SiGe structure was identified using electron diffraction patterns from high-resolution transmission
electron microscopy images. Microcrystalline SiGe films were analyzed using various measurements. 相似文献
139.
140.
Ankit Kashyap 《Microelectronics Journal》2008,39(12):1770-1773
Two new germanium profiles, graded double box (GDB) and graded step box (GSB), are considered in the base region for an n-p-n silicon-germanium heterojunctions bipolar transistors (SiGe HBTs). Their effects on the performance of the HBT-based common emitter amplifier circuit are investigated so as to predict the behavior of analog circuits in the high-frequency region. An analytical model of an n-p-n SiGe HBT with uniform impurity doping in the base is described, and used to extract SPICE parameters for the devices based on GDB and GSB as well as other two accepted profiles i.e. box and triangular profiles. The frequency response, current gain roll-off and gain-bandwidth product of HBT-based common emitter amplifier circuit for all the four profiles have been compared and contrasted. 相似文献