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111.
网格是继Internet和Web技术之后的第三个信息技术浪潮。简述了网格的定义、特点和基本体系结构 ,并且分析了网格技术在广播电视中的应用  相似文献   
112.
VOD在有线电视网的实现   总被引:3,自引:1,他引:2  
从视频点播系统的结构及组成和在有线电视网络中VOD系统的结构模式与应用两个方面,详细地阐述了如何利用有线电视网络实现视频点播,主要从以下3个方面介绍关于视频点播系统VOD技术:①视频点播VOD的技术原理;②视频点播系统的结构及组成;③有线电视视频点播系统的结构模式与应用。  相似文献   
113.
放射源的辐射指纹能起到标识和鉴别放射性物体的作用.在涉及核弹头不可逆销毁过程的深度核裁军核查中,核弹头的辐射指纹对标识和鉴别裁减下来的核弹头将起到关键作用.预先研究辐射指纹的有关技术,如识别机理的研究,将有助于深度核裁军的核弹头核查技术发展.以实验室放射源为研究对象,探索了类型γ射线能谱指纹的同一性识别机理.类型γ射线指纹识别机理的研究,就是要找出一种合适的方法,以较高的置信度,描述两个正在进行比较的γ射线指纹是否为同一放射源的指纹.采用了谱形比较法,并用谱相似度概念来描述两个指纹的相似程度.在谱形比较思想的指导下,编制了放射源类型指纹识别软件,并通过放射源同一性的识别实验验证了软件的有效性,同时研究了谱相似度随统计涨落和测量条件,如时间、源强和本底等因素的变化情况.研究结果表明:1)用相似度概念来描述两个指纹的相似程度,回答两个待比较的γ射线能谱是否代表同一类型放射源,是切实可行的;2)该识别机理只具备识别放射源类型的能力,而对同一类型、差异甚微的放射源个体还不能识别 关键词: γ射线能谱指纹 辐射指纹 识别机理 核查技术  相似文献   
114.
GaN材料系列的研究进展   总被引:3,自引:0,他引:3  
宋登元  王秀山 《微电子学》1998,28(2):124-128
GaN及其合金作为第三代半导体材料具有一系列优异的物理和化学性质,在光电子器件,高温大功率电子器件及高频微波器件应用方面具有广阔的前景,已成为当前高科技领域的研究重点,论述了这种材料的研究历史与发展现状,物理与化学性质,薄膜的生长方法及在光学电子和微电子器件应用于方面的研究进展。  相似文献   
115.
根据已经发表的实验数据,针对镓铝铟磷发光材料的提出了一组经验公式及相应的曲线,作为GaAlInP可见光材料设计的依据或参考。  相似文献   
116.
本文介绍了LT348的电路、版图和工艺设计。LT348是由四个功能和741组件等同而又各自独立的高增益、内补偿、低功耗运放器组成,并且它的电源电流可以和单个的741典型运放器相比拟。此外,它还具有比标准74正低得多的输入失调电流和输入偏流的特征。  相似文献   
117.
胡庆生  汪晓岩 《微电子学》1996,26(6):363-367
介绍了VLSI版图验证中电阻提取的基本原理和主要方法,给出了一种新颖的基于边界元法的电阻提取算法。该算法采用变节点单元,较好地解决了实际问题中经常出现的角点问题。通过应用该算法对几个实例进行提取,证明使用本文的算法不仅在精度上而且在占用CPU时间上都取得了令人满意的效果  相似文献   
118.
适合航天电子系统应用的DC-DC变换器   总被引:1,自引:0,他引:1  
讨论了航天DC-DC混合集成电路的拓朴结构。通过对几种电路的性能比较,提出了适合航天应用的DC-DC变换器的最佳拓朴结构。论述了PWM-LIN变换器的控制方法,该方法对于确保二次稳压DC-DC变换器较高的效率具有重要意义,亦可大大提高混合集成电路的成品率。  相似文献   
119.
1μm宽硅深槽刻蚀技术   总被引:1,自引:1,他引:0  
王清平  郭林 《微电子学》1996,26(1):35-39
介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响刻蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现1μm宽的硅深槽刻蚀工艺途径;并给出了1μm宽、8μm深、侧壁及底部光洁的硅深槽刻蚀工艺条件。  相似文献   
120.
全耗尽CMOS/SOI技术的研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
张兴  李映雪 《微电子学》1996,26(3):160-163
SOI材料技术的成熟,为功耗低,抗干扰能力强,集成度高,速度快的CMOS/SOI器件的研制提供了条件,分析比较了CMOS/SOI器件与体硅器件的差异,介绍了国外薄膜全耗尽SOI技术的发展和北京大学微电子所的研究成果。  相似文献   
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