BEPCII直线加速器相控系统设计研究

为了补偿由于各种因素引起的微波相位漂移,BEPCII直线加速器需要建立微波相位反馈控制系统.能量最大法将用来确定每台功率源的最佳相位.沿直线加速器速调管长廊铺设相位稳定同轴线提供相位参考.现在已经完成了关键部件,如PAD单元、IfA 单元的开发.搭建了相控最小系统对系统进行了验证.     

InxGa1−xAs ohmic contacts to n-type GaAs with a tungsten nitride barrier

Significant reduction of the contact resistance of In_0.7Ga_0.3As/Ni/W contacts (which were previously developed by sputtering in our laboratory) was achieved by depositing a W₂N barrier layer between the Ni layer and W layer. The In_0.7Ga_0.3 As/Ni/W₂N/W contact prepared by the radio-frequency sputtering technique showed the lowest contact resistance of 0.2 Ωmm after annealing at 550°C for 10 s. This contact also provided a smooth surface, good reproducibility, and excellent thermal stability at 400°C. The polycrystalline W₂N layer was found to suppress the In diffusion to the contact surface, leading to improvement of the surface morphology and an increase in the total area of the In_xGa−As between metal and the GaAs substrate. These improvements are believed to reduce the contact resistance.     

小型RFCO2激光器的电路保护

本文详细分析研究了小型射频CO2激光器经常出现的故障现象(过压、负载短路故障),并介绍了相应的保护措施,对实际工作有显着指导意义。     

磁控溅射技术制备ZnO透光薄膜

采用RF磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了择优取向的ZnO薄膜;通过台阶仪、X射线衍射技术、原子力显微镜和分光光度计分别测量了不同溅射功率条件下淀积的ZnO薄膜厚度(淀积速率)、结晶质量、表面形貌与粗糙度、透光光谱,报道了该薄膜结晶质量、薄膜粗糙度与其在可见光区透光率的关系.     

中物院远红外自由电子激光实验研究

中国工程物理研究院基于射频直线加速器技术的远红外自由电子激光(FIR-FEL)实验取得阶段性进展,于2005年3月24晚8时30分首次出光, 并多次重复. 中心波长115μm, 谱宽1%.介绍了实验系统的主要组成部分和主要实验结果.     

用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜

提出在单片微波集成电路(MMIC)中用多孔硅/氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜.研究了厚度为70μm的多孔硅/氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成,这层厚膜增加了衬底的电阻率,减少了微波的有效介质损耗.通过测量在低阻硅衬底上形成的氧化多孔硅厚膜上的共平面波导的微波特性,证明了在低阻硅衬底上用厚膜氧化多孔硅可以提高共平面传输线(CPW)的微波特性.     

FeCoB-SiO2磁性纳米颗粒膜的微波电磁特性

采用交替沉积磁控溅射工艺制备了超薄多层的FeCoB SiO2 磁性纳米颗粒膜 .利用x射线衍射仪、扫描探针显微镜、透射电子显微镜分析了薄膜的微结构和形貌特征 .采用振动样品磁强计、四探针法、微波矢量分析仪及谐振腔法测量薄膜试样的磁电性能和微波复磁导率 .重点对SiO2 介质相含量、薄膜微结构对电磁性能产生重要影响的机理做了分析和探讨 .结果表明 :这类FeCoB SiO2 磁性纳米颗粒膜具有良好的软磁性能和高频电磁性能 ,2GHz时的磁导率 μ′高于 70 ,可以应用于高频微磁器件或微波吸收材料的设计     

X波段盘圈加速结构热阴极微波电子枪的研究

介绍了采用盘圈(DAW)加速结构在11.43GHz下研制的热阴极微波电子枪注入器，分析了注入器中DAW加速结构支撑杆对于微波特性的影响以及加速结构中的模式重叠问题. 针对该结构的强腔间耦合以及次临近耦合不能忽略的特点，对其调谐方法进行了分析研究.给出了该长腔链热阴极微波电子枪注入器的物理设计及粒子动力学计算结果，电子能量为5—6MeV，脉冲流强为40mA，电子束发射度为3.4πmm.mrad. 该微波电子枪的加工焊接已经完成，文中给出了其冷测结果.     

Formation of p-type ZnO film on InP substrate by phosphor doping

ZnO thin film was initially deposited on InP substrate by radio frequency (rf) magnetron sputtering and the diffusion process was performed using the closed ampoule technique where Zn₃P₂ was used as the dopant source. To verify the junction formation of ZnO thin films, the electrical properties were measured, and the effects of Zn₃P₂ diffusion on ZnO thin films were investigated. It is observed that the electrical property of the film is changed from n-type to p-type by dopant diffusion effect. Based on the results, it is confirmed that ZnO thin films can be a potential candidate for ultraviolet (UV) optical devices.     

基于ASK无线数传模块的新型安防系统

将无线数传模块和具有低噪声的策控制电路集成设计为一体，构成检测信号和开关量控制信号无线传输的功能模块，并将该模块嵌入到探头和控制器内部，建立无线通讯子网，应用于智能能楼宇安防系统。很好的解决了无线信息冲突问题。经过试运行，系统工作稳定，无线探头报警可靠性达到了使用需求。