基于空间电荷限制电流模型的FeCl3掺杂CBP的空穴迁移率研究

基于不同浓度FeCl3掺杂的4,4′-N,N′-二咔唑基联苯(CBP)设计制作了一系列的单空穴有机电致发光器件(OLED),采用空间电荷限制电流法估算了具有不同浓度FeCl3掺杂的CBP的空穴迁移率,并与OLED中常用的空穴传输材料N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)进行了比较研究。结果表明,FeCl3掺杂CBP可以极大地提高CBP薄膜的空穴迁移率,当FeCl3的浓度为12%时空穴迁移率最大,在电场强度为0.5MV/cm的条件下迁移率为4.5×10-5cm2/V·s,即使在零电场条件下迁移率依然高达2.2×10-5 cm2/V·s,近似为常用空穴传输材料NPB空穴迁移率的4倍。用CBP∶12%FeCl3做空穴传输层,制备了OLED器件,最大亮度为68468cd/m2,相对于采用NPB做空穴传输层的参比器件提高了97%,最大电流效率为31.28cd/A,比参比器件提高了23%。器件亮度和效率的提高归因于空穴传输性能的改善,使得器件中载流子的传输更为平衡,从而提高了激子形成的几率,且减少了激子-极化子之间的淬灭。     

Boosting Redox Kinetics of Sulfur Electrochemistry by Manipulating Interfacial Charge Redistribution and Multiple Spatial Confinement in Mott–Schottky Electrocatalysts

The serious shuttle effect and sluggish reaction kinetics intrinsically handicap the practical application of Li-S batteries. Herein, a unique 3D hierarchically porous Mott–Schottky electrocatalyst composed of W₂C quantum dots (QD) spatially confined in nitrogen-doped graphene microspheres (NGM) is proposed for regulating the kinetics of sulfur electrochemistry. Experimental and theoretical results disclose a spontaneous charge rearrangement and induce built-in electric field across the W₂C QD/NGM heterojunction interface, contributing to reduced energy barrier for both polysulfides reduction and Li₂S oxidation during entitle discharge/charge processes. Furthermore, the ultrasmall W₂C QD with high electrocatalytic activity and superior conductivity can promote the conversion of S species, while the hierarchically porous microspheres assembled from wrinkled graphene nanosheets not only can efficiently inhibit the polysulfides shuttling via multiple spatial confinement, but also provide abundant inner space for stable reservation of active S, highly conductive networks, and maintain the structural integrity of cathode during consecutive cycling. Consequently, Li-S batteries employed with the designed W₂C QD/NGM-based cathode exhibit outstanding electrochemical properties even at a high sulfur loading. The superior performance combined with the simplicity of the synthesis process represents a promising strategy for the rational design of advanced electrocatalyst for energy applications.     

可用于高密度高速度领域的一种新型两端静态存储单元的设计

A vertical two-terminal silicon PNPN diode is presented for use in a high-density memory cell. The device design for high-speed operations was studied with experiments and calibrated simulations, which proves that the proposed memory cell can be operated at nanosecond range. The static and dynamic power dissipations were also studied, which indicated the availability of the proposed memory cell for VLS1 applications. Moreover, the memory cell is compatible with CMOS process, has little impact from process variation, and has good reliability.     

基于TDLAS.技术1.65μm附近乙烷分子高分辨吸收光谱测量

基于可调谐半导体激光光谱(TDLAS)技术,结合实验室自制程长可达50 m的Herriot池,使用波长计对乙烷吸收谱线进行了准确定标,并根据记录的光谱数据,精确测量了6039～6054 cm-1波段内71条乙烷分子的谱线(中心位置及谱线强度),最小可探测谱线吸收强度为10-25 cm-1/(molecule·cm-2),对结果及误差进行了详细分析,为进一步研究天然气提供了重要参考.     

DC-10Mb/s 0.5μm CMOS激光器驱动电路的实现

设计并实现了一种适用于DC-10Mb/s速率、兼容TTL和CMOS输入电平的激光器驱动电路.该电路通过片外电阻可以独立地设置激光器发送光脉冲的‘1’功率和‘0’功率,并以闭环方式实现稳定的‘1’,‘0’发送光功率.介绍了一种新颖的峰-峰值光功率检测的工作机制,并能得到稳定的峰-峰值光功率.整个电路采用CSMC 0.5μm混合信号CMOS工艺实现,芯片最大输出驱动电流为120mA,在不要求输入码型的情况下,发送光脉冲的消光比波动在-20- ＋80℃范围内小于0.6dB.     

基于肖特基栅共振隧穿三极管的器件模拟与实验分析

通过流片,制作出肖特基栅共振隧穿三极管（SGRTT） .根据ATLAS软件的模拟发现,当发射极接地,集电极接外加偏压时,栅极电压对于SGRTT的电流起到明显的控制作用.当集电极接地,栅极电压会主要影响峰值电压,其原因是栅极电压和发射极、集电极的电场分布将会改变耗尽区的分布.实验测试结果对这种现象也予以证实.     

双光楔实现外腔半导体激光器波长精密调谐研究

提出利用旋转双光楔的方法来实现外腔半导体激光器波长的精密调谐.双光楔中,较大楔角的光楔用于粗调,较小楔角的光楔用于细调.与传统的Littman结构光栅外腔半导体激光器相比,通过这种方法,波长的精密调谐无需机械调谐装置,手动即可实现;对调谐的机械要求以及对振动的敏感性降低,波长选择精度相应大大提高.     

单壁碳纳米管场效应晶体管的制备工艺研究

综述了碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)的主要结构和导电沟道的制备工艺,如AFM探针操控、CVD原位生长、交流介电泳和L-B大面积操控排布等方法。在对CNTFET的这些结构和制备工艺进行详细分析的基础上,着重指出目前CNTFET导电沟道制备中存在的诸如金属性单壁碳纳米管(SWCNT)的烧除、接触电阻大、滞后现象以及p型CNTFET转化等问题,并针对这些问题提出了具体可行的解决方案。     

新型低压高效叠层有机白光器件

以Bphen:Li/WO3作为电荷产生层制备了低压、高效有机叠层白光器件. 实验中,首先在器件中引入高导电性的载流子注入和传输层,有效降低了器件的驱动电压,然后通过电荷产生层垂直堆叠两个低压白光器件,获得了低压、高效有机叠层白光器件. 叠层器件性能与单发光单元的器件相比较,其亮度及效率均有大幅提高,叠层器件的最大电流效率达到了17cd/A,在相同的电流密度下,叠层器件的效率约为传统器件的2.3倍,同时由于在叠层结构中引入了高导电性的载流子传输层,有效降低了器件的驱动电压,显著改善了白光器件的流明效率.叠层器件的流明效率相对于单发光单元器件提高了53%.     

基于ADS仿真的梳状谱发生器的设计与实现

梳状谱信号发生器在微波频率合成电路中应用广泛。文中利用阶跃恢复二极管的强非线性特点,设计了一种输入频率为100 MHz、输出频率为0.1～4 GHz的梳状谱信号发生器。首先通过理论计算获得初值,再通过ADS进行仿真优化,以及多次调试和实验,使该电路在0.1～4 GHz范围内产生丰富的谐波,并适合于工程应用。