HoYb:YVO4的上转换发光研究

研究了960nm激光激发下HoYb双掺钒酸钇晶体HoYb:YVO4的直接上转换增敏发光,发现了Ho3+离子的上转换发光现象,HoYb:YVO4晶体的上转换发光是5F5→5I8最强,而5S2→5I8相对小了一个数量级,这是由于YVO4晶体既有很强的振子强度又有很大的多声子无辐射弛豫造成的. 关键词： 上转换发光 直接增敏(敏化) 钒酸钇YVO4晶体 Ho3+离子     

复合晶体硫化物Sr1.145TiS3的高分辨电子显微术研究

与(PbS)-{1.12}VS-2,Ba-xFe-2S-4等三元金属硫化物一样[1,2],Sr-{1.145}TiS-3的晶体结构也很复杂[3].在四维超空间群的基础上使用粉末X射线数据和Rietveld分析方法确定了无公度复合晶体硫化物Sr-{1.145}TiS-3的晶体结构[4].它的基本结构是由空间群分别为R3m和P31c的TiS-3亚点阵和Sr亚点阵沿着晶体的c轴相互穿插形成的.以六角晶系来标定,其晶格常数为a-1=a-2=1.15108nm,c-1(TiS-3)=0.29909nm和c-2(Sr)=0.5226nm.用透射电子显微术研究其结构特性的报导还未见到.本文首次报导用透射电子显微术在原子尺度研究复合晶体硫化物Sr-{1.145}TiS-3晶体中Sr原子和S原子相互调制的结果.     

布里奇曼法生长碲镉汞晶体的固液界面形态研究

文中综述了布里奇曼法及加速坩埚旋转技术的布里奇曼法生工碲镉汞晶体过程中固液界面形态的研究结果，简单讨论了固液界面形态对组分分布的影响，并将两种技术所得的组分分布结果进行了比较，在分析影响固液界面形态因素的基础上，认为加速坩埚旋转技术是目前改善固液界面形态的有效方法。     

β—BBO晶体的电光性能

用干涉法测量了β－ＢＢＯ晶体的电光系数：γ２２＝２．６，γ３３＝０．２３，γ３１＝０．２５，γ５１＝－３．５×１０－１２ｍ／Ｖ。结果表明如果在Ｙ方向加电场，Ｚ方向通光，β—ＢＢＯ晶体可能制作成有应用价值的光开关。     

二次谐波产生的4.75μm激光

可重复生长的非线性红外晶体ＡｇＧａＳｅ２是Ⅰ－Ⅲ－Ⅵ２簇化合物之一。具有４２ｍ对称的负单轴特性。使用光栅选频要中调谐ＴＥＡ ＣＯ２激光器输出的９Ｐ支线泵浦ＡｇＧａＳｅ２晶体可产生波长４．７５μｍ左右的激光。晶体长度为６．７ｍｍ，在１０．６μｍ处按Ⅰ类相位匹配加工。