基于RF5的语音编解码系统的研究与实现

介绍了语音编解码芯片TLV320AIC23B在DM642处理器语音接口McASP上的应用,完成了codec驱动程序的设计.在RF5软件框架下,采用多线程方式在DM642上实现了G.723.1语音编解码算法.该语音压缩系统性能测试良好,有很好的扩展性.     

8GHz-18GHz限幅开关放大器组件

文中介绍了一种限幅开关放大器组件的设计。该组件在接收大信号时通过控制信号来控制射频开关,使信号直通通过;接收小信号时通过控制信号来控制射频开关,使信号通过放大器放大输出,从而使输入信号功率在大范围变化时输出信号保持在一定范围内,起到扩展动态范围的作用。其主要特点是频带宽、增益高、开关速度快。限幅器的作用是使组件在有超出...     

光开关驱动接口设计

介绍了光开关在分布式光纤温度传感器系统的应用,提出了一种基于AT89C51单片机的光开关驱动接口设计方案.设计了多模1×2棱镜光开关驱动接口的硬件电路和软件程序,计算机通过RS232串口发出指令控制光开关的切换,实现了分布式光纤温度传感器系统传感距离的延伸.测试结果表明,该驱动接口可以有效地提升分布式光纤传感器系统的性...     

基于GaAs STATZ模型的RF MOSFET DC建模技术

STATZ模型是表征GaAsMESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点。通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提取并在ADS软件中优化了STATZ直流模型的参数。为了提高仿真精度,模型必须考虑晶体管漏极与源极的寄生电阻,根据MOSFET处于强反型区且漏-源电压为零时的等效电路模型提取了晶体管的漏极和源极的寄生电阻。在ADS软件中利用STATZ模型对MOSFET的直流特性进行了仿真,测量的MOSFET直流曲线与仿真曲线一致性很好,验证了模型的良好的精确度,证明了GaAs STATZ模型可以用于表征射频MOSFET的直流特性。晶体管采用中芯国际的0.13μm RF CMOS工艺制作。     

同时同频全双工场景中的射频域自适应干扰抵消

考虑同时同频全双工无线收发信机的射频域自干扰抵消技术,现有研究多集中于利用手动方式调整自干扰估计信号的参数。针对这一问题,该文提出一种射频域的自适应干扰抵消算法。以正交、同相参考支路构成的自干扰估计结构为基础,利用梯度下降法搜索支路的最优权矢量,估计出自干扰信号,实现了射频域的自适应干扰抵消,并且给出了该算法的收敛性分析。分析与仿真表明,当迭代步长越大或统计时间越短时,算法的收敛速度越小。在100倍符号周期的统计时间,0.3的归一化步长,80 dB干信比以及0 dB信噪比的仿真条件下,该文提出的射频域自适应干扰抵消算法可以实现约100 dB的自干扰抑制。     

宽带数字接收机射频前端电路设计

宽带数字接收机在无线电频谱管理领域内具有重要的应用,其中射频前端电路指标对整机设备性能的影响显著。文中介绍了一种射频前端电路通用的设计方案,重点分析了各射频器件性能指标对接收机链路的影响,以及对无线电监测与测向结果的影响。最终提出了改进电路拓扑结构设计的措施与办法,并给出了基于该设计思路的具体工程应用实例,取得了良好的应用效果。     

高压开关柜温湿度远程监测系统的设计

文章采用单片机及温湿度传感器检测高压开关柜的温度和湿度,利用ZigBee无线通信技术实时传输温湿度数据,实现对高压开关柜现场温湿度的远程监测。可以通过上位机设置温湿度上下限报警值,当超出报警值时可实现主机、从机、上位机同时报警的功能。经过现场试用,该系统能够满足远程监测高压开关柜温湿度的要求。     

面向电子战射频光传输的宽带射频信号杂散产生机理及优化方法

针对电子战系统的宽带射频信号波分复用传输,通过理论分析给出了微波光子链路中各关键参量对杂散信号的影响规律,提出了非均匀信道间隔分配的除杂优化方法。该方法通过微调各通道的波长,使四波混频产生的杂散频率超过电子战接收机带宽,从而降低杂散对系统的影响。该方案实现简单,且无需改变现有电子战系统架构,具有较好的工程实现性。实验结果表明:与等波长间隔相比,5通道非均匀波分复用信号传输1 km时,在接收机带宽内四波混频引起的杂散得到了显著优化,动态范围提升了26 dB以上。     

射频连接器振动对信号相位噪声的影响

振动环境作用于射频连接器会影响信号的相位噪声。为了提高通信质量,研究了振动对射频连接器相位噪声的影响。分析了振动条件下射频连接器对通过其中的高频信号产生相位噪声的基本原理,推导出了机械振动参数与其产生的相噪功率谱之间的数学关系,验证了振动对不同频率信号的影响关系,并在相应的试验中验证了推导结果的正确性。相关研究结果对分析射频连接器的工程应用中振动对信号的影响具有指导作用。     

用于无线PA的高频大功率Si1-xGex/Si HBT的设计和制作

采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的2个单元4个发射极指的SiGe HBT.在没有扣除测试结构的影响下,当直流偏置IC=10mA,VCE=2.5V时,FT和fmax分别为1.8和10.1GHz.增益β为144.25,BVCBO为9V.