大功率开关电源的设计与实现

介绍了开关电源设计中需要考虑的几个基本问题,包括频率的确定、最大占孔比Dm的确定、逆变变压器的设计和开关功率管的选择,并以一种1 kW的PWM大功率半桥式开关电源为例,详细介绍实际的开关电源设计方案,并给出了实验结果.     

多路开关状态检测

通过使用74HC245、74HC138以及AT89S52设计了一种用于多路开关状态检测的系统,74HC245有一个低有效的OE使能端,同时74HC138的输出也是低有效的,这样一个74HC138的输出就能控制8个74HC245的OE端。同时74HC245有8个输入管脚,因此,通过适当地设计74HC245的前端电路,就能同时对64路开关的状态进行有效地检测。设计仅占用了11个AT89S52的管脚资源,设计成本非常低,同时系统稳定性也非常高。     

多栅GaAs MESFET开关的结构设计

论述了多栅开关的结构和特点.针对多栅开关器件结构设计中的参数栅栅间距的选取作了分析,确定当栅栅间距等于源漏间距对栅数的平均值时,开关性能最优,并在实验中得到验证     

一种星载IP交换机队列管理器的设计

针对星载IP交换机中硬件存储资源使用受限的情况,提出了一种适用于共享存储交换结构、存储资源占用少的队列管理器。通过添加索引的方法,使得所有的单播队列能够共享一个指针存储区。根据位图映射,将组播指针转化为多个单播指针,即可把组播操作的数据流按照单播操作方式写到相应的逻辑队列路径,达到节约存储器资源的目的。该队列管理器通过链表数据结构的头部和尾部来控制指针索引的写入和输出。最后,在Xilinx的xc6vlx130t FPGA进行了综合实现,结果显示,该方案相比基于指针复制的队列管理器,在8端口的交换机中存储器资源的使用量要节约22%以上。     

AVC系统晶闸管与SF6开关电容投切技术研究

随着AVC系统的投运,变电站内电容器投切更加频繁。传统补偿电容器的SF6开关投切频率低,难以满足投切间隙中出现的无功补偿需求,限制了电容器的作用。为了解决上述问题,文中提出了一种复合开关结构。该结构将机械投切和电子开关投切相结合,构成晶闸管+SF6开关的组合式投切方案。文中对晶闸管+SF6开关投切电容器的工作原理进行了介绍,并分析了开关控制策略。通过合理的投切策略可以实现晶闸管和SF6开关的相互保护,使晶闸管阻断时避免承受高电压,也避免了SF6开关在高频投切的情况下频繁动作,延长设备使用寿命。最后,通过PSIM软件仿真验证了该复合开关的合理性和可行性。     

基于开关管阻抗特性的调制组件检测方法

介绍了全固态调制器采用IGBT 管等固态器件进行串并联组合应用的典型工作模式,分析了固态调制器传统开关组件的检测和保护技术,提出基于开关管阻抗特性的调制组件检测方法,阐述了设计思想及工作原理,给出了工程实现方案和检测方法原理框图,并分析比较了传统的在线检测方法和基于开关管阻抗特性的调制组件检测方法,基于PLC 编程软件平台,根据采样电压的数值及其变化量,实现精确判定IGBT 管损坏数量和百分比的计算。工程应用验证了检测结果的准确可靠。     

基于RF5的语音编解码系统的研究与实现

介绍了语音编解码芯片TLV320AIC23B在DM642处理器语音接口McASP上的应用,完成了codec驱动程序的设计.在RF5软件框架下,采用多线程方式在DM642上实现了G.723.1语音编解码算法.该语音压缩系统性能测试良好,有很好的扩展性.     

8GHz-18GHz限幅开关放大器组件

文中介绍了一种限幅开关放大器组件的设计。该组件在接收大信号时通过控制信号来控制射频开关,使信号直通通过;接收小信号时通过控制信号来控制射频开关,使信号通过放大器放大输出,从而使输入信号功率在大范围变化时输出信号保持在一定范围内,起到扩展动态范围的作用。其主要特点是频带宽、增益高、开关速度快。限幅器的作用是使组件在有超出...     

光开关驱动接口设计

介绍了光开关在分布式光纤温度传感器系统的应用,提出了一种基于AT89C51单片机的光开关驱动接口设计方案.设计了多模1×2棱镜光开关驱动接口的硬件电路和软件程序,计算机通过RS232串口发出指令控制光开关的切换,实现了分布式光纤温度传感器系统传感距离的延伸.测试结果表明,该驱动接口可以有效地提升分布式光纤传感器系统的性...     

基于GaAs STATZ模型的RF MOSFET DC建模技术

STATZ模型是表征GaAsMESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点。通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提取并在ADS软件中优化了STATZ直流模型的参数。为了提高仿真精度,模型必须考虑晶体管漏极与源极的寄生电阻,根据MOSFET处于强反型区且漏-源电压为零时的等效电路模型提取了晶体管的漏极和源极的寄生电阻。在ADS软件中利用STATZ模型对MOSFET的直流特性进行了仿真,测量的MOSFET直流曲线与仿真曲线一致性很好,验证了模型的良好的精确度,证明了GaAs STATZ模型可以用于表征射频MOSFET的直流特性。晶体管采用中芯国际的0.13μm RF CMOS工艺制作。