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介绍了非晶半导体薄膜的结构特点和在光电器件上的独特性能，给出了薄膜器件的发展水平和制膜技术、制膜设备的研究现状。 相似文献
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本采用高频溅射方法，在抛光Ｓｉ（１１１）衬底上制备出碳化硅薄膜，了薄膜的高温真空退火勺，实验表明，退火后的薄膜具有较淡理想的结晶取向和发光性质。 相似文献
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电子回旋共振(ECR)等离子体法广泛用于SiO_2、Si_3N_4膜等的低温CVD技术,以及MOS器件的微细栅极刻蚀技术。在ECR等离子体法中,由于低气压下生成高离子化的等离子体,故以低能量、大的离子电流照射而能持续进行表面反应,然而以往的技术无法实现高质量的薄膜工艺。由于用固体靶溅射,靶材供给容易,进而把上述技术作为基础,开发了ECR溅射技术。 相似文献
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高温超导约瑟夫森结技术近年来发展很快，特别是台阶结、双晶结、双外延结、边缘结和邻近效应结等性能已达到实用水平，并应用于超导量子干涉器件、数字信号处理和高频有源器件中。文章介绍了这些结的技术和有关的应用。 相似文献
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