闪光灯泵浦Nd3+:GGG激光特性研究

用闪光灯泵浦掺钕钆镓石榴石(Nd^3 ：GGG)激光晶体，研究了脉冲宽度0．5ms、1ms、1．5ms和2ms的放电泵浦下激光输出，实验获得了1．92J的最大激光能量．     

掺Er Al2O3光波导薄膜材料的制备及光学特性

介绍了掺ErAl2O3光波导薄膜的四种典型制备方法的研究结果。比较铒的发光环境和发光特性,分析了影响光致发光强度和寿命的条件和因素。不同工艺制得的Er∶Al2O3薄膜,膜内成分、膜的晶相、掺杂浓度等对Er3 的发光特性均有影响。退火对发光特性及材料具有改善作用。     

在SNMPv3体系结构下计费模型的实现

提出了一种在SNMPv3体系结构下实现的计费模型，讨论了其PDU格式，计费过程和SNMP实体的结构，该模型对现有SNMPv3体系结构作了最小的改动，它的提出增强了SNMP的重要性，扩展了SNMP的应用范围。v     

BaxSr（1—x）TiO3多层膜椭偏光谱研究

用溶胶－凝胶技术在Bi(100）衬底上制备了单层和渐变型多层的BaxSr(1-X)TiO3薄膜，其膜层组分分别为：Ba0.7Sr0.3TiO3,Ba0.8Sr0.2TiO,Ba0.9Sr0.1TiO3,BaTiO3，对生长制备出的多层BaxSr(1-X)TiO3薄膜进行了变角度椭偏光谱测量，通过椭偏光谱解谱分析研究，首次得到了BaxSr(1-X)TiO3多层膜结构不同膜层的膜厚和光学常数，其结果显示：椭偏光谱分析得到的不同膜层的膜厚与卢瑟福背向散射测量得到的结果基本相符；渐变型多层膜中BaTiO3薄膜的折射率比单层BaTiO3薄膜折射率大许多，与体BaTiO3的折射率相接近，这说明渐变型多层膜中BaTiO3薄膜的光学性质与体材料的光学性质接近。     

激光水下成像技术及其进展

介绍了近年发展起来的三种主要的激光水下成像方法，即常规水下激光成像、高分辨率水下激光三维成像和偏振激光成像，分析了它们各自的工作原理、特点以及各自的发展状况。     

基于ARM微处理器的故障记录系统

给出了在普通数据采集基础上的故障记录系统的设计方案,利用ARM微处理器实现了模拟信号较完整的故障波形记录和开关信号的事件顺序记录(SOE)。对LPC2106ARM系列处理器、ADS7871模/数转换器以及数据通信接口等内容进行了讨论,阐述了系统的工作原理、软件处理方式、系统通信。该设计方案电路简单,特别适用于电力系统。     

IS-2000规范在Walsh Code定义上的局限性

本文针对IS-2000规范关于W alsh Code的定义,发现IS-2000规范有关W alshCode的定义不合理,在前向RC 3下限制了最大数据用户数和最高数据速率;如按本文修改规范关于W alsh Code的定义,不但可以在前向RC 3下提高最大数据用户数,同时在理论上可以将最高数据速率提高一倍。     

基于OpenGL的包装纸盒设计的三维实现

提出了基于OpenGL技术的一种由面模型构造三维盒体的方法,以多边形组成一个面、以面为基本单元构造纸盒,并将其应用于三维包装纸盒设计系统的开发中,该系统不仅实现了纸盒结构的二维平面设计,而且能够仿真三维盒型,并采用贴图技术看到装潢设计的立体效果。     

一种新的网络对象存储设备研究

Internet的飞速发展对于存储系统的可扩展性提出了很高的要求,也带来了由数据模型与存储模型的不一致问题引起的服务器性能瓶颈现象.针对这些情况,本文提出了网络对象附属存储设备(NAOSD)的概念,其利用设备处理器的能力直接支持结构化数据存储.这一设计减少了存储系统中数据服务器的负载,增加了系统吞吐量.同时,研究了该设备原型在集群环境中的应用,提出了数据/元数据统一存储与查询式数据定位机制.分析表明,这些机制能够较显著地提高系统扩展性——数据访问时间随系统规模的扩大呈对数增长,优于传统的映射定位机制.我们已经模拟实现了NAOSD,并在性能比较测试中取得了较好的效果.     

Enhanced thermal stability of a sputtered titanium-nitride film as a diffusion barrier for capacitor-bottom electrodes

The effect of a thin RuO_x layer formed on the Ru/TiN/doped poly-Si/Si stack structure was compared with that on the RuO_x/TiN/doped poly-Si/Si stack structure over the post-deposition annealing temperature ranges of 450–600°C. The Ru/TiN/poly-Si/Si contact system exhibited linear behavior at forward bias with a small increase in the total resistance up to 600°C. The RuO_x/TiN/poly-Si/Si contact system exhibited nonlinear characteristics under forward bias at 450°C, which is attributed to no formation of a thin RuO_x layer at the RuO_x surface and porous-amorphous microstructure. In the former case, the addition of oxygen at the surface layer of the Ru film by pre-annealing leads to the formation of a thin RuO_x layer and chemically strong Ru-O bonds. This results from the retardation of oxygen diffusion caused by the discontinuity of diffusion paths. In particular, the RuO_x layer in a nonstoichiometric state is changed to the RuO₂-crystalline phase in a stoichiometric state after post-deposition annealing; this phase can act as an oxygen-capture layer. Therefore, it appears that the electrical properties of the Ru/TiN/poly-Si/Si contact system are better than those of the RuO_x/TiN/poly-Si/Si contact system.