X波段盘圈加速结构热阴极微波电子枪的研究

介绍了采用盘圈(DAW)加速结构在11.43GHz下研制的热阴极微波电子枪注入器，分析了注入器中DAW加速结构支撑杆对于微波特性的影响以及加速结构中的模式重叠问题. 针对该结构的强腔间耦合以及次临近耦合不能忽略的特点，对其调谐方法进行了分析研究.给出了该长腔链热阴极微波电子枪注入器的物理设计及粒子动力学计算结果，电子能量为5—6MeV，脉冲流强为40mA，电子束发射度为3.4πmm.mrad. 该微波电子枪的加工焊接已经完成，文中给出了其冷测结果.     

基于ASK无线数传模块的新型安防系统

将无线数传模块和具有低噪声的策控制电路集成设计为一体，构成检测信号和开关量控制信号无线传输的功能模块，并将该模块嵌入到探头和控制器内部，建立无线通讯子网，应用于智能能楼宇安防系统。很好的解决了无线信息冲突问题。经过试运行，系统工作稳定，无线探头报警可靠性达到了使用需求。     

微波非接触式智能卡中射频系统和电路的设计实现

采用了Agilent公司ADS2002软件、Ansoft公司的Ensemble软件对微波非接触智能卡中射频系统和电路进行了仿真和设计。主要进行收发信道性能的仿真、天馈系统设计以及各单元电路之间匹配电路的设计。     

TEMIC射频卡的速率自适应读卡算法

提出种基于TEMIC射频卡Manchester编码的速率自适应读卡算法,并对该算法进行了说明和示例。     

Modeling of RF plasma torch with a metallic tube inserted for reactant injection

Flow, temperature, and electromagnetic (EM) fields in a radio-frequency thermal plasma torch designed for the preparation of superconducting powders or films have been analysed by using a new two-dimensional modeling approach with the electric field intensity as the fundamental EM field variable. The insertion of a stainless steel injection tube into the torch leads to large induction currents in this tube. Although such large induction currents cause pronounced changes of the EM fields near the injection tube, flow and temperature fields are little affected. There exists only one large toroidal vortex in the upper part of the present torch, while the maximum temperature appears at an off-axis location within the coil region.     

三维射频加速腔程序包MAFIA的开发和应用

介绍了三维射频加速器计算机辅助设计(CAD)程序包MAFIA的特点、功能及其应用。用CAD的方法实现了射频加速器特别是非轴对称带耦合腔的加速器的三维腔形设计。同时介绍了节省内存、节约机时的模型方法,使得在中小型机器上运行大程序(八万条)成为可能。文章主要对L波段的加速腔进行了数值模拟,并和实验进行了比较,结果符合较好;通过三维数值模拟及图形模拟的方法比较了各种形状谐振腔的性能;计算分析了输入耦合腔及高阶模耦合器对加速腔电磁场分布等参量的影响;提出了加耦合器后谐振频率改变的补偿方法。     

退火温度对低温生长MgxZn1－xO薄膜光学性质的影响

用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备出Mg_xZn_1-xO(x=0.16)薄膜，用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和透射谱研究了退火温度对Mg_xZn_1-xO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示，Mg_xZn_1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构，并且具有沿c轴的择优取向；随着退火温度的升高，(002)XRD峰强度、平均晶粒尺寸和紫外PL峰强度增大，(002)XRD峰半高宽(F 关键词： xZn_1-xO薄膜')" href="#">Mg_xZn_1-xO薄膜 射频磁控溅射 退火     

射频MEMS压控电容器

研究了射频 MEMS压控电容器的设计和制造工艺。压控电容器的制作采用了 MEMS制造技术 ,其主要结构为硅衬底上制作金属传输线电极和介质层 ,然后制作金属膜桥作为电容器的另一个电极。通过改变加在金属膜桥与传输线间的电压达到改变电容值的目的。这种压控电容器可以工作于射频和微波波段 ,具有很高的Q值。测试结果如下 :在 1 GHz、0 V时 Q值达到 3 0 0 ,0偏压电容值为 0 .2 1 p F,当加上驱动电压后 Cmax/ Cmin的变比约为 4∶ 1     

等离子体横向刻蚀硅的特性研究

研究了用SiO2 +Al作掩模 ,SF6 +O2 混合气体等离子体对Si的横向刻蚀 ,其结果表明 ,在SF6 +O2 等离子体气氛中 ,Al是很好的保护膜 ,可以在待悬浮器件下形成大的开孔。因此 ,预计用这种技术 ,可以在Si片上集成横向尺寸为数百微米 ,具有优良高频性能的MEMSRF/MW无源器件 ,如开关、传输线、电感和电容等。     

一种改进的射频加解扰方法

文中提出了一种改进的射频加解扰新方法，采用视频加扰与射频解扰相结合的技术，利用（Ｎ＋１）个电视射频频道实现对Ｎ路电视信号的加扰。