印刷法制作OLED

凸版印刷公司开发了印刷法制作OLED新技术，解决了现有真空蒸镀技术很难制作51cm（20in）以上OLED屏的难题。该技术开发样品尺寸为14cm（5．5in），分辨率为80ppi，像素间隙为300μm。计划2007年开始正式投入生产。     

下一代光刻开发的进展

虽然下一代光刻(NGL)技术的开发仍在继续大力开展工作，但许多人一直支持“不断延续光学光刻”的呼声。248nm光刻性能的进一步扩展，更激励许多企业界人士指望用193nm光刻来完成45nm技术节点的光刻。     

PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究

在玻璃衬底上采用常规的PKCVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗较(直径＞100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后，沉积速率提高了近10倍。分析认为，在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFmHn(m n≤3)，而不可能是SiHn(n≤3)基团。     

Ku波段波导型双工器的研制

采用高精度的模式匹配法设计了一种Ku波段波导型双工器。双工器采用H面T接头和E面横向膜片波导带通滤波器。采用该方法设计的双工器精度高，结构简单，便于加工。文中也将理论结果和实测数据进行了比较，两者吻合得很好，证明了模式匹配法的精确性和有效性。     

具有控制项的限定记忆卡尔曼滤波器

在已有的限定记忆卡尔曼滤波器的基础上 ,将确定性先验信息作为控制项加以应用 ,推导出了完整的限定记忆卡尔曼滤波公式 ,从而在记忆长度确定的情况下 ,有效地减小了模型不准的误差 ,降低了滤波总误差。仿真同样表明了该方法的有效性     

基于对地观测激光回波特征的目标特性研究

本文研究了对地观测激光回波特征与地面目标特征之间的关系模型，分析了分类地面目标的激光回波特征，提出一种基于查表法的目标特性计算方法并给出了仿真结果。     

矩量法结合AWE技术分析阵列天线

从工程角度出发,应用AWE技术结合矩量法分析阵列天线的辐射特性。首先采用投量法求解阵列天线的电场积分方程,得到某一频率点的电流分布和输入阻抗;然后通过Pade逼近获得任意频率的导纳,从而得到阵列天线的频率响应;最后针对一六单元八木阵列天线进行分析,给出了天线上的电流分布、输入导纳以及辐射方向图,并对AWE/MOM与MOM的计算结果进行比较,两者比较接近,但AWE/MOM可大大加快计算速度。     

双级染料激光放大器泵浦能量分配的数值研究

用染料激光放大器的横向稳态泵浦理论，对不同的入射光能量选择不同的增益计算方法，研究了双级染料放大器的泵浦能量分配比例、泵浦光总能量和信号光能量大小对激光增益的影响。计算结果表明，对于其他参数确定的放大系统，存在着最佳的泵浦能量分配比例，可获得最大增益输出。通过自编程序的计算，可方便地找出特定系统泵浦能量分配比例的最佳值。     

机抖激光陀螺抖动机构的温度特性的研究

研究了机抖激光陀螺抖动偏频量与温度之间的关系。通过大量的重复性高低温实验,证明了抖动偏频量与温度的线性关系,并得到了拟合直线表达式。结果表明,抖动偏频量与温度具有较好的线性关系,而且具有较好的重复性。同时用抖动偏频量对陀螺的零漂进行补偿,提高了陀螺的精度。     

高密度互连印制板

本文阐述了RCC材料与化学蚀刻法制作高密度互连印制板的工序和详细方法,意在探寻最为经济、简单而又行 之有效的工艺。