IGBT准数值模型和模拟

本文采用数值计算与解析模型相结合的方法，建立了ＩＧＢＴ稳态特性的准数值模型。基于此模型与瞬态特性的电荷控制解析模型，我们开发了绝缘栅晶体管（ＩＧＢＴ）的稳态和瞬态准数值模拟软件包ＩＧＴＳＩＭ，可以模拟与ＩＧＢＴ的几何结构、掺杂分布、少于寿命相联系的直流和关断特性．本文介绍模拟所采用的物理模型、模拟技术和得到的结论，并给出部分模拟实例．     

铁电存储场效应晶体管I-V特性的物理机制模拟

文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管（FEMFET）的I-V特性。从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响。传统的阈值电压的概念巳不再适用，由于铁电层反偏偶极子的开关作用，自发极化的增加对存储器的工作状态产生很小的影响。该模型可用于设计和工艺参数的优化，并由直观原型的方法得到了验证。     

大功率晶体管的保护电路

大功率晶体管调速系统中作为开关元件使用时，共优点是开关频率比可控硅的高，但是不注意保护就容易损坏。着重研究过电流故障，并对保护作用的影响进行了分析，进而提出了防止过电流的方法和工作原理。     

Unision SR1合并式扩大机

俗话说得好,世上唯一不变的事情就是变。这句话当真有理,看看连Unison这样“顽顾”的真空管大厂商也变了,新推出了真空管和晶体管的混血扩大机,此外还有一系列晶体前级后端要推出呢！这使得Unison成为产品线上从单端真空管机一直到纯晶体扩大机通通俱全的厂     

贝克曼AllegraTM21R型超高速离心机故障排除一例

贝克曼Allegra^TM 21R型超高速离心机开机后，操作面板上出现错误代码“28”，离心机不旋转。离心机的电机采用无刷感应驱动，由电机驱动电源模块BSMl0GD60DN2驱动离心机的电机。故障是由于电源模块BSMl0GD60DN2损坏引起的。采用东芝三相桥式IGBT电源模块MG25Q6ES42代替BSMl0GD60DN2，并更换已烧毁的栅极电阻后。开机试验，仪器恢复正常。     

Pn结雪崩击穿噪声的特点及利用

一、雪崩击穿噪声的特点1.pn结击穿噪声为雪崩击穿所特有.图1为击穿电压V_B与击穿噪声密度V_i关系曲线.从图1可以看到,当V_B<3V时噪声可忽略,在3～7V时急剧上升,在7V以上,则呈幂函数关系:V_i≈1.8×10~(-5)V_B~0.222.pn结击穿噪声频带比1/f噪声更宽.1/f噪声主要在1kHz以内,上限0.1～1MHz而雪崩击穿噪声在10kHz以内,上限10～100     

IDT推出预处理交换芯片增强无线基础设施效能

Silicon Laboratories日前针对以太网络用电装置（Powered Device，PD）应用推出业界最高集成度的IEEE802．3af以太网络供电（Powerover Ethernet，PoE）控制器。Si3400是唯一内置二极管桥式电路（diode bridge）、瞬时突波抑制电路和开关稳压器FET晶体管的PD控制器。Si3400控制器的高集成度大幅减少元器件用料和电路板面积，     

ASIC设计可选方案:运用低成本FPGA进行系统集成

根据摩尔定律，每隔18个月，处理器上的晶体管数量和性能就会翻一番。现在在其他很多相关领域比如存储器、总线接口、通信协议等也无一例外地遵循这一定律。     

读友信箱

耳机的基本知识及选购 Q市面上耳机那么多,它们都有什么不同,又该如何选购呢?另外,好些耳机标称的低频下限都在20Hz以下,真有这么低?