具有六重穿插非中心对称金刚石网络结构的Cd(Ⅱ)和Zn(Ⅱ)的配位高聚物(英)

利用1，4-二-(4-羧基吡啶基)丁烷(L)合成了两个新的三维配位聚合物{(CdL₂)·4H₂O·2ClO₄}_n 1和{(ZnL₂)·4H₂O·2ClO₄}_n 2。单晶X-射线结构分析表明，1和2具有相同的计量式，但其晶体属于不同的空间群(1属于P4n2，2属于P4₂22)。两种配合物中，每个金属离子分别由配体与四个相邻的金属离子连接，从而形成具有六重穿插的金刚石网络结构，其网络中大的空腔被高氯酸根离子和(H₂O)₄分子簇所占据。     

Nd扩渗BaTiO3陶瓷的电性能与XPS研究

采用气相法对钛酸钡陶瓷扩渗Nd元素, 经Nd扩渗BaTiO3陶瓷的电性能发生了十分显著的变化. 通过正交实验, 确定了最佳扩渗条件, 当Nd的浓度为2%, 扩渗时间为4 h, 扩渗温度为860 ℃时, BaTiO3陶瓷的导电性最好,其室温电阻率从4.3×109 Ω*m下降为37.45 Ω*m, 而且随着温度升高, 交流电导逐渐增大, 导电性更强. Nd扩渗使BaTiO3陶瓷的介电常数增加, 而介电损耗降低, BaTiO3陶瓷的介电性能得到了显著改善. 经Nd扩渗BaTiO3陶瓷的介电常数随着温度的变化呈明显的PTC效应, 其居里温度降低为118.1 ℃. 经XPS测试分析, 给出了Nd扩渗BaTiO3陶瓷体系中各元素结合能位置的峰值, 并表明 Nd扩渗BaTiO3陶瓷中Nd, Ba, Ti都存在变价, 因而导致了BaTiO3陶瓷导电性的增强.     

(4S)-4-羧基杂氮硅三环的合成

利用L-N,N-双(β-羟乙基)丝氨酸及L-N,N-双(β-羟乙基)苏氨酸与三乙氧基硅烷或氯烷基三乙氧基硅烷反应合成了具有手性的(4S)-4-羧基杂氮硅三环(1～5),并运用IR、~1HNMR、EI-MS等手段表征了结构。证据显示存在着贯穿笼状结构的N→Si配键。     

1-氨基环丙烷-1-羧酸的合成: 新型植物生长调节剂

本文报道了合成1-氨基环丙烷-1-羧酸的简便而价廉的方法,即乙酰乙酸乙酯法和α-氰乙酸乙酯法;并测定了产品的结构。     

三硼酸锂晶体的生长形态

用自由生长系统研究了三硼酸锂ＬｉＢ_３Ｏ_５（ＬＢＯ）晶体的实际生长形态。实验表明，它的各晶面簇的重要性的顺序为：｛１１０｝＞｛０１１｝＞｛２０１｝＞｛１１１｝。讨论了ＬＢＯ晶体的生长习性与内部结构之间的关系并应用负离子配位多面体理论模型解释了ＬＢＯ晶体的生长形态。     

Ph(SiMe_2)_nPh体系π→π~*UV谱的研究

本文依据Spin-Free理论,使用Gelfand基构造多电子波函数,采用四轨道模型,对Ph(SiMe_2)_nPh体系(n=1～6)的π→π*跃迁进行了EHMO-CI计算,所得第一及第二跃迁能与UV谱的实验结果基本一致。当体系硅链原子数增加时,第一吸收带红移的现象起因于LUMO中d轨道成份增加,导致电子排斥作用变化。在LUMO中,硅链上的d轨道以πd的形式与苯环π~*轨道进行πd—π~*共轭互相作用,这种作用很可能与第一吸收带的强度有内在的联系。     

单原子分散含Ni复合氢氧化物的制备及POM反应研究

以共沉淀法合成的系列NiMgAl单原子分散复合氢氧化物(NMA-HTLC)为前驱物, 经过焙烧制得复合氧化物催化剂. 并考察了不同催化剂的焙烧温度、还原温度、反应温度对催化甲烷部分氧化反应的影响.     

Y2O2S∶Eu3+,Mg2+,Ti4+长余辉材料制备中烧结条件和助熔剂的影响

Y2O2S∶Eu3+;Mg2+;Ti4+长余辉材料制备中烧结条件和助熔剂的影响;Y2O2S∶Eu3+;Mg2+;Ti4+; 烧结条件; 助熔剂; 发光性质