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11.
PFC控制技术的一种改进方案 总被引:1,自引:0,他引:1
文章首先指出了目前PFC所用控制技术的缺陷,然后提出了一各改进方案,并从理论分析和仿真验证的角度证明了改进方案的可行性和先进性。 相似文献
12.
本文研究了v型天线上电流分布与阻抗加载的关系,导出了支持天线上行波电流的阻抗加载公式。讨论了天线张角、振子半径以及振子长度与加载量的关系和规律,说明了加载V型天线的宽带特性。文中还计算了在高斯脉冲激励下,不同加载量的天线上瞬态电流的分布,由此可以表明所导加载公式的正确性与重要性。 相似文献
13.
The convection in atmosphere discussed in ref. [1] is rigorously treated by considering the variation of environmental temperature
with the height. This represents an example of applications of the elementary catastrophe theory in Hamiltonian systems. 相似文献
14.
This paper simulates a kind of new sub-50 nm n-type double gate MOS nanotransistors by solving coupled Poisson-Schrödinger equations in a self-consistent manner with a finite element method, and presents a systematic simulation-based study on quantum-mechanical effects, gate leakage current of FinFETs. The simulation results indicate that the deviation from the classical model becomes more important as the gate oxide, gate length and Fin channel width becomes thinner and the Fin channel doping increases. Gate tunneling current density reduces with the body thickness decreasing. Excessive scaling increases the gate current below Fin thickness of 5 nm. The gate current can be dramatically reduced beyond 1017 cm−3 with the Fin body doping increasing. In order to understand the influence of electron confinement, quantum mechanical simulation results are also compared with the results from the classical approach. Our simulation results indicate that quantum mechanical simulation is essential for the realistic optimization of the FinFET structure. 相似文献
15.
A high linearity current communicating passive mixer including the mixing cell and transimpedance amplifier(TIA) is introduced.It employs the resistor in the TIA to reduce the source voltage and the gate voltage of the mixing cell.The optimum linearity and the maximum symmetric switching operation are obtained at the same time.The mixer is implemented in a 0.25μm CMOS process.The test shows that it achieves an input third-order intercept point of 13.32 dBm,conversion gain of 5.52 dB,and a single sideband noise figure of 20 dB. 相似文献
16.
为了扩展电流卡钳的频率测试范围,根据其等效电路模型,分析并测试了传输阻抗特性,发现了传输阻抗在频率范围内的非线性现象,进而提出了基于放大器的线性补偿方法.通过测试结果表明,在1-50kHz的被测信号情况下,匹配了放大器的电流探头的传输阻抗的波动范围≤±1dB.因而,利用这一补偿方法,可以给单片机信号采集转换成被测电流值带来方便. 相似文献
17.
This paper introduces a new inductor series-peaking technique for bandwidth enhancement of low-voltage CMOS current-mode circuits. The peaking inductor is in series with the capacitor constituting the dominant pole. It boosts the bandwidth by utilizing the resonance characteristics of LC networks. To reduce the value of the peaking inductor, a new negative current-current feedback mechanism is proposed. The employment of both inductive peaking and current feedback further increases the bandwidth. Both the inductor series-peaking and the current-current feedback do not affect the supply voltage and DC biasing conditions. Theoretical analysis and simulation results show that a significant bandwidth enhancement is achieved. 相似文献
18.
19.
碲锰镉(CdMnTe)作为性能优异的室温核辐射探测器材料,可用于环境监测和工业无损检测领域。本文中采用Te溶剂Bridgman法生长In掺杂Cd0.9Mn0.1Te晶体,制备成10 mm×10 mm×2 mm大小的室温单平面探测器,研究了该探测器对241Am@59.5 keV γ射线源的能谱响应。通过表征红外透过率、电阻率以及探测器能谱响应等参数,综合评定了探测器用CdMnTe晶体的质量、电学和探测器性能。结果表明,晶片的红外透过率均在55%以上,最好可达到60%。采用湿法钝化,100 V偏压下的漏电流由钝化前的9.48 nA降为钝化后的7.90 nA,钝化后的电阻率为2.832×1010 Ω·cm。在-400 V反向偏压下,CdMnTe探测器对241Am@59.5 keV γ射线源的能量分辨率在钝化前后分别为13.53%和12.51%,钝化后的电子迁移率寿命积为1.049×10-3 cm2/V。研究了探测器的能量分辨率随电压的变化特性,当偏压≤400 V时,探测器的能量分辨率主要由载流子的收集效率决定,而当偏压>400 V时,能量分辨率由漏电流决定。本文研究结果表明,Te溶剂Bridgman法生长的CdMnTe晶体质量较好,电阻率和电子迁移率寿命积满足探测器制备需求。 相似文献
20.
Cu3N薄膜是近10年来研究的热点材料之一.Cu3N是立方反ReO3结构,理想立方反ReO3结构的一个晶胞中Cu原子占据立方边的中心位置而N原子占据立方晶胞的八个顶点,此结构的体心位置有一较大间隙,Cu原子以及其他原子如Pd、碱金属原子等很有可能进入此位置导致Cu3N的电学性能、光学性能等发生很大的变化,这使得该材料具有很大的潜在应用价值.Cu3N的晶格常数为0.3815nm,密度5.84g/cm3,分子量204.63,颜色呈黑绿色或红褐色,空间点群Pm3m.Cu3N薄膜在室温下相当稳定并且热分解温度较低(300℃左右),热分解前后薄膜的光学反射率有较大差别,这可使Cu3N薄膜用作一次性光记录材料.此外,Cu3N薄膜还可用作在Si片上沉积金属Cu线的缓冲层、低磁阻隧道结的阻挡层、自组装材料的模板等. 相似文献