技术进步中性假定的一般性

本在分析经济增长的技术进步因素的希克期中性假定的基础上，利用势分析方法提出了中性假定的一般性，并计算了我国改革开放以来技术进步对经济增长贡献率。     

半导体衬底片的应力损伤及其行为

本文根据实际测量结果,一叙述了半导体衬底制片质量对外延生长的影响。特别是,讨论了在 GaAs、InP 衬底中,产生于切片、研磨和抛光加工过程中的机械损伤的影响。     

国家关键技术管理计算机系统研究

本文根据国家关键技术管理工作的特点，本着提高决策质量，满足用户要求的原则，分析和设计国家关键技术管理计算机系统，为高层次宏观决策提供丰富的信息支持。     

深亚微米条件下的多层VLSI／MCM层分配的遗传算法

本文提出了一个深亚微米条件下的多层ＶＬＳＭＣＭ有约束分层层分配的遗传算法。该算法分为两步：首先进行超层分配，使各线网满足Ｃｒｏｓｓｔａｌｋ约束，且超层数目最少；然后进行各超层的通孔最少化二分层。与目前的层分配算法相比，该遗传算法具有目标全面，全局优化能力强等特点，是一种可应用于深亚微米条件下的ＩＣ ＣＡＤ的有效分层方法。     

络合沉淀法制备BaTiO_3超细粉末

在分析ＢａＴｉＯ_３前驱体形成机理的基础上，提出了以草酸作为络合剂，用络合沉淀法制备超细ＢａＴｉＯ_３新工艺。用化学分析法测定产物Ｂａ／Ｔｉ比，用ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＢＩ－９０激光散射粒度仪对产物的晶型、粒度及形貌进行表征。结果表明：采用该法合成的前驱体，微观组分确定，粒径小，粒度分布窄，近似球形，煅烧后为高纯超细ＢａＴｉＯ_３粉末。     

广播发射集散控制系统

本文介绍了广播发射台利用计算机技术、网络技术、遥控遥测技术、现代测试手段，对设备进行自动化控制与管理；实现设备技术指标自动测试，发射台无人值班、有人留守，建立机器的计算机档案制度，确保安全优质播出的方法和经验。     

利用半导体光放大器进行光脉冲消基座的理论研究

提出了一种利用半导体光放大器(SOA)联合可调谐光滤波器进行高阶孤子压缩消基座的新方法.进行了详尽的理论分析和优化.数值计算表明,在一定条件下,这种方法能够在不展宽脉冲的前提下,对基座进行有效地抑制.     

多处理器芯片体系结构研究

随着超大规模集成电路工艺和超级计算技术的发展，作者认为在单个芯片内集成多处理器系统将成为可能。本文详细讨论了多处理器芯片的分类和结构，着重阐述了同构型多处理器芯片的主要研究方向，并对同构型多处理器的可行性作出了分析。     

纳米技术的研究现状与将来

纳米科学技术将成为２１世纪最重要的高技术之一。纳米技术的最终目标是直接操纵单个原子和分子，制造量子功能器件，从而开拓人类崭新的生产生活模式。文章评述利用电子束、离子束的精细技术和ＳＴＭ原子操纵技术的研究现状，介绍原子层蚀刻，单层抗蚀剂自形成蚀刻，纳米自然蚀刻和电子束全息纳米蚀刻等高技术前沿动态，展望纳米技术的发展前景。