PELDOR at S- and X-band frequencies and the separation of exchange coupling from dipolar coupling

A pulsed electron double resonance (PELDOR) setup working at S-band frequencies is introduced and its performance compared with an X-band setup. Furthermore, to verify experimentally that it is possible to disentangle the dipolar coupling nu(Dip) from the exchange coupling J by PELDOR we synthesized and investigated four bisnitroxide radicals. They exhibit in pairs the same distances r(AB) between the nitroxide moieties but only one of each pair possesses a non-zero J. The experimental values for r(AB) match the ones from molecular modeling very well for the molecules without exchange coupling. For one bisnitroxide it was possible to separate nu(Dip) from J and to ascertain the magnitude and sign of J to +11 MHz (antiferromagnetic spin-spin coupling).     

160 Gbps S-band WDM transmission system over 1400 km using ITUT-652a and ITUT-655 fibers with low dispersion accumulation

Dispersion accumulation with the distance effects optical WDM system's performance severely. For every modulation format used there is a limit on maximum transmission distance due to dispersion accumulation. So dispersion compensation is required. But dispersion compensation can be avoided to a large extent by alternatively using different fiber standards. In this paper it has been proposed that the dispersion accumulation can be reduced to a large extent by alternatively transmitting in S-band and using fiber standards ITUT-652a and ITUT-655. To validate the claim, performance of a 16 channel 10 Gbps WDM system with the proposed method has been analyzed in terms of BER and Q-factor. And it has been observed that with the proposed scheme without any dispersion compensation the system performs well up to 1400 km.     

应用于S频段的宽带高谐波抑制的F类功率放大器的设计

采用InGaP/GaAs HBT工艺设计了一个适用于S频段的宽带F类功率放大器,管芯大小为3×3×0.82mm3。为了同时实现高谐波抑制和宽带,在宽带匹配电路中使用了谐波陷波器。在1.8~2.5 GHz范围内,该匹配网络的输入阻抗约为一个常电阻,二次谐波阻抗约为零而三次谐波阻抗接近无穷大,因此提高了功率放大器的效率。输入测试信号为连续波,测试结果表明该功率放大器在1dB压缩点下的输出功率约为34dBm,PAE约为57%,2到4次谐波分量功率均小于-53dBc。     

圆波导TM_(01)-TE_(11)模式变换器

提出了一种在圆波导中添加金属分割片及半边金属管壳的结构以实现圆波导TM01-TE11模式转换。通过金属分割片将圆波导分成两个半圆区域:其中一个半圆区域为空波导,另一半圆区域为填充一定厚度金属管壳的空波导。在S波段对设计的中心频率为2.8GHz的物理模型进行数值模拟与实验研究,模拟结果表明:在中心频率2.8GHz转换效率为99.56%,反射率低于0.01;在2.716～2.946GHz频带内转换效率大于90%,S11小于-10dB。实验中测试到的S11参数与模拟结果基本一致,证明了该变换器技术方案的可行性和模拟结果的正确性。     

S波段功率SiC MESFET(芯片)研制

介绍了一种S波段功率SiC MESFET芯片的研制技术。针对SiC材料的特点,对4H-SiC外延材料进行了设计和仿真,同时对Al记忆效应进行了研究,优化了4H-SiC外延生长技术。研究了栅长与沟道厚度纵横比(Lg/a)对短沟道效应和漏极势垒降低效应的影响。采用了凹槽栅结构和体标记电子束直写技术以及热氧化SiO2和SiNx复合钝化层设计等新制备工艺,实现了栅、漏泄漏电流的减小和源、漏击穿电压的提高。测试结果表明,功率SiC MESFET芯片在3.4 GHz频率下脉冲输出功率大于45 W,功率增益8.5 dB,漏极效率40%。测试条件为漏极工作电压48 V,脉宽100μs,占空比10%。     

S波段脉冲大功率SiC MESFET

采用自主开发的3英寸(75mm)SiC外延技术和SiC MESFET的设计及工艺加工技术,成功地实现了S波段中长脉宽条件下(脉宽300μs,占空比10%),输出功率大于200W,功率增益大于11dB,功率附加效率大于30%的性能样管,脉冲顶降小于0.5dB,实现了大功率输出条件下的较高功率增益和功率附加效率及较小的脉冲顶降,初步显示了SiC功率器件的优势。器件设计采用多胞合成技术,为减小引线电感对功率增益的影响,采用了源引线双边接地技术;为提高器件的工作频率,采用了电子束写栅技术;为提高栅的可靠性,采用了加厚栅金属和国家授权的栅平坦化发明专利技术;同时采用了以金为主体的多层难熔金属化系统,提高了器件的抗电迁徙能力。     

S 波段GaN HEMT 宽带逆F 类高效率功率放大器设计

提出一种宽频带GaN HEMT 逆F 类功率放大器设计方法,并完成S 波段高效率功率放大器的研制。首先对改进的GaN HEMT Angelov 大信号缩放模型进行分析,确定功放管栅宽模型参数;然后通过输出电容补偿、负载牵引技术获得最佳输入、输出阻抗,设计谐波控制网络实现对谐波阻抗的峰化;最后基于宽频带、高效率原则完成电路仿真版图优化。为验证该方法,基于国产GaN HEMT(栅宽1. 25mm)设计了一款中心频率2. 9GHz,带宽大于40% 的高效率逆F 类功放,测试结果表明频带内输出功率均大于3W、漏极效率达到60%。     

宽带宽与新波段光纤放大器进展

宽带、调整、长距离和智能化是目前光纤通信系统发展的趋势所在，迅速膨胀的信息服务量使宽带成为最迫切的需求，新波段与长增益带宽光纤放大器的研究炙手可热，本文阐述了近期各波段光纤放大器以及拉曼放大器的进展，并揭示了光纤放大器向短波段和混合型发展的趋势。     

S频段低信息速率卫星通信系统的探索和实验

介绍了目前卫星通信的频段分布并对其进行了对比;对S频段卫星通信给出了链路预算,并进行了卫星移动通信的探索和实验,通过低信息速率的短报文和语音通信设备的研发,对低速率卫星移动通信进行了验证和分析.结果表明,采用全向天线的S频段低信息速率的卫星通信系统完全可以在处理突发事件的应急通信中发挥作用,并具有成本低、终端简单、应用方便、安全可靠等优点.     

S波段1MW多注速调管的研制进展

介绍了一种S波段多注速调管的研制进展.该管采用19注电子枪,工作电压34 kV,工作电流72 A,研制目标是在7％的相对带宽内输出1 MW脉冲功率,工作比2％.介绍了包括互作用段、电子枪、输出窗在内的主要部件和最终测试结果.