Eine Dichtigkeitsprüfanlage für Halbleiterbauelemente auf der Grundlage von 85Kr

Auf der Basis von ⁸⁵Kr wurde ein Prüfstand für die routinemäßge Dichtigkeitsprüfung von Halbleiterbauelementen entwickelt und gebaut. Die Anlage arbeitet mit einer Aktivkohlepumpe und ist für einen Maximaldruck ion 13 kp/cm² und eine Maximalaktivität von 40Ci⁸⁵Kr ausgelegt. Es werden einige theoretische Angaben zur Methode gemacht und der Auf ban sowie die Funktionsweise des Prüfstandes beschrieben. Die erhaltenen Ergebnisse werden mit denen anderer Methoden verglichen.     

Ionenstrahlätzen – Verfahren und Ausrüstungen für die Mikrostrukturierung

Ion beam techniques are widely used jur modification as well us analysis of materials in development and production of VLSI circuits and their importance is continuously increased in course of the reduction of structure dimensions. Some possibilities and problems connected with the application of ion beams of low energy in the pattern transfer are- described and the stage of development achieved in the Central Institute of Isotope and Radiation Research is outlined.     

Untersuchung von Mischvorgängen bei der Herstellung von Kohlenstoffund SiC-Werkstoffen mit Hilfe der Methodik der radioaktiven Markierung

Fūr die Herstellung von Kohlenstoff- und SiC-Werkstoffen ist eine gute Vermischung der festen und flüssigen Komponenten die notiwendige Voraussetzung. Da andere Methoden meist zu zeitaufwendig sind, wurden im VEB EKL seit mehr als 10 Jahren Versuchsreihen mit der Methodik der radioaktiven Markierung einer der Mischungskomponenten zur Untersuchung des Mischvorgangs für Maschinen bis zu 2000 kg Fülung angewandt, wobei sich die Fremdmarkierung mit ⁸²Br-Naphthalin als vorteilhaft erwiesen hat. Der Mischungszustand wird durch statistische Auswertung der Radioaktivität von Probenserien, deren γ-Strahlung gemessen wird und deren Masse in Abhängigkeit von der Mischergröβ 1 bis 100 g je Probe beträgt, charakterisiert. Zusätzlich wird die Feinverteilung durch Kontaktautoradiographie von ebenen Probenoberflächen, ebenfalls für Probenserien, bestimmt.     

ChemInform Abstract: A New Naturally‐Occurring Nanoporous Copper Sheet‐Silicate with 6482 Cages Related to Synthetic “CuSH” Phases.

The structure of a new naturally‐occurring nanoporous copper silicate of formula Na₂CaCu₂Si₈O₂₀ ·H₂O is reported and its relations to synthetic nanoporous, so‐called CuSH phases is discussed.     

基于静力悬浮原理的单晶硅球间微量密度差异精密测量方法研究

单晶硅球间微量密度差异测量是阿伏伽德罗常数量子基准定义的重要研究内容, 也是半导体产业中高纯度单晶硅制备工艺质量控制的主要方法. 为了改善现有非接触相移干涉法测量装置复杂和静力称重法测量不确定度低的特点, 根据单晶硅密度精密测量需要, 实现了一种基于静力悬浮原理的单晶硅球密度相对参比测量方法. 通过改变静压力和温度进行三溴丙烷和二溴乙烷混合液体密度的微量调节, 分别使两个待测单晶硅球在液体中悬浮, 根据悬浮状态时的液体温度和悬浮高度计算出待测单晶硅球密度差值. 通过双循环水浴和PID温度控制系统实现±100 μK的恒温液体测量环境. 通过图像识别和迭代拟合算法实现单晶硅球悬浮高度的测量. 使用PID静压力控制系统实现单晶硅球的稳定悬浮控制, 同时减少Joule-Thomson效应引起的液体温度改变. 利用静力悬浮模型中的温度变化和静压力变化线性关系准确测量出标准液体的压缩系数. 试验结果表明, 这种测量方法可以避免液体液面张力的影响, 测量相对标准不确定度达到2.1×10^-7, 能够实现单晶硅球密度差值的精密测量.     

The influence of incidence angle on disorder production in Cl and Ar ion implanted Si

Abstract

Cl and Ar ions have been implanted, at 30 keV and at various incidence angles, into Si substrates maintained at room temperature during implantation. Implantation induced Si disorder was measured using RBS channelling. The effects upon disorder of various incidence angles were studied over a fluence range of 10¹²-6·10¹⁵ ions·cm^?2

The results show that, at low fluences Cl and Ar ion implantations generate a bimodal disorder-depth profile, whilst at higher fluences measurements of amorphised layer thickness as a function of ion incidence angle allow values of the standard deviation of the disorder profile parallel and transverse to the ion beam direction for each ion to be obtained with good agreement to theoretical predictions. The disorder-fluence behaviour under these conditions is ion species independent.     

Temperature dependence of ion-induced auger electron emission from (111) silicon: I. Experiments

Abstract

Measurements of both secondary electron emission coefficient γ and SiL₂₃ Auger yield ρ_A obtained from (111) Si target bombarded by high fluence of noble gas ions were performed. For Si irradiated at room temperature at doses more than 10¹⁷ ions per cm², monotonous increasing variation of γ and ρ_A versus incidence angle i was observed. For Si irradiated at a temperature more than a critical value, γ(i) and ρ_A(i) curves exhibited, superimposed to monotonous variation, some minima when the ion beam penetrates the crystal along low index directions. In the range 20–650°C, the Auger yield temperature dependence showed a sharp variation around a critical value depending on the ion mass for a given incident energy. These results are linked to an amorphous-crystalline phase transition.     

Isotopic mass effects for low-energy channeling in a silicon crystal

Monte Carlo (MC) simulations have been used to study the low-energy channeling of ¹⁰B and ¹¹B ions along the [100] axis in Si crystal. MC simulations show that the critical angle Ψ_C ≈ 15.3(keV/E)^1/2 (in degrees) for the channeling of isotopic ¹⁰B ions and Ψ_C=14.5(keV/E)^1/2 (in degrees) for the channeling of isotopic ¹¹B ions, where E is the incident energy. This means that (Ψ_{C for 10B ions}/Ψ_{C for 11B ions})≈ (15.3/14.5)≈ (11/10)^1/2.     

Influence of 120 MeV Si9+ ion irradiation on ZnTe semiconductor thin films

ABSTRACT

ZnTe (Zinc Telluride) is a potential semiconducting material for many optoelectronic devices like solar cells and back contact material for CdTe-based solar cells. In the present study, ZnTe thin films were prepared by thermal evaporation technique and then irradiated with 120?MeV Si⁹⁺ ions at different fluences. These films are characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and UV–Visible spectroscopy techniques. XRD study confirms increased crystallinity and grain growth for post-irradiated ZnTe thin films for fluences, up to 1?×?10¹¹ ions cm^?2. However, the grain size and crystallinity decreased for higher fluence-exposed samples. SEM images confirm the observed structural properties. Modification of the surface morphology of the film due to the ion irradiation with different fluences is studied. Optical band gap of film is decreased from 2.31?eV (pristine) to 2.17?eV after irradiation of Si⁹⁺ ions.