互连延迟的分析分析方法

随着工艺技术到达深亚微米领域，互连线的延迟影响越来越大，已经超过门延迟，成为电路延迟的主要部分。因此，互连线的延迟已成为集成电路设计中必须解决的问题。目前人们已展开了全面、深入地研究，提出了许多方法。本文将介绍各类互连延迟的评估分析方法，分析它们的原理，比较它们的优缺点。指出它们的适用范围。     

300MSPS高速10位D/A转换器AD9751

AD9751是一种转换速率可高达30MSPS的高速数模转换器,它具有双端口输入,转换精度高,速度快,功耗小,成本低等诸多优点。同时具有优异的交,直流特性,可广泛应用于需要数据转换的应用场合,同时可拓展高速数字系统中的应用,文中介绍了AD9751的主要特点和工作原理,讨论了它的内部PLL及高速数字接口等应用问题。     

ULSI低介电常数材料制备中的CVD技术

综述了制备ULSI低介电常数材料的各种CVD技术。详细介绍了PCVD技术淀积含氟氧化硅薄膜、含氟无定型碳膜与聚酰亚胺类薄膜的工艺,简要介绍了APCVD技术淀积聚对二甲苯类有机薄膜及RTCVD技术淀积SiOF薄膜的工艺。     

基于供体调节的含硼热活化延迟蓝色荧光材料的理论研究

基于含硼热活化延迟荧光化合物p-AC-DBNA (a),通过在供体吖啶部分添加两个氮原子,设计了一系列新的热活化延迟荧光分子b1∽b4. 使用密度泛函理论和含时密度泛函理论计算了化合物a和b1∽b4的前线轨道能级、发射光谱、单重态-三重态能隙、反向系间窜越速率常数. 计算结果表明,与分子a相比,新设计分子的最大发射波长显著蓝移了47∽125 nm. 其中,b1和b3分子发射深蓝色荧光,而b2和b4分子发射浅蓝色荧光. 此外,发现了a、b2和b4分子中的反向系间窜越过程不仅可以通过从T₁态到S₁态的跃迁来实现,而且也可能通过从T₂态到S₁态的跃迁来实现. b1和b3分子中的反向系间窜越过程主要通过T₂→S₁过程的热激子方式发生. 重要的是,计算得到的b2和b4分子中T₁→S₁的反向系间窜越速率常数值是a分子的两到三倍,这表明b2和b4分子热活化延迟荧光性能更显著. 研究结果不仅提供了两种有前景的硼基热活化延迟荧光候选化合物(b2和b4),而且为蓝色OLED材料的设计提供了理论依据.     

单层热激活延迟荧光有机发光器件及其激子分布特性

单层结构对简化有机电致发光器件(OLED)的制备工艺及降低其制造成本具有重要意义.本文采用非掺杂热激活延迟荧光(TADF)发光层,结合C60(2 nm)/MoO3(3 nm)/C60(2 nm)修饰的ITO阳极及4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(Bphen,3 nm)修饰的Ag阴极,制备了单层TADF器件(TADF-O...     

用于防伪标签的发光材料研究进展（特邀）

货币、身份证件、有价证券及商品的伪造和仿制严重威胁国家政治安全、金融稳定,侵害社会团体及个人利益。防伪技术是防范和抑制造假和克隆行为的有效手段,基于发光材料的防伪标签是当前防伪领域的研究热点。本文主要介绍近年来用于防伪标签的发光材料的研究进展,包括用于防伪标签发光材料的种类、防伪材料的发光机理、实现防伪鉴别所使用的激励源、发光防伪标签的设计方法及制作技术和防伪标签的鉴别方法等。此外,本文还对当前发光防伪材料存在的问题,以及未来发展趋势作了系统分析。     

美军拟把卫星变成太空互联网路由器降低延迟

据国外媒体报道，美国思科公司四月十二日披露，美国五角大楼已经发起了一个在卫星上安装互联网路由器的计划，这一计划可能也提供民用。思科已经参加了该计划。这项计划名叫“太空互联网路由（IRIS）计划”。美国军方希望通过卫星上的路由器，让卫星通信的数据包能够像地面上的路由器一样选择空间路径，从而提高传输速度.     

H20-20交换机“延迟热线”功能的实现

本介绍了HARRIS 20-20的“热线电话”的功能，详细分析如何通过对“热线电话”功能的改进，实现“延迟热线”的功能，这对机务人员提高数据分析和维护能力很有帮助。     

种子注入式单纵单横电光调Q激光器

基于种子注入技术、干涉法腔模锁定方案以及自滤波非稳腔技术,设计并研制出一套单纵单横电光调Q脉冲激光器系统。该系统输出的基波(波长1064nm)能量达到600mJ,倍频后绿光能量达到300mJ,发散角接近衍射极限,线宽接近傅里叶变换极限,在强气流强振动环境中单纵模的锁定概率为100%。实验观测了种子注入对巨脉冲建立时间、光斑模式以及能量的影响。该系统可应用于受激布里渊散射(SBS)、大视场风洞全息以及光学合成孔径等研究领域。     

同步MODEM中接收时钟和数据的提取及ADPLL设计

本文介绍了同步调制解调器中解调器的设计，重点描述了时钟和数据的提取，以及核心单元全数字锁相环（ADPLL）电路设计。经过测试和用户使用表明，电路的功能正确，性能满足系统要求。