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介绍了作者研制的应用于固态雷达发射机上的L波段500W固态功放组件的工作原理、用途及其主要技术指标。描述了功放组件的设计过程和测试结果。该功放组件在窄脉宽条件下实现了快速上升沿,性能优良,工作稳定可靠。 相似文献
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Ga N有较 Ga As更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率 ,Al Ga N/Ga N异质结构不仅具有较 Ga As PHEMT中Al Ga As/In Ga As异质结构更大的导带偏移 ,而且在异质界面附近有很强的自发极化和压电极化 ,极化电场在电子势阱中形成高密度的二维电子气 ,这种二维电子气可以由不掺杂势垒层中的电子转移来产生。理论上 Al Ga N/Ga N HEMT单位毫米栅宽输出功率可达到几十瓦 ,而且其宽禁带特点决定它可以承受更高的工作结温 ,作为新一代的微波功率器件 ,Al Ga N/Ga N HEMT将成为微波大功率器件发展的方向。采… 相似文献
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报告了研制的 9.6mm栅宽双δ-掺杂功率 PHEMT,在 fo=1 1 .2 GHz、Vds=8.5 V时该器件输出功率3 7.2 8d Bm,功率增益 9.5 d B,功率附加效率 44.7% ,在 Vds=5~ 9V的范围内 ,该器件的功率附加效率均大于42 % ,两芯片合成 ,在 1 0 .5~ 1 1 .3 GHz范围内 ,输出功率大于 3 9.92 d Bm,最大功率达到 40 .3 7d Bm,功率增益大于 9.9d B,典型的功率附加效率 40 %。 相似文献
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300W S波段固态发射机 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了一种用于雷达和医学领域的,工作在2.9—3.1GHz的300W紧凑型固态发射机的结构和性能。该发射机包含三个主要部分:PLL—DDS合成器、脉冲成型电路和多级C类放大器。其峰值功率为300W,脉冲宽度50μs,占空比5%,这些指标是通过合成两个使用均衡结构Si—BJT(硅双极型晶体管)的160W放大器的输出而得到的。输出功率电平通过支流电源模块控制在6dB动态范围内。5%占空比时,在整个输出功率的动态范围内,射频脉冲宽度的功率衰减小于0.2dB。在包含有频率牵引效应和1KHz时—75dBc/Hz的相位噪声条件下,合成VC0可以达到超过10^-7的长期稳定性。另外,频谱特征也令人满意。 相似文献
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