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981.
A special version of conditional moment closure—PCMC—is suggested for modeling reacting flows in porous media. The model involves conditioning on a special tracer scalar, which is introduced to characterize scalar transport in the gaseous phase. (i.e., for the flow in the interparticle space or in the pores). The model accounts for interparticle variations of species concentrations and emulates diffusion in the interparticle space. Special boundary conditions that are consistent with conventional conditions at the phase interface are obtained for the PCMC model. The model is tested against complete direct simulation of a reacting flow in porous media with favourable results. 相似文献
982.
A. Saar M. Dovrat J. Jedrzejewski I. Balberg 《Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures》2007,38(1-2):122
Silicon nanocrystals (ncs) belong to an interesting class of semiconductor nanostructures that manifest size dependent electronic properties. This well known effect of quantum confinement can explain many properties of silicon ncs. However, with decreasing size and dimension of the ncs, the role of surface phenomena becomes substantial. For example, we have shown recently that the strong luminescence from these ncs should be assigned to the exclusion of nonradiative channels rather than to the enhancement of radiative inter-band transitions. In addition, using infrared intra-band transitions spectroscopy, we were able to resolve the quantized electronic sublevels of small silicon ncs. We have found that under appropriate conditions, these electronic sublevels are resonantly coupled to surface vibrations. We suggest that this coupling mechanism is responsible for the exclusion of nonradiative channels in silicon ncs. 相似文献
983.
984.
在ns激光辐照光学薄膜温度分布的基础上,利用最大剪应力理论建立了光学薄膜发生迎光剥落的理论模型,得到了发生损伤相应的应力分布和膜层剥落半径与入射激光能量关系.通过数值分析,验证了理论模型与实验结果基本保持一致,膜层临界损伤阈值与实验结论在数量级上保持一致;剥落半径与入射能量关系曲线与实验结果基本吻合.指出薄膜的损伤形态与其附着力强度有着密切关系,只有当附着力强度小于某一定值(~9.4×10^4N/cm^2)时,才会发生剥落. 相似文献
985.
986.
采用激光微细熔覆技术,利用钌系厚膜热敏电阻浆料,在质量分数为96%的Al2O3陶瓷基板上成功地制作出热敏电阻器。热敏电阻图形的极限线宽线距能达到60 μm。元件的电阻温度特性(TCR)值为2.33×10-3 /℃,热响应时间2.3 s,线性度达到0.6 ℃,有着良好的重复性、热稳定性和迟滞性。通过实验得出了激光处理工艺中参数对元件性能的影响规律。对所制作热敏电阻元件的各项电性能进行测量,并与传统工艺制作的元件进行了比较,测试结果证实新工艺制作的元件具有相对优良的特性,有较强的实用前景。 相似文献
987.
988.
研究了非晶态As2S8半导体薄膜在热作用下的结构变化效应.采用棱镜耦合技术、喇曼光谱测试技术,确认了As2S8薄膜经热处理后,薄膜密度增高和折射率增大的现象.实验表明,淀积态非晶As2S8半导体薄膜经紫外光饱和照射后,再经退火处理,当光折变在退火温度不低于160℃时,出现不完全可逆现象,可逆程度跟退火温度有关.实验显示,退火态非晶As2S8半导体薄膜在玻璃转化温度130℃时退火处理,光折变存在完全可逆现象.光传输实验显示,热处理后的非晶态As2S8半导体薄膜波导,其传输损耗减小了约4dB/cm. 相似文献
989.
采用反应热蒸发法制备掺Sn的In2O3(ITO)透明导电膜,系统研究了ITO薄膜生长的优先取向对其光电性能的影响.结果表明,ITO薄膜(400)取向的优先生长对其透过率影响很小,但可明显增加载流子迁移率,从而有效降低了薄膜的方块电阻.在两个相同的薄膜硅/单晶硅太阳能电池上分别沉积(222)和(400)ITO优先取向膜,光电转换效率分别为10.3%和12.9%,表明(400)取向更有利于提高电池效率.经优化,最佳衬底温度(Ts)为225℃,最佳氧流量(fO2)为4sccm.在优化的沉积条件下制备ITO薄膜,其电阻率可达到4.8×10-4Ω·cm,可见波段的透过率大于90%,性能指数为3.8×10-2□/Ω. 相似文献
990.
Sol-Gel法制备ZnO:Cd薄膜及结构特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用Sol-Gel法,结合旋转涂覆技术在Si(100)衬底上制备了ZnO∶Cd薄膜,并对其在600~800℃热处理。X-射线衍射仪(XRD)结果表明,ZnO∶Cd薄膜具有与ZnO同样的六角纤锌矿结构,且随着热处理温度的升高,(002)衍射峰的强度逐渐增强。峰半高宽(FWHM,ZnO(002))不断减小,并沿c轴择优取向生长;Cd掺杂后,未出现CdO或其他镉化物等杂质相,但在(002)峰-峰顶出现了分叉(多峰)现象。随着退火温度的升高,多峰消失,但这方面的报道甚少。扫描式电子显微镜(SEM)显示ZnO∶Cd晶粒粒径分布情况及表面形貌特征。以石英为基片的透射光谱实验计算表明,ZnO∶Cd薄膜的禁带宽度平均为3.10 eV;800℃,x(Cd)=8%样品的禁带宽度为2.80 eV,比纯ZnO晶体禁带宽度(3.30 eV)明显减小,这说明适度掺镉可降低薄膜的光学禁带宽度。 相似文献