GaN材料系列的研究进展

ＧａＮ及其合金作为第三代半导体材料具有一系列优异的物理和化学性质，在光电子器件，高温大功率电子器件及高频微波器件应用方面具有广阔的前景，已成为当前高科技领域的研究重点，论述了这种材料的研究历史与发展现状，物理与化学性质，薄膜的生长方法及在光学电子和微电子器件应用于方面的研究进展。     

宽低温STN—LCD加热装置的研制

本文介绍了宽低温ＳＴＮ－ＬＣＤ加热装置的设计和制备方法，并对低温加热的实验结果进行了讨论和分析，相应的研究结果表明此法有利于拓宽ＳＴＮ液晶显示器的负温工作范围。     

声表面波32位MSK抽头延迟线

介绍了扩频通信有效的ＭＳＫ信号特点及声表面波ＭＳＫ抽头延迟线构成方式，给出了声表面波３２位ＭＳＫ抽头延迟线的实验结果。     

全耗尽CMOS／SOI技术的研究进展

ＳＯＩ材料技术的成熟，为功耗低，抗干扰能力强，集成度高，速度快的ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件的研制提供了条件，分析比较了ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件与体硅器件的差异，介绍了国外薄膜全耗尽ＳＯＩ技术的发展和北京大学微电子所的研究成果。     

砷化镓声电荷转移延迟线的设计与工艺研究

由于声电荷转移(ACT)这一新颖的高速缓冲抽样技术的发明,使得新一代高速高频信号处理器件的实现成为可能。本文研究了第二代平面结构的ACT器件转移沟道的电位分布特性,给出了平面结构ACT延迟线的设计,并研究了ACT器件的工艺实现。     

有机EL的稳定性和寿命

介绍了有机ＥＬ在稳定性及寿命方面的最新研究动态，着重描述了器件功能层组合的相互接触、阴极、空穴传输层玻璃化温度和驱动条件等对有机ＥＬ稳定性和寿命的影响。     

磁电子学器件应用原理

本文介绍几种重要的磁电子器件的基本结构和工作原理,包括巨磁电阻与隧穿磁电阻传感器、巨磁电阻隔离器、巨磁电阻与隧穿磁电阻硬盘读出磁头、磁电阻随机存取存储器、自旋转移磁化反转与微波振荡器。自旋晶体管作为未来磁电子学或自旋电子学时代的基本元素,目前大都还处在概念型阶段,本文也将对几种自旋晶体管的大致原理作简要介绍。     

改进的用于半导体器件综合系统的遗传算法

本文对应用于器件综合系统的遗传算法GENOCOP进行了改进.将实数设计空间根据参数的工艺精度影响转换为整型空间,并加入适应性复合算子利用已经得到的点来扩展和开发准可行空间.使其保持有效搜索到可行解的特性的同时,在同等的算法设置下,提高了对可行空间的覆盖率(约2.87倍),可以帮助设计人员更有效的设计可工作的器件.     

ispLSI1032E器件及其应用

介绍了Lattice公司的大规模集成电路ispLSI1032E,它是一种在系统复杂可编程逻辑器件(CPLD),借助于EDA设计软件可以随时更改芯片的功能,而且不需要改动印制电路板(PCB)的结构,大大提高了系统设计的效率,并保证了设计的正确性。最后设计了基于该芯片的EDA教学实验系统。     

Simulation of Birefringence and Absorption in InGaAs-GaAs Multiple Quantum Well Acoustooptic Modulators Operating Near 980 nm

This paper presents the simulation of surface acoustic wave (SAW)-induced absorption coefficient and refractive index change in InGaAs-GaAs multiple quantum well (MQW) structures operating near 980 nm. The exciton problem is solved in two dimensional momentum space to include the non-axial effect due to strain induced valance band mixing and nonparabolicity. The optical absorption coefficient and refractive index changes near the band gap in the MQWs are calculated as a function of SAW power.