基于FPGA的自适应旁瓣对消原理及其实现

自适应旁瓣对消(ASLC)是雷达抗有源干扰的有效方法。它采用空间滤波技术，通过辅助接收通道在干扰方向形成波束图的零点，实现对干扰信号的抑制。本文介绍了自适应旁瓣对消的原理，然后给出了基于FPGA的ASLC实现方案，最后通过仿真和试验结果，分析了自适应旁瓣对消的性能。     

无内屏蔽彩管的地磁兼容性研究

地球存在着地磁场,地磁场对彩色显像管(CPT)的色纯度影响很大.为了减小地磁场对CPT色纯度的影响,通常在CPT内部装有磁屏蔽组件(简称为内屏蔽).本文介绍一种无内屏蔽组件的CPT,它既降低了CPT的成本,又不影响CPT的品位,还能满足全球地磁场的兼容性.     

解理面预处理方法对二次外延的影响

利用超晶格解理面方法制备定位生长的InAs量子线.首先以分子束外延技术在OaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs超晶格,然后将样品取出外延系统进行解理,对解理面进行预处理之后在(110)解理面上进行二次外延.实验结果显示超晶格解理面的预处理方法对二次外延有重大影响,其中择优腐蚀比自然氧化更有利于量子线的定位生长,过高温度的脱氧除气会导致解理面的GaAs部分出现坑状结构,表明(110)面上的Ga原子容易脱附.同时,Ga原子在(110)面上的迁移长度比较大,原子的择优扩散方向为[001]方向.     

波束波导馈电的新型偏置近场卡塞格伦天线

提出一种新型偏置近场卡塞格伦天线,天线的主副镜均由具有圆口径的抛物面镜构成,给出了主副镜的几何参数和设计方程。采用非传统且适应高功率应用的波束波导进行馈电,天线系统（含波束波导）采用了几何光学和去极化的设计方法。根据照射锥削角和高斯束腰设计了方向图圆周对称的波纹喇叭馈源。在此馈源喇叭的基础上,根据高斯波束法得到波束波导各镜面尺寸。采用物理绕射理论对一个设计实例的方向图进行分析,证明该天线系统具有极低的交叉极化电平和旁瓣电平。     

与偏振无关1×2．2×2和2×4A由空间光开关在Clos光网络中的应用

首先,对无阻塞的Clos（2,4,2）光网络的拓扑结构和光学实现进行了理论分析;其次,利用偏振光分束器（PBS）、相位型空间光调制器（PSLM）和反射镜设计1×2、2×2和2X4光开关。进而设计无阻塞的Clos（2,4,2）光网络,并讨论了n×m型光开光的设计原则和升级能力。最后,通过实验测试,光开关的串扰最低可以达到...     

强激光的计算模拟:平顶高斯光束模型

基于广义惠更斯－菲涅耳衍射积分,将平顶高斯光束作为一个整体光束,对其基本性质和变换特性作了统一研究。推导出了平顶高斯光束通过有线性增益（损耗）的近轴ABCD光学系统、无光阑和有光阑ABCD光学系统后解析形式的传输方程。对平顶高斯光束的相似变换以及与超高斯光束的一致性也作了分析。所得结果对强激光的模拟提供了一个有用的计算模型。     

MOEMS光开关静电驱动的优化设计

给出基于硅的微机械光开关的设计分析。优化设计了光开关结构，提出了一种降低扭臂式结构光开关驱动电压的方法。并根据不同结构，给出了静电驱动等方面的分析结果。     

MIS characterization and modeling of the electrical properties of the epitaxial Caf2/Si(111) interface

CaF₂ layers have grown by molecular beam epitaxy on bothn-type andp- type Si(111). Capacitance-voltage (C-V) and current-voltage (I-V) measurements have been made on metal-insulator-semiconductor (MIS) capacitors to characterize these structures. For devices onp-type Si, C-V characteristics show only the insulator value of the capacitance over a wide range of applied voltages, indicating an accumulated surface. At room temperature, C-V characteristics ofn-type devices show the minimum value of the capacitance (corresponding to inversion) for small voltages, but modulation of the capacitance at larger voltages. At 200 K, this modulation is no longer present in the C-V curves. I-V curves show a rapid increase in the leakage current at relatively low fields at room temperature, and this leakage decreases dramatically with temperature. These results are largely independent of cleaning procedure, growth temperature, and the degree of misalignment of the substrate. The characteristics are modeled by assuming the Fermi level to be pinned at the valence-band edge, and the modulation in the C-V characteristics ofn-type samples to be driven by leakage currents. Work done at GE while a graduate student in the School of Electrical Engineering, Cornell University. Present address: Jet Propulsion Laboratory, 4800 Oak Grove Dr., Pasadena, CA 91109.     

高倍率及大孔径扩束器的光学系统设计

高倍率及大孔径扩束器要求筒长短、口径大、轴上和轴外的像差都要很好地校正 ,所以光学系统的设计是非常困难的。论述了高倍率及大孔径扩束器的光学系统设计方法 ,给出了物镜通光口径为 2 0 0mm ,焦距为 4 0 0mm ,视场为 2mrad ,放大倍率为 4 5倍的扩束器的光学系统结构参数和像质评价结果     

偏振分光镜分光性能非理想对激光外差干涉非线性误差的影响

为了减小激光外差干涉纳米测量的非线性误差,必须明确偏振分光镜(PBS)分光性能非理想对非线性误差的影响机制.推导出非理想情况下偏振分光镜透射率和反射率的激光外差干涉非线性误差模型,建立了偏振分光镜分光性能非理想对非线性误差二次谐波的影响模型.仿真结果表明,偏振分光镜的透射率和反射率非理想对非线性误差的影响为一次谐波,且偏振分光镜分光性能越差,其对非线性误差的影响也越大.在偏振分光镜反射率为0.90的情况下,偏振分光镜透射率从1减小到0.90时,非线性误差由0.62 nm增大到1.24 nm.当存在偏振分光镜旋转角度误差时,偏振分光镜分光性能非理想引起的非线性误差不增加二次谐波分量,但增大了非线性误差一次谐波分量,严重影响非线性误差的大小.当偏振分光镜旋转角度误差为5°时,偏振分光镜透射率从1变为0.90,非线性误差从0.39 nm增大到1.41 nm.