高功率线性梯度折射率GaAs/AlGaAs单量子阱激光器

应用MOVPE研制出梯度折射率分别限GaAs/AlGaAs单量子阱激光器，室温单面连续输出光功率超过500mW,激射波长为820.3nm,并讨论了注入电流和温度改变对波长的影响。     

大功率GRIN-SCH-SQW激光器阵列

分析了梯度折射率分别限制单量子阱 (GRIN-SCH-SQW)结构的特点以及对大功率半导体激光器特性的影响。利用分子束外延系统生长 Ga Al As/Ga As GRIN-SCH-SQW结构 ,经光荧光谱、X-射线双晶衍射、和载流子浓度测试 ,结果表明 ,该结构各参数均满足设计要求。应用此结构制成激光器阵列 ,室温准连续输出功率达5 8W(t=2 0 0 μs,f=5 0 Hz) ,峰值波长为 80 8nm。     

液相外延生长超薄有源层Al_xGa_（1－x）As／GaAs分别限制双异质结构激光器

报道超薄有源层ＡｌｘＧａ１－ｘＡＳ／ＧａＡｓ分别限制双异质结构半导体激光器的液相外延的过程。讨论了过冷度、生长温度和降温速率等对生长速率的影响。扫描电镜测得生长温度为６８０℃时，ＧａＡｓ有源层厚度可低至２５～３５ｎｍ。宽接触分别限制双异质结构ＬＤｓ的室温连续阈值电流密度多在７００～８００Ａ／ｃｍ２。     

Artificial intelligence designed drug synthesis: One-pot preparation of trans β-lactams and application to cholesterol absorption inhibitor SCH 47949 synthesis

An artificial intelligence designed SCH 47949 synthesis is achieved in a stereoselective manner. The key step contains a stereoselective one-pot construction of the trans β-lactam framework via thermal electrocyclization. N-arylation of the β-lactam ring system and a series of functional group transformations synthesized SCH 47949 in a reasonable chemical yield.     

乙基硫自由基及阴、阳离子低电子激发态从头算研究

采用CASSCF方法和6-311++(3df, 3pd)基组以及Cs对称性优化了乙基硫自由基和阳、阴离子3种分子的12个电子态的几何构型. 利用二级微扰方法(CASPT2)对这12个电子态做了单点能校正. 通过比较自由基与阴阳离子的能量, 得出了绝热电子亲和势和绝热电子电离能, 与实验结果在允许误差范围内基本一致.     

AlGaN/GaN/InGaN对称分别限制多量子阱激光器的优化设计

采用一维传递矩阵法模拟计算了AlGaN/GaN/InGaN对称分别限制多量子阱激光器(发射波长为396.6nm)的波导特性.以光限制因子、阈值电流密度和功率效率作为优化参量,获得激光器的优化结构参数为:3周期量子阱In0.02Ga0.98N/In0.15Ga0.85N(10.5nm/3.5nm)作为有源层,90nm In0.1Ga0.9N为波导层,120周期Al0.25Ga0.75N/GaN(2.5nm/2.5nm)为限制层.     

AlGaN/GaN/InGaN对称分别限制多量子阱激光器的优化设计

采用一维传递矩阵法模拟计算了AlGaN/GaN/InGaN对称分别限制多量子阱激光器(发射波长为396.6nm)的波导特性.以光限制因子、阈值电流密度和功率效率作为优化参量,获得激光器的优化结构参数为:3周期量子阱In0.02Ga0.98N/In0.15Ga0.85N(10.5nm/3.5nm)作为有源层,90nm In0.1Ga0.9N为波导层,120周期Al0.25Ga0.75N/GaN(2.5nm/2.5nm)为限制层.     

一氟甲基二硫化物的高效合成

以PhSO2SCH2F为一氟甲硫基化试剂,室温下实现了硫酚/硫醇的一氟甲硫基化反应,高收率地合成了一系列一氟甲基二硫化物.该方法具有反应时间短、条件温和、操作简单以及无需外加添加剂等特点,为高效制备一氟甲基二硫化物提供了一条简便的途径.     

The beam properties of high-power InGaAs/AlGaAs quantum well lasers

The vertical beam quality factor of the fundamental TE propagating mode for InGaAs/AlGaAs SCH DQW lasers emitting at 940 nm is investigated by using the transfer matrix method and the non-paraxial vectorial moment theory for non-paraxial beams. An experimental approach is given for the measurement of the equivalent vertical beam quality factor of an InGaAs/AlGaAs SCH DQW laser. It has been shown that the vertical beam quality factor M_x² is always larger than unity, whether the thickness of the active region of LDs is much smaller than the emission wavelength or not.     

Altium Designer软件在印刷电路板设计中的应用

Altium Designer Winter09是当前最流行的电路设计软件之一,由于它在电路设计中的高效性、准确性和可靠性,得到了广泛的应用。文中根据几年的教学和实践,介绍了如何在短时间内快速运用Altium Designer软件设计印刷电路板。