抗辐照SOI256kB只读存储器的ESD设计

ESD设计技术已成为业界提升SOI电路可靠性的一个瓶颈技术。文章介绍了一款具有抗辐照能力、基于SOI／CMOS工艺技术研制的容量为256kB只读存储器电路的ESD设计方案。结合电路特点详细分析了其ESD设计的难点,阐述了从工艺、器件和电路三个方面如何密切配合,进行SOI电路ESD设计的分析思路和解决方法。电路基于0．8...     

用于智能功率集成电路的PTG-LDMOST

提出一种用于智能功率集成电路的基于绝缘体上硅(SOI)的部分槽栅横向双扩散MOS晶体管(PTG-LDMOST)。PTG-LDMOST由传统的平面沟道变为垂直沟道,提高了器件击穿电压与导通电阻之间的折衷。垂直沟道将开态电流由器件的表面引向体内降低了导通电阻,而且关态的时候耗尽的JFET区参与耐压,提高单位漂移区长度击穿电压。仿真结果表明:对于相同的10微米漂移区长度,新结构的击穿电压从常规结构的111V增大到192V,增长率为73%。     

单模光纤与SOI纳米线波导耦合设计

波导光栅在集成光学发展中扮演着重要的角色。与其他的耦合方法相比,光栅耦合器具有耦合效率高、制备封装成本低、无需芯片端面抛光、可以在任何地方实现信号输入输出等优点,成为纳米光波导最有潜力的耦合方法。本文提出利用OPTIFDTD软件仿真结合MATLAB编程的方法精确计算光栅耦合效率的新方法。仿真分析了光栅的周期、槽深、占空比、SiO2层厚度等光栅参数对耦合效率的影响,并给出了使输入光栅耦合器耦合效率达到42.6%;输出光栅耦合器的耦合效率达到72.3%的一组最佳光栅参数。     

两级非平衡超结SOI LDMOS高压器件

针对SOI功率集成电路,提出一种具有两级非平衡超结的SOI LDMOS高压器件。新结构通过调节超结的掺杂浓度,在漂移区形成两级超结结构。在器件反向耐压时,源端的超结n区被快速耗尽,过剩的p型电荷可以降低源端的峰值电场,同时提高漂移区中部的电场;而漏端的超结p区被快速耗尽,过剩的n区与n型外延层共同提供补偿电荷,这种阶梯分布的电荷补偿进一步优化了横向电场分布。这种两级非平衡超结结构缓解了横向超结器件中的衬底辅助耗尽效应,可提高器件的耐压。三维器件仿真结果表明,在漂移区长度为15 μm时,该器件的耐压达到300 V,较常规的超结器件和具有缓冲层的超结器件分别提高122%和23%。     

High-index contrast grating based broadband out-coupler on SOI

An efficient broadband out-coupler on silicon-on-insulator (SOI) with high-index contrast grating (HCG) is proposed. The presence of a silicon-air (high-index contrast) grating on the top silicon layer in SOI allows a strong interaction between the guided mode and the grating. The broadband design of the out-coupler is presented by optimising the various grating parameters. The design analysis and simulation of such an out-coupler is performed with finite difference method. Coupling efficiency of 54% is achieved over an ultra-wide wavelength range from 1500 nm to 1650 nm.     

Off-State Breakdown Characteristics of Body-Tied Partial-Depleted SOI nMOS Devices

Partial-depleted SOI(silicon on insulator) nMOS devices are fabricated with and without silicide technology，respectively.Off-state breakdown characteristics of these devices are presented with and without body contact,respectively.By means of two-dimension(2D) device simulation and measuring junction breakdown of the drain and the body,the difference and limitation of the breakdown characteristics of devices with two technologies are analyzed and explained in details.Based on this,a method is proposed to improve off-state breakdown characteristics of PDSOI nMOS devices.     

定域SOI区熔再结晶研究

用高频感应石墨条作为红外辐射热源,对淀积在二氧化硅衬底上的多晶硅进行了区熔再结晶.再结晶后硅膜晶粒宽度可达几百微米甚至几毫米以上,长度可在区熔扫描方向延伸到样品尺度.在晶粒中存在大量间隔约10-50μm的亚晶界.采用热沉技术及多晶硅膜厚调制技术对亚晶界进行了定域限制,达到了非常好的效果.TEM分析表明再结晶后硅膜呈[100]晶向.SEM观察表明再结晶后样品具有平整的表面及界面.Raman谱测量表明区熔再结晶后硅膜中张应力很小,约为0.9×10~9 dyne/cm~2.     

FORWARD GATED—DIODE METHOD FOR EXTRACTING HOT—CARRIER—STRESS0INDUCED BACK INTERFACE TRAPS IN SOI／NMOSFETs

The forward gated-diode R-G current method for extracting the hot-carrier-stress-induced back interface traps in SOI/NMOSFET devices has been demonstrated in this letter. This easy and accurate experimental method directly gives the induced interface trap density from the measured R-G current peak of the gated-diode architecture. An expected power law relationship between the induced back interface trap density and the accumulated stress time has been obtained.     

SOI全内反射型光波导电光开关模型研究

根据受抑全反射的光学隧道效应和Ｇｏｏｓ－Ｈａｎｃｈｅｎ位移分析ＳＯＩ全内反射型光波导开关中导模的传输和反射特性。在讨论等离子体色散效应，ｐ－ｎ结大注入效应的基础上，分析了全内反射光波导开关的电学性质。设计了该器件的结构以数和电学参数。     

适于器件及电路分析的全耗尽短沟道LDD／LDSSOI MOSFET器件模型

本文系统描述了全耗尽短沟道ＬＤＤ／ＬＤＳＳＯＩＭＯＳＦＥＴ器件模型的电压电压特性。该模型扩展了我们原有的薄膜全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ模型，文中着重分析了器件进入饱和区后出现的沟道长度调制效应，及由于ＬＤＤ／ＬＤＳ区的存在对本征ＭＯＳ器件电流特性的影响。