银—氧—铯光电阴极的发射特性

本文从实用出发来研究半透明Ag-O-Cs阴极。重点叙述能使阈值液长延伸到1.3μm和积分灵敏度提高到60～80μA/lm的工艺改进方法,并作出物理解释;同时采取一种能使Ag-C-Cs阴极的热电子发射至少下降一个数量级的有效措施;扼要地描述工作电压对长波响应的影响并揭示外部电场对阴极红外响应的作用。     

EL34 AB类推挽放大器与UL接法推挽放大器的比较

一、EL34 AB类推挽放大器EL34 AB类放大器电路原理如图1所示。它与B类工作时的电路结构完全相同。输出级的栅极偏置电压-24.6V时,屏极电流64mA,帘栅极电流8.3mA。屏极电压374V时,其功耗为24W;帘栅极电压360V时,其功耗为3W。EL34的屏极额定功耗为25W;帘栅极为8W,说明该放大器实际功耗低于极限功耗。     

LTCC双波段定向耦合器设计与分析

文中介绍了双频手机前端用的LTCC定向耦合器的工作原理及其结构形式，并就其设计要求从LTCC微带结构和微波耦合特性两个方面进行系统分析。     

3.5GHz固定无线接入业务应用及干扰特性分析

1 3.5GHz无线接入频率资源情况 2000年4月,信息产业部无线电管理局发布<关于3.5 GHz频段无线接入使用频率的通知>,规划了3.5 GHz无线接入系统业务的工作频率,具体为上行频段3399.50～3431.00MHz,下行频段3499.     

显像管调制特性的测量与分析

测试了显象管调制特性曲线，并分析了特性曲线与显像管工作原理．     

开关结构对a-SiTFT-LCD光学特性的影响

分析非晶硅薄膜晶体管在a-SiTFT-LCD中的开关特性，讨论这种开关结构中的主要功能膜材料尺寸与性能参量、光刻制备工艺，存储电容以及栅脉冲延迟效应等对a-SiTFT-LCD的通断电流比，信号响应与保持特性，图像亮度与对比度等光学特性的影响。     

基于半导体材料的新型光纤温度传感器

提出利用全反射定律以半导体材料作为敏感器件的光纤温度传感器，着重阐述半导体材料的温度敏感特性及传感原理，介绍传感器构造，并给出初步实验方案。     

Cu-MgF2复合纳米金属陶瓷薄膜的电导特性研究

用射频磁控共溅射法制备了Cu体积分数分别为 10 % ,15 % ,2 0 %和 3 0 %的Cu MgF2 复合金属陶瓷薄膜 .用x射线衍射、x射线光电子能谱和变温四引线技术对薄膜的微结构、组分及电导特性进行了测试分析 .微结构分析表明 :制备的Cu MgF2 复合薄膜由fcc Cu晶态纳米微粒镶嵌于主要为非晶态的MgF2 陶瓷基体中构成 ,Cu晶粒的平均晶粒尺寸随组分增加从 11 9nm增至 17 8nm .5 0— 3 0 0K温度范围内的电导测试结果表明 :当Cu体积分数qM 由 15 %增加到 2 0 %时 ,Cu MgF2 复合薄膜的电阻减小了 8个量级 ,得出制备的复合薄膜渗透阈qCM 应处于 15 %和 2 0 %之间 .qM 在 10 %和 15 %之间的薄膜呈介质导电状态 ,而在 2 0 %和 3 0 %之间的薄膜则呈金属导电状态 .从理论上讨论了复合薄膜中杂质电导和本征电导的激活能及其对电导的贡献 ,并讨论了Cu MgF2 复合纳米金属陶瓷薄膜的渗透阈 ,得到了和实验一致的结果