GaAs PIN二极管大功率毫米波单刀双掷开关单片

采用76.2mm(3英寸)GaAs PIN二极管工艺设计和制作了大功率毫米波单刀双掷开关单片。采用并联结构的单刀双掷开关以获得较高的功率特性。在片测试表明,在30～36GHz工作频段,开关导通支路插损1.0dB,驻波优于1.5,开关关断端口隔离度大于34dB。开关在导通态下输入功率0.5dB压缩点P-0.5 dB大于5W。     

红外接收用PIN硅光电探测器研究

PN二极管是一种常用的光电探测器,其中PIN光电二极管因其体积小、噪声低、响应速度快、光谱响应性能好等特点已作为一个标准件广泛应用于红外遥控接收领域。文章基于半导体材料的光吸收特性和光电效率转换原理,同时结合减反射膜理论,对PIN光电二极管进行研究,通过衬底材料的合理选择,对减反射膜折射率及厚度进行对比实验,验证了SiN膜层较SiO2膜有着更为良好的减反射效果,可以有效提升光敏器件的光电转换效率,同条件下器件的光生电流得到提升,为今后光电器件的生产、开发应用提供了参考。     

采用Al/TaN叠层电极提高Si基Ge PIN光电探测器的性能

金属与Ge材料接触由于存在强烈的费米钉扎效应, 导致金属电极与n型Ge接触引入较大的接触电阻, 限制了Si基Ge探测器响应带宽. 本文报道了在SOI衬底上外延Ge单晶薄膜并制备了不同台面尺度的Ge PIN光电探测器. 对比了电极分别为金属Al和Al/TaN叠层的具有相同器件结构的SOI基Ge PIN光电探测器的暗电流、响应度以及响应带宽等参数. 发现在Al与Ge之间增加一薄层TaN可有效减小n型Ge的接触电阻, 将台面直径为24 μ的探测器在1.55 μ的波 长和-1 V偏压下的3 dB响应带宽提高了4倍. 同时, 器件暗电流减小一个数量级, 而响应度提高了2倍. 结果表明, 采用TaN薄层制作金属与Ge接触电极, 可有效钝化金属与Ge界面, 减轻费米钉扎效应, 降低金属与n-Ge接触的势垒高度, 因而减小接触电阻和界面复合电流, 提高探测器的光电性能.     

采用AI／TaN叠层电极提高Si基GePIN光电探测器的性能

金属与Ge材料接触由于存在强烈的费米钉扎效应,导致金属电极与n型Ge接触引入较大的接触电阻,限制了si基Ge探测器响应带宽．本文报道了在SOI衬底上外延Ge单晶薄膜并制备了不同台面尺度的GePIN光电探测器．对比了电极分别为金属Al和A1／TaN叠层的具有相同器件结构的SOI基GePIN光电探测器的暗电流、响应度以及响应带宽等参数．发现在Al与Ge之间增加一薄层TaN可有效减小n型Ge的接触电阻,将台面直径为24um的探测器在1．55um的波长和-1V偏压下的3dB响应带宽提高了4倍．同时,器件暗电流减小一个数量级,而响应度提高了2倍．结果表明,采用TaN薄层制作金属与Ge接触电极,可有效钝化金属与Ge界面,减轻费米钉扎效应,降低金属与n-Ge接触的势垒高度,因而减小接触电阻和界面复合电流,提高探测器的光电性能．     

微分吸收法测量二极管电压

给出了微分吸收法测量二极管电压的基本原理和实验结果。利用MCNP程序对轫致辐射-衰减-探测器系统建模,模拟得到了输出剂量与二极管工作电压关系拟合曲线。建立了微分吸收法测量二极管电压测量系统,通过在探测器前端放置不同厚度的吸收片,得到了衰减程度不同的波形。结合理论计算的拟合曲线和实验波形,利用迭代法计算得到了晨光号加速器二极管电压,电压峰值为0.58 MV。和传统方法所测得二极管工作电压进行了比较,结果较为一致。     

基于非结构网格间断有限元方法在可压缩流体中的应用

本文开发了一套基于非结构网格的间断有限元方法(DG)程序,并对与单元形状无关的斜率限制器进行了研究。此程序支持多种网格类型,能够方便应用于具有混合单元的非结构网格,具有处理复杂几何结构的能力,为研究叶轮机械内部复杂流动现象提供了有效的研究工具。本文利用该程序对若干典型无黏和黏性问题进行数值模拟,结果表明,该程序具有较高的可信度,能够处理具有混合单元的非结构网格,并给出良好的数值模拟结果。     

A New Performance Analysis Method of Optical Code Division Multiple Access Systems with An Optical Hard-Limiter

1　ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＩｎｒｅｃｅｎｔｙｅａｒｓ,ｔｈｅｒｅｈａｓｂｅｅｎｉｎｃｒｅａｓｉｎｇｉｎｔｅｒ ｅｓｔｉｎｔｈｅｓｔｕｄｙｏｆＯＣＤＭＡｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓｙｓｔｅｍｓｗｉｔｈｏｎｅｏｒｔｗｏｏｐｔｉｃａｌｈａｒｄ ｌｉｍｉｔｅｒｓ .ＤｉｆｆｅｒｅｎｔＯＣＤＭＡｓｙｓｔｅｍｓｉｎｔｒｏｄｕｃｉｎｇｏｎｅｏｒｔｗｏｏｐｔｉｃａｌｈａｒｄ ｌｉｍｉｔｅｒｓｈａｖｅｂｅｅｎ ｐｒｅｓｅｎｔｅｄ[1～3] .Ｉｔｓｈｏｗｓｔｈａｔｉｎｔｒｏｄｕｃｉｎｇｏｎｅｏｒｔｗｏｏｐｔｉｃａｌｈａｒｄ …     

PIN光电二极管在PET中应用的可行性

研究了正电子发射层析照相（PET）探测器系统所存在的空间分辨率和时间分辨率低的问题,通过采用双面入射和侧面读出技术,提高了PIN光电二极管的量子效率和能量分辨率,增加了可用光的收集,分析结果表明,经过优化设计的PIN光电二极管及外围配置,与现行PET探测器系统中的光电倍增管相比,具有更高的分辨率和更好的性能价格比。     

非结构网格边粘性公式

利用Kuropatenko提出的人为粘性形式和Christiansen建议的TVD(Total Variation Diminishing)输运限制子构造非结构网格边粘性,用最大角原则选择邻边构造限制子,研制包括边粘性的相容流体程序,给出边粘性与体粘性数值模拟比较,对Saltzman活塞问题、Noh问题进行数值实验.数值实验结果比较说明,非结构网格边粘性准确检出强速度梯度不存在的情形,减弱人为粘性力的作用,有效捕捉流体的激波间断,提高模拟精度.     

多级PIN限幅器高功率微波效应研究

基于PIN二极管电热自洽耦合模型,构建了两级PIN限幅器高功率微波(HPM)效应电路模型。根据模拟模型设计加工了两级限幅器实验样品,限幅器输入、输出特性注入实验数据与模拟计算结果基本一致,验证了多级限幅器模型的有效性,表明该多级PIN限幅器模型能够应用于HPM效应模拟。针对不同HPM波形参数进行了HPM效应模拟,计算结果表明：随着注入功率的增大,脉宽增宽,前级厚I层PIN二极管结温升比后级薄I层PIN二极管结温升要高,因此厚I层PIN二极管更易受到损伤;而频率和前沿参数对结温升影响较小。