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121.
氧化钒薄膜制备后需要进行退火处理以降低非晶态氧化钒薄膜的方阻大小并改善薄膜结晶特性。传统退火方式时间较长且退火过程会导致器件性能降低。本文主要利用激光精确控制的特点处理氧化钒薄膜,通过平顶光路系统改变激光功率、高斯光斑形貌以及光斑的重叠率对氧化钒薄膜进行退火处理,主要研究了激光能量密度以及光斑重叠率对氧化钒薄膜的方阻,表面粗糙度以及结晶度的影响。实验结果表明激光功率为0.7 W,光斑重叠率为93.33%,光斑能量密度为62.2 mJ/cm2时,退火氧化钒薄膜的方阻值明显降低,薄膜表面光滑且氧化钒结晶度较好。 相似文献
122.
123.
在多通道合成孔径雷达动目标检测(SAR-GMTI)系统中,直接利用传统的后多普勒空时自适应处理(PD-STAP)技术进行杂波抑制会导致3个问题。第一,由于动目标径向速度引起的多普勒偏移会导致动目标出现谱卷绕,直接利用匹配滤波的方法对动目标聚焦会出现虚假目标。第二,在信号下采样的情况下,动目标聚焦位置会出现脉冲重复频率(PRF)的偏差,从而导致一个动目标可能出现在多个位置,使得动目标检测变得复杂。第三,利用传统的PD-STAP技术进行杂波抑制会导致很大的计算复杂性。基于此,该文提出一种基于Deramp处理的空时自适应处理方法进行杂波抑制处理,可以有效解决上述问题。该文最后通过仿真实验验证了该方法的有效性。 相似文献
124.
本文研究了高温(1300℃)氧化并在一氧化氮(NO)气体中进行氧化后退火方法对4H-SiC 金属-氧化物-半导体(MOS)电容的SiC/SiO2界面特性的影响,主要通过SiC MOS的电容-电压(C-V)特性详细讨论了NO退火时间和温度与SiO2/SiC界面特性的相互关系. 结果表明在NO气体中进行氧化后退火可明显降低界面态密度,并且界面态密度随着温度和时间的增加会进一步降低。 同时,与常规1200℃及以下氧化温度相比,1300℃下热生长的氧化层具有更低的界面态密度且显著缩短了氧化时间,节约了生产成本。 相似文献
125.
126.
C. Gontrand A. Merabet S. Krieger-Kaddour C. Dubois J. P. Vallard 《Journal of Electronic Materials》1993,22(1):135-141
The codiffusion of implanted boron and arsenic during rapid thermal annealing in a polysilicon/monocrystalline silicon system
used for high speed bipolar integrated circuit technology has been investigated. Such a process allows a uniformly high concentration
in the emitter regions. It induces a very shallow emitter-base junction depth for an n-p-n transistor. On the contrary, in
p-n-p configuration, when the arsenic dose is lower than the boron dose, boron deeply penetrates the single-crystal silicon,
causing problems for fabricating shallow junctions. The rapid thermal annealing-induced redistribution of arsenic and boron
implanted at various implant doses in a 380 nm low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) polysilicon layer has been studied
by secondary ion mass spectroscopy measurements. A strong lowering of the minority dopant diffusion in the polysilicon film
is observed due to the high concentration of the other dopant. This effect is mainly related to grain boundary trap saturation
while the electric field issued from dopant activation in the fastly recrystallized amorphous layer due to arsenic implantation
in the upper region of the LPCVD film has a lesser effect. Transmission electron microscopy measurements show that recrystallization
extends deeper than the amorphous layer, which is responsible for the increase of grain size. Sheet resistance measurements
have been performed as an approach to the electrical behavior for these structures. 相似文献
127.
128.
金属/碲镉汞电极接触是红外焦平面探测器的重要组成部分,对器件的性能与稳定性影响较大。然而在碲镉汞金属化过程中,金属离子能量较高将有可能对碲镉汞表面造成损伤。本文采用了离子束沉积系统生长金属电极,探究了束流、束压以及热处理等条件对碲镉汞红外探测器接触性能的影响。研究表明,碲镉汞在生长电极后表面会受到一定程度的损伤;随着离子能量的升高,对材料表面损伤加剧。在I-V曲线中,电极沉积损伤较大的器件表现出软击穿现象;在热处理后,在一定程度上可以修复电极沉积时能量过大造成的损伤,提高了电极接触性能。 相似文献
129.
采用射频磁控溅射的方法,用96at%SnO2/4at%Sb2O3陶瓷靶在玻璃表面制备了锑掺杂氧化锡(ATO)薄膜.研究了溅射功率、压强和后退火对薄膜近红外阻隔性能的影响,并采用Uv-Vis-NIR透射光谱、霍尔效应测试仪、XRD和SEM等设备对薄膜的性能和结构进行了测试和分析.结果表明,室温沉积的ATO薄膜近红外透光率较高,但在氮气中退火后,不同溅射压强和溅射功率下沉积的ATO薄膜的近红外透光率均显著降低.在氧含量为10%、压强为1.4Pa、溅射功率为200W时,室温下沉积的ATO薄膜在氮气中500℃下退火1h后,550nm处透光率由80.9%升高至85.8%,2 000 nm处透光率由84.6%下降至23.0%. 相似文献
130.
对不同钝化层结构的分子束外延(MBE)生长的HgCdTe外延材料的Hg空位浓度控制进行研究。获得了更高Hg空位浓度调控范围的外延材料,为后续新型焦平面器件的研发提供基础。研究发现,在热退火过程中,HgCdTe外延材料的Hg空位浓度的变化随着钝化层结构的不同而发生改变。且这种改变是因为HgCdTe表层的钝化层的存在改变了原始热退火的平衡态过程。同时,通过二次离子质谱(SIMS)测试以及相应的理论拟合进行了验证。 相似文献