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951.
八羟基喹啉镉薄膜制备及其光学特性 总被引:1,自引:0,他引:1
用真空蒸镀方法,在玻璃衬底上制备了衬底温度不同的八羟基喹啉镉薄膜.XRD分析表明,八羟基喹啉镉薄膜呈多晶态,且衬底温度越高,衍射峰越强,薄膜的结晶性能逐渐变好,结晶晶粒尺度也越大.AFM研究表明,衬底温度升高,薄膜表面形貌越均匀有序,质量变好.MM-16相调制型椭圆偏振光谱仪研究发现,衬底温度升高导致反蒸发增强,薄膜生长速率减小,随着入射光波长的增加,薄膜的折射率和消光系数逐渐减小.随着衬底温度升高,因薄膜晶粒尺度增大,折射率和消光系数也增大;并给出了它们的变化范围. 相似文献
952.
计算机动画在教学片中的设计和应用 总被引:1,自引:0,他引:1
计算机动画是多媒体应用系统中不可缺少的重要技术之一,动画作为人们喜闻乐见的信息表现形式,在计算机的多种信息媒体中受到了人们的普遍欢迎,其应用范围从专业影视片的制作、广告宣传、工程设计到教育、教学培训几乎无处不有。主要介绍计算机动画在教学片中的设计和应用。 相似文献
953.
介绍了国内外对电磁屏蔽膜(EMI)研究的现状,比较了制备EMI膜的各种方法,指出采用磁控溅射法制备的EMI膜质量较好,并给出制备EMI膜的工艺流程。 相似文献
954.
955.
在电路板制印中,底片的制作质量是一个关键的因素。文章主要探讨电路板制印中怎样保证底片制作的质量和一些常见故障的处理方法。 相似文献
956.
957.
采用射频反应溅射法在玻璃衬底上制备Zn3N2薄膜,然后向真空室中通入纯氧气进行热氧化制备ZnO薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测量、透射光谱和光致发光光谱等表征技术,研究了氧化温度和氧化时间对ZnO薄膜的结晶质量、电学性质和光学性能的影响.研究结果显示,450℃下氧化2h后的样品中除含有ZnO外,还有Zn3N2成分,500℃下氧化2h可以制备出电阻率为0.7Ωcm,空穴载流子浓度为1017cm-3,空穴迁移率为0.9cm2/Vs的具有c轴择优取向的p型ZnO薄膜.此时的ZnO薄膜具有良好的光学特性,紫外可见光范围内透过率为85%,处于紫外区域的激子复合产生的发光峰很强,且半高宽较窄,而处于可见光部分来自于深能级发射的绿色发光峰很弱.这种工艺制备的ZnO薄膜质量较好,有利于实现在短波长光电器件方面的应用. 相似文献
958.
利用傅立叶转换红外光谱和Raman谱仪分析了0.98 GeV的Fe离子在电子能损Se为3.5 keV/nm时, 不同辐照剂量(5×1010 —8×1013 ions/cm2)下, 在C60薄膜中引起的辐照损伤效应。 分析表明, Fe离子辐照引起了C60分子的聚合与损伤。 在辐照剂量达到一中间值1×1012 ions/cm2, C60分子的损伤得到部分恢复, 归因于电子激发引起的退火效应。 通过对Raman数据的拟合分析, 演绎出Fe离子辐照在C60材料中形成的潜径迹截面或引起损伤的截面约为1.32×10-14 cm2。 相似文献
959.
Coplanar Phase Shifters Based on Ferroelectric Thin Films 总被引:2,自引:0,他引:2
Chunlin Fu Fusheng Pan Hongwei Chen Shucheng Feng Wei Cai Chuanren Yang 《International Journal of Infrared and Millimeter Waves》2007,28(3):229-235
Barium strontium titanate (Ba0.6Sr0.4TiO3, short for BST) thin films were prepared by RF-magnetron sputtering. The dielectric tunability, loss tangent, remanent polarization
(2Pr) and coercive electric field (Ec) of the BST films are respectively 29.5%, 0.013, 2.29 μC/cm2 and 22.27 kV/cm at 1 kHz and 20 V. The designed coplanar waveguide (CPW) phase shifter consists of 56 same sections. It is
shown that the fabricated lines of electrodes are smooth and the widths at the tip of bottom electrodes are about 5 μm. At
the central frequency of 28 GHz and a bias voltage of 20 V, the figure of merit is approximately 13°/dB. 相似文献
960.
A. V. Kukhto É. É. Kolesnik A. L. Gurskii E. V. Lutsenko K. A. Osipov V. N. Pavlosvskii Yu. V. Grazulyavichyus A. Nedelcheva I. K. Grabchev 《Journal of Applied Spectroscopy》2007,74(6):915-920
We have studied the effect of the intensity of the exciting radiation and the temperature on the emission properties of two
kinds of thin-film samples based on blends of two types of organic electroactive materials: polyfluorene + iridium triphenylpyridinate
and polyepoxypropylcarbazole + zero-th order PAMAM dendrimer with eosin. We have shown that an increase in the excitation
intensity leads to an increase in the intensity of the luminescence of the polymer matrices and the iridium complex up to
a power density of 300 kW/cm2, and the emission of the dendrimer is rapidly saturated and does not return to the initial value when the excitation level
decreases. Heating up to 170°C followed by cooling causes an increase in the intensity for all the components except the dendrimer.
The data obtained show that annealing is an important method for improving the emission efficiency of the proposed thin-film
structures, due to a change in the packing of the activator molecules in the polymer matrix leading to more efficient transfer
of the excitation energy. Molecules of the studied dendrimer are not stable when exposed to optical radiation and temperature.
__________
Translated from Zhurnal Prikladnoi Spektroskopii, Vol. 74, No. 6, pp. 820–825, November–December, 2007. 相似文献