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81.
82.
假设薄膜伯氧体结环行器中是TEM波传输,我国采用一种新的等效场理论,得出其中的S参量和损耗。当Y结环行器中的铁氧体片厚度小于200μm时,其导体损耗大于介电损耗和磁损耗。 相似文献
83.
作者在研究金刚石表面金属化机理中发现,该物理过程是用化学气相沉积(CVD)方法在强碳化物形成元素上生长金刚石薄膜的逆物理过程。推断在强碳化物形成元素上,诸如WSi,Ta等,生长金刚石薄膜,其界面有相应的碳化物,诸如WC,SiC,TaC等出现,继而生长的金刚石薄膜实质是在相应的碳化物背底上择优取向成核生长的。从而揭示在强碳化物形成元素上生长金刚石薄膜的物理机制是:W(Si,Ta)等→WC(SiC,TaC)等→金刚石薄膜。
关键词: 相似文献
84.
激光淀积YBa2Cu3O7外延超导薄膜 总被引:4,自引:2,他引:2
利用准分子脉冲激光成功地在(100)SrTiO_3与(100)Y-ZrO_2衬底上淀积了 YBa_2Cu_3O_7超导薄膜,T_c(R=0)>90K,J_c(T<82K)>1×10~6A/cm~2.研究了衬底温度对外延YBa_2Cu_3O_7薄膜超导性能及结构的影响. 相似文献
85.
用闪光蒸镀法在77K制备了NdxFe1-x(x=0.06-0.80)非晶薄膜,原位测定了其电阻随温度的变化。结果表明:在0.192和ρ(T)∝T。晶化不是在一个固定的温度,而是在一个温度区间发生。 相似文献
86.
热处理WO3电变色膜稳定性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用电子束蒸发淀积WO3薄膜。根据已有的WO3薄膜脱水过程结论而选择适当温度对薄膜进行退火处理。在大量含水的和不含水的两类Li^+电解质中进行比较性着色和消色循环实验,表明在290℃以下热退火处理能明显增加WO3薄膜在含水 电解质中的循环寿命。 相似文献
87.
钛酸铅系薄膜的热释电性能及其应用 总被引:10,自引:1,他引:9
叙述了钛酸铅系薄膜的热释电原理,介绍了国际上近几年钛酸铅系薄膜材料、制备工艺及热释电性能,并与块状陶瓷材料进行了比较,分析表明钛酸铅系薄膜具有优良的热释电性能及可观的应用前景。 相似文献
88.
利用低压MOCVD工艺分别在(001)取向的LaAlO3,SrTiO3和重掺杂硅单晶衬底上制备PbTiO3铁电薄膜,并通过X射线衍射谱对薄膜的微结构进行分析.X射线θ-2θ扫描显示硅衬底上得到了PbTiO3多晶薄膜,另两种衬底上得到了择优取向的PbTiO3薄膜.LaAlO3衬底上的PbTiO3薄膜有a和c两个取向,也就是薄膜中存在着90°畴结构,而生长在SrTiO3衬底上的PbTiO3薄膜中只存在c方向的择优取向.由于薄膜的尺度效应,发现c轴晶格常数与块材相比均缩短.X射线的φ扫描验证了后两类薄膜的外延特性,利用同步辐射的高强度和高能量分辨率用摇摆曲线方法研究了这两种外延薄膜的品质,进一步证明了SrTiO3衬底上的PbTiO3薄膜的单畴特性.利用重掺杂的硅衬底作底电极,测量显示直接生长于硅衬底上的PbTiO3多晶薄膜具有良好的铁电性能
关键词: 相似文献
89.
以噻吩为单体,在等离子体环境中聚合成致密的有机膜。利用Rutherford背散射(RB2S)和质子弹性反冲(ERD)、傅里叶红外谱(FTIR)测定了膜的成分和结构;从近红外-可见-紫外光的反射和透射谱,运用传递矩阵方法研究了膜的光学性质;此外,还探讨了24keV的I+离子束的注入对等离子体噻吩聚合膜的掺杂效应。结果表明,注入层内电荷载流子的输运机理可用Mott的可变自由程跳跃(VRH)理论给以解释。
关键词: 相似文献
90.
采用多层光刻工艺结合氩离子铣的混合刻蚀方法,刻蚀高Tc超导YBaCuO/ZrO2(100)薄膜图形,取得了较好的结果。在进行氩离子镜的工艺步骤中,使用普通氩离子铣设备(离子束斑极不均匀),但采取了一定的措施─-使被刻样品在刻蚀台座上可移动,模糊地实现了薄膜的相对"大面积"(直径φ≥20mm)均匀刻蚀─-可同时刻蚀2~3片6mm×10mm薄膜,并且被刻蚀部分表面起伏约在10nm左右。图形样品的最小线条达2μm,其Tc、Jc人与刻蚀前薄膜的Tc、Jc相当,即:TC为85~90K,Jc~106A/cm2(在77K下)。 相似文献