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41.
NiTi形状记忆薄膜的显微结构和力学性能 总被引:3,自引:0,他引:3
NiTi形状记忆合金薄膜具有形状记忆效应,极有希望用于制造高技术领域微电子机械系统中的微型激发器。NiTi形状记忆合金薄膜在制备和使用过程中需要高品质(衬)底材。本文利用高分辨电子显微学和高分辨分析电子显微学详细研究了硅底材NiTi形状记忆合金薄膜的NiTi/Si和NiTi/SiO2微结构体系,包括薄膜精细结构和界面反应。也研究了其显微结构和力学性能的关系。特别给出了NiTi形状记忆合金薄膜产生疲劳过程的微观过程的起因,通过高达十万个使用热循环前后样品显微结构变化的比较,发现纳米尺度上的TiNi3新相的形成导致疲劳过程的发生。如何抑制TiNi3新相形成的研究正在进行之中,这将为进一步提高NiTi形状记忆合金的使用寿命指出方向。 相似文献
42.
研究了用光漂白的方法制备PMMA/DR1聚合物非线性定向耦合器,提出了一种容易的制备方法来得到要求的耦合长度.测量了材料的光学非线性对定向耦合器两臂透过率的影响.实验结果表明由于光学非线性,耦合器的耦合长度随着入射光强度的改变而发生变化. 相似文献
43.
为了准确计算出镀膜过程中每层膜的折射率,介绍了实时监控过程中确定膜层折射率的2种方法:一种是由实测的透射比光谱直接反算出膜层的折射率;另一种是用最小二乘法的优化算法实时拟合折射率。试验结果表明:在线反算适合单点监控,所得折射率误差小于2%。然而在实际镀膜过程中,由于宽带内膜层参数误差较大,一般大于25%。为此,采用最小二乘法拟合,即在整个宽光谱范围内采集每个波长点的信息,所得结果误差很小,一般都在2%~5%之间,有时可达到10%,在很大程度上提高了实际镀膜时膜厚监控的精度。 相似文献
44.
45.
46.
Structural and Electrical Characteristics of Pb(Zr0.53,Ti0.47)O3 Thin Films Deposited on Si (100) Substrates 总被引:1,自引:0,他引:1
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Pb(Zr0.53, Ti0.47)O3 (PZT) films were directly deposited on Si substrates without a buffer layer by pulsed laser deposition. Only(110)-oriented PZT peaks (other than Si substrate peaks) were observed from the XRD data. The electrical properties of the PZT/Si capacitor were characterized in terms of both the capacitance versus voltage (C-V) and current versus voltage (I-V) measurements. The clockwise trace of the C-V curve shows ferroelectric polarization switching, as is expected. From the I-V curves, the Schottky emission and spacecharge-limited-current behaviour are found to be the mainly leakage current mechanism in a certain electric field range in the negative and positive bias, respectively. 相似文献
47.
48.
Deposition of Hydrogen-Free Silicon Nitride Thin Films by Microwave ECR plasma Enhanced Magnetron Sputtering at Room Temperature
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Hydrogen-free silicon nitride (SiNx) films were deposited at room temperature by microwave electron cyclotron resonance (MW-ECR) plasma enhanced unbalance magnetron sputtering system. Both Fourier-transform infrared spectroscopy and x-ray photoelectron spectroscopy are used to study the bonding type and the change of bonding structures of the silicon nitride films. The results indicate that the chemical structure and composition of SiNx films deposited by this technique depend strongly on the N2 flow rates, the stoichiometric SiNx film, which has the highest hardness of 22.9 GPa, could be obtained at lower N2 flow rate of 4 sccm. 相似文献
49.
We investigate the origin of ultraviolet (UV) emission from Mg0.12 Zn0.88 O alloy thin films with a wurtzite structure fabricated on c-plane Al2O3 substrates by plasma assisted molecular beam epitaxy. At room temperature, the absorption edge and UV emission band of the Mg0.12Zn0.88O film shift to high-energy side compared with ZnO films. Temperature dependence of the photoluminescence spectra shows that the UV emission is composed of free exciton and neutral donor bound exciton emissions. Two-step dissociation processes of the UV emission are observed with the increasing temperature. The thermal quenching mechanism is attributed to the dissociation of the free exciton from the neutral donor bound exciton in the low temperature region and the dissociation of free electron and hole from the free exciton in the high temperature region. 相似文献
50.
Magnetic properties and temperature dependence of electrical transport properties of rare-earth-metal Dy-doped GaN thin film are experimentally studied with a superconducting quantum interference device magnetometer and van der Pauw method. It was found that this thin nitride film has both semiconductor properties and ferromagnetism from 1OK to room temperature. The dopant-band (conducting band due to doping) electron conduction dominates the transport properties of this film at low temperatures. These results indicate that Dy-doped GaN is an n-type ferromagnetic semiconductor at room temperature. 相似文献