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71.
基于谐振原理的RF MEMS滤波器的研制 总被引:2,自引:0,他引:2
采用与IC工艺兼容的硅表面MEMS加工技术,以碳化硅材料作为结构材料,研制出一种新型的基于谐振原理工作的RF MEMS滤波器。详细介绍了器件的工作原理、制备方法、测试技术和结果,并对测试结果做出分析。该RF MEMS滤波器由弹性耦合梁连接两个结构尺寸和谐振频率完全相同的MEMS双端固支梁谐振器构成,MEMS谐振器的结构决定了滤波器的中心频率,弹性耦合梁的刚度决定了滤波器的带宽。在大气环境下测试器件的频响特性,得到中心工作频率为41.5MHz,带宽为3.5MHz,品质因数Q为11.8。 相似文献
72.
给出了改进的电容式开关等效电路模型以及基于该电路模型的一种新型的多频段工作的电容式RFM EM S开关的设计和制作研究。分析表明,当开关的上电极为多支撑梁结构时,需要对传统的开关等效电路加以改进。利用新型等效电路模型进行模拟发现,通过适当的参数选择,可以获得多谐振点开关,不仅可以在多个频段适用,并且可以适用于较低频段。设计了一种可工作在X波段下的三谐振点电容式RF MEMS开关,并在高阻硅衬底上采用表面微加工工艺制备了开关样品。三谐振点开关的在片测试结果为:驱动电压为7 V,“开”态的插入损耗为0.69 dB@10.4 GHz,“关”态的隔离度为30.8 dB@10.4 GHz,其微波性能在0~13.5 GH z频段下优于类似结构的传统单谐振点开关。 相似文献
73.
具有高介电常数的栅绝缘层材料存在某种极化及耦合作用,使得ZnO-TFTs具有高的界面费米能级钉扎效应、大的电容耦合效应和低的载流子迁移率.为了解决这些问题,本文提出了一种使用SiO2修饰的Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7作为栅绝缘层的ZnO-TFTs结构,分析了SiO2修饰对栅绝缘层和ZnO-TFTs性能的影响.结果表明,使用SiO2修饰后,栅绝缘层和ZnO-TFTs的性能得到显著提高,使得ZnO-TFTs在下一代显示领域中具有非常广泛的应用前景.栅绝缘层的漏电流密度从4.5×10-5A/cm2降低到7.7×10-7A/cm2,粗糙度从4.52nm降低到3.74nm,ZnO-TFTs的亚阈值摆幅从10V/dec降低到2.81V/dec,界面态密度从8×1013cm-2降低到9×1012cm-2,迁移率从0.001cm2/(V·s)升高到0.159cm2/(V·s). 相似文献
74.
75.
使用ADS软件,对射频电路设计方案进行仿真和优化。通过计算,得到5阶切比雪夫滤波器的LC参数值。将发射机和接收机的阻抗特性导入ADS软件进行阻抗匹配计算,分析得到阻抗匹配电路,提高了发射机的信噪比和接收机的灵敏度。 相似文献
76.
针对ZigBee室内定位设备对电磁场高效产生和准确测量的要求,分析了室内定位设备中天线与射频接口电路设计的基本需求,给出了一种倒F型1/4波长单极子PCB板上天线及相应射频接口的分析设计方法。通过电磁场仿真软件AnsoftHFSS及射频电路仿真分析软件ADS2011对天线进行仿真,得到天线的关键参数仿真结果。在实际应用系统中的测试结果证明,天线及其射频接口能够较好地支持定位设备与定位算法的工作,且满足定位节点设备对体积与成本方面的要求。 相似文献
77.
78.
RF MEMS开关具有低损耗、低功耗、尺寸小和易于集成等优点而被广泛应用于各种可重构射频电路及系统中。通过分析比较电容并联式和串联式RF MEMS开关两种电路结构的射频性能,设计了一种基于RF MEMS开关的新型功率放大器,使用RF MEMS开关控制匹配网络来实现双工作频带的转换。结果表明,设计的功率放大器在2.35GHz和1.25GHz两个工作频带下,功率附加效率(PAE)和输出功率(Pout)可分别达到72%、67%及40.8、42.7dBm。该功率放大器具有较高的功率附加效率和输出功率,适用于多频带的射频系统,对RF MEMS器件在可重构系统中的应用具有一定参考价值。 相似文献
79.
80.