一种多输入队ATM交换结构

本文提出一种多输入排队ＡＴＭ交换结构和相应的输出冲突解决方法，它可以使交换网络避免输入队固有的排头阻塞，从而使网络在不增加运行速率的情况下，可达到输出排队的性能。文中介绍了冲突解决办法及其实现技术，说明它可方便地在高速网中实现。     

Studies on Three—electrode Semiconductor Lasers

Using the ray trace method,three-section semiconductor lasers are studied .An analytic expression of output power for the three-section semiconductor lasers is derived for the first time.Frome this expression,threshold condition is also obtained.     

锥形有源条半导体光放大器增益和饱和特性分析

以行波半导体光放大器速度方程为基础，采用传输矩阵方法，对锥形结构半导体光放大器的增益和饱和特性进行理论研究。讨论了不同锥形长度，不同结构时的增益和饱和特性差异。理论研究表明，锥形结构能改善半导体光放大器的偏振灵敏度。在同一锥度下，长锥形长度能提高饱和增益，降低偏振度。在进行半导体光放大器有源条结构设计时要综合考虑锥度及锥形长度的影响，以实现结构优化 。     

无源微波遥感用于地震预报的实验研究

对无源微波遥感用于地震预报在理论研究的基础上对不同岩性不同结构的岩石试件进行了加载实验，测量了岩石试件的微波辐射随载荷的变化．实验得出：岩石试件的微波辐射能量随岩石应力状态变化而显著变化；而且，不同的波段变化的幅度不同；同一波段不同极化方式的波随应力变化的变化量也不同；微波辐射能量的变化能够被卫星微波遥感探测器探测到．实验还发现，岩石试件临破裂前出现明显的微波辐射异常．     

Determination of generation lifetime fromC-t transients under linear voltage ramp bias

When a linear voltage ramp is applied to the gate of a MOS capacitor, a capacitancetime (C-t) transient is observed. The MOS capacitor is biased into strong inversion before applying the voltage ramp in order to eliminate surface generation. FromC-t transient curve obtained experimentally the minority carrier generation lifetime in semiconductor can be determined. The experimental results show that for the same sample the lifetimes extracted fromC-t curves under varying voltage sweep rates are close each other, and they are consistent with the lifetimes extracted by saturation capacitance method.     

多功能半导体激光医疗仪电源的研制

根据“多功能半导体激光医疗仪”整机的要求,采用同一电源对667nm和808nm半导体激光器实施供电。为避免电源在开、关机时对半导体激光管产生浪涌冲击,电源在设计中采用了适当的逻辑功能。并可保证对667nm激光器供电时,即使打开808nm激光器供电开关,也不对808nm半导体激光器供电,反之亦然。电源设有手动、计算机两种控制方法,及恒定功率、电流两种工作方式。     

RS码频域纠错编码在激光对潜通信信道中的实现方法

介绍了信道编码在激光对潜通信系统中的重要作用，介绍了频域编译ＲＳ码的基本方法，并给出了脉冲位置调制信道的ＲＳ码频域编译码的计算机模拟方法和结果。     

Structural and optical characterization of the propolis films

We have performed structural and optical characterizations of the propolis (an organic entity of biological nature) films grown on various non-organic substrates. The films were grown from a propolis melt or a propolis alcohol solution. The crystal structure has been observed in the films precipitated from the solution onto substrates such as an amorphous glass and sapphire or semiconductor indium monoselenide. For any growth method, the propolis film is a semiconductor with the bandgap of 3.07 eV at 300 K that is confirmed by a maximum in photoluminescence spectra at 2.86 eV. We argue that propolis films might be used in various optoelectronic device applications.     

GaAs亚微米自对准工艺技术研究

总结了在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究，着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好，在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上获得了满意的成品率。采用这套工艺已成功地研制出多种性能良好的ＧａＡｓＩＣ和ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ，证明国家自然科学基金委员会这一重大课题的选择对发展我国ＧａＡｓＩＣ确实具有重大意义。     

一种新颖的半导体光放大器镀膜监控方法

本文介绍了一种在半导体光放大器镀膜过程中监测端面反射率的简单而有效的方法。理论模型的建立考虑了光放大器的漏电流和自发发射速率随载流于浓度的非线性变化，并且基于实验测量的ＰＩ（输出功率与注入电流）曲线，采用曲线拟合的方法来修正一些依赖于器件的参数，理论计算结果与有关文献的测量结果较好地吻合。