一种应用于ADC带曲率补偿的高精度带隙基准源

设计了一种应用于工作电压为1.8 V的流水型模数转换器(ADC)的带隙基准源。与传统电流模式带隙基准源不同,该带隙基准源采用曲率补偿技术,降低了温度系数,提高了精度。分析提高电源抑制比的方法,设计低压共源共栅电流镜偏置的折叠式共源共栅运放,提高了带隙基准源的电源抑制比。采用CSMC 0.18μm CMOS工艺,获得了900 m V的带隙基准,Spectre仿真结果表明,带隙基准源正常启动,在-40~125℃温度范围内温度系数低至3 ppm/℃,低频时的电源抑制比达89 d B。     

一种高精度自偏置共源共栅的CMOS带隙基准源

介绍了一种高精度的CMOS带隙参考电路(BGR),它采用自偏置共源共栅电流镜,不需要运放.通过在传统共源共栅结构中加入一简单的反馈晶体管和几个电阻,分别构成了电源抑制和曲率补偿电路.用Spectre工具和0.35μm CMOS模型进行了仿真,结果表明电源抑制和温度特性均得到明显改善.直流时的电源抑制比(PSRR)为93dB,-40~ 125℃温度范围内的温度系数为7ppm/℃.     

应用于A/D转换器中的基准电压源的设计

基准电压源是A／D转换器中非常重要的模块，它的稳定性直接影响着A／D转换器的性能。在TSMC0.18μm/3.3V N-well CMOS工艺条件下，温度系数可达十几个ppm／C。在频率等于100kHz时，PSRR达到54dB，功耗只有0．25mW。     

基准电流源的小信号分析与设计

研究了一种常用Widlar型基准电流源结构,分析电源电压对于基准电流的影响.通过引入小信号分析方法,建立基准电流源的小信号等效模型,运用反馈电路分析理论,得出基准电流与电源电压之间的关系.进而通过改进基准电流源的结构以增大反馈回路增益,减小电源电压对于工作点的影响,设计出一个具有高电源抑制比的基准电流源.该电路经由UMC 0.6 μmBICMOS工艺仿真,当电源电压在2.7～5.5 V时,其电源抑制比高达193 dB,电压调整率仅为250×10-6/V.     

高性能带隙基准电压源的设计

本文基于带隙基准电压源的工作原理,实现了一种利用PATA电流产生基准电压的高性能带隙基准源。该带隙基准源温度特性良好,具有较高精度的输出电压,所以使电源管理芯片的工作电压具有更小的温度系数,使芯片工作更稳定。利用Candance仿真器,基于CSMCO．5umCMOSI艺对电路进行仿真,对基准源进行仿真与分析。仿真结果表明,当R2=316时,基准电压有最好的温度特性;并运用cadence软件中的“Calculator”工具计算出在该温度时,带隙基准电压源有最小的温漂系数。     

一种高性能带隙基准源的设计与分析

提出了一种采用0.6ΜM 1P1M(单层POLY,单层METAL)CMOS工艺的高性能带隙基准电压源电路(BGR)设计。该电路能够在电压范围[4.0 V,6.0 V]内稳定工作,实现了一阶PTAT(与绝对温度成比例)温度补偿,并具有较好的电源抑制比和较低的温度系数,应用在热释电红外传感器专用控制芯片之中。HSPICE模拟和芯片测试结果表明,其电源抑制比可达到65 DB,在0℃~70℃范围内精度可达到23×10-6/℃,当VDD为5 V时功耗仅为158.694 5ΜW。     

基准电压波动对∑-△A／D转换性能的影响

∑-△A／D转换器需要一个基准电压作为参照进行模／数转换，因此，基准电压上的任何变化都会直接影响到A／D转换的结果。文章推导分析了基准电压的DC及AC波动对∑-△A／D转换结果的影响机制，并用一个三阶∑-△A／D转换器实例，在Matlab仿真环境中验证了分析结果。文章的结论可用于指导∑-△A／D转换器芯片中带隙基准源模块的电源抑制比设计。     

用于射频SOC芯片的低噪声高电源抑制比LDO

设计了一种能够为射频芯片提供低噪声、高PSRR、全集成LDO.采用SMIC 0.18μmRF工艺实现,芯片有效面积0.11 mm2.测试结果表明:当输出电流从0跳变为20 mA时,最大Ripple 为100 mV,稳定时间2μs;当输出电流为20mA,频率到1 MHz的情况下,PSRR＜-30 dB;从1～100 kH...     

一种高电源抑制比和高精度带隙电压源设计

介绍了一种BiCMOS工艺制作的高电源抑制比和高精确度的带隙基准电压源,其输出电压为1.2 V,在-40℃~80℃范围内有较好的温度特性,温度漂移系数为9.8×10-6℃-1。采用电压负反馈原理和减少耦合电容的方法,使电路具有高的电源抑制比,并且电路结构简单,匹配性好。采用Hspice工具对电路进行了仿真,验证了设计的正确性。该电路能广泛用于在电源环境恶劣的场合下工作的集成电路中。