深亚微米PD和FD SOI MOS器件热载流子损伤的研究

研究了深亚微米PD和FD SOI MOS器件遭受热截流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点，提出了相应的物理机制，以解释这种特性。测量了在不同应力条件下最大线性区跨导退化和闽值电压漂移，研究了应力Vg对HCE退化的影响，并分别预测了这两种器件的寿命，提出了10年寿命的0．3μm沟长的PD和FD SOI MOS器件所能承受的最大漏偏压。     

纳米光电子器件的最新进展及发展趋势

主要介绍了纳米光电子学的基本概念、发展模式以及纳米光电子器件的最新进展和发展趋势。     

SAW软扩频调制解调器的研究

报道了一种直接序列软扩频调制解调器的SAW实现方案，并给出了相应的实验结果。该方案对提高系统抗干扰能力、频宽利用等方面均具有与其他技术不同的特点。同时，该技术方案为进一步研究DS-OFDM打下了基础。     

一种新的网络对象存储设备研究

Internet的飞速发展对于存储系统的可扩展性提出了很高的要求,也带来了由数据模型与存储模型的不一致问题引起的服务器性能瓶颈现象.针对这些情况,本文提出了网络对象附属存储设备(NAOSD)的概念,其利用设备处理器的能力直接支持结构化数据存储.这一设计减少了存储系统中数据服务器的负载,增加了系统吞吐量.同时,研究了该设备原型在集群环境中的应用,提出了数据/元数据统一存储与查询式数据定位机制.分析表明,这些机制能够较显著地提高系统扩展性——数据访问时间随系统规模的扩大呈对数增长,优于传统的映射定位机制.我们已经模拟实现了NAOSD,并在性能比较测试中取得了较好的效果.     

可编程模拟器件与技术新进展

简述可编程模拟器件的基本原理、典型应用和开发方法,介绍并比较主要的模拟可编程实现技术与主流器件系列,指出现存的主要问题并展望其未来发展方向.     

NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算

分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数，给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式，以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压，文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。     

荧光显示管直丝氧化物阴极有效逸出功的计算

阴极的逸出功是表征阴极发射能力的物理量，求定荧光显示管直丝氧化物阴极有效逸出功时，因其零场发射电流密度难于准确取值，温度无法直接测量，显得困难，须予解决，为此提出了一种计算阴极有产逸出功的办法，对某显示管的发射欠佳和“低温高效”的两种氧化物阴极的有效逸出功进行计算，有效逸出功率是靠测量相关物理量再同计算得出，精度不很高，文中所用办法也不例外，但所得结果能反映阴极发射能力，所需仪器少，是实用方法。     

深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。     

Mixed Mode VLSI Implementation of a Neural Associative Memory

A mixed mode digital/analog special purpose VLSI hardware implementation of an associative memory with neural architecture is presented. The memory concept is based on a matrix architecture with binary storage elements holding the connection weights. To enhance the processing speed analog circuit techniques are applied to implement the algorithm for the association. To keep the memory density as high as possible two design strategies are considered. First, the number of transistors per storage element is kept to a minimum. In this paper a circuit technique that uses a single 6-transistor cell for weight storage and analog signal processing is proposed. Second, the device precision has been chosen to a moderate level to save area as much as possible. Since device mismatch limits the performance of analog circuits, the impact of device precision on the circuit performance is explicitly discussed. It is shown that the device precision limits the number of rows activated in parallel. Since the input vector as well as the output vector are considered to be sparsely coded it is concluded, that even for large matrices the proposed circuit technique is appropriate and ultra large scale integration with a large number of connection weights is feasible.     

计算机辅助电子线路实验的思考与探索

本文介绍了EltctronicWorkbench软件和计算机虚拟仪器系统，采用计算机模拟仿真技术对电子线路实验加以辅助设计和探索。